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CMP系统技术与市场 被引量:2
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作者 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2003年第1期17-24,共8页
概述了CMP系统技术的发展历史、发展趋势以及在IC生产中的重要性,介绍了国外CMP设备主要制造厂家的设备型号和性能及CMP设备市场分布和需求,阐述了CMP系统技术的基础研究、关键技术和国内研究概况。
关键词 cmp系统 化学机械抛光 化学机械平坦化 市场前景 集成电路
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基于CMP系统的并行编程模式研究 被引量:1
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作者 胥秀峰 鲍广宇 +1 位作者 黄海燕 吴亚宁 《计算机技术与发展》 2014年第7期80-83,共4页
研究基于CMP(Chip Multiple Processors,片上多处理器)系统的并行编程模式旨在建立开发CMP系统上并行程序的整套方法。首先简要介绍了多核并行计算,然后通过对CMP系统上并行计算问题的综合归纳,提出了基于CMP系统的并行编程模式的概念模... 研究基于CMP(Chip Multiple Processors,片上多处理器)系统的并行编程模式旨在建立开发CMP系统上并行程序的整套方法。首先简要介绍了多核并行计算,然后通过对CMP系统上并行计算问题的综合归纳,提出了基于CMP系统的并行编程模式的概念模型,这个概念模型包含并行体系结构、并行算法设计模型、开发环境、并行程序实现模型四个核心要素;其次,对各并行编程模式各要素及其子概念的内涵进行了阐释;最后以实例对并行编程模式进行说明,初步验证了这套编程模式的合理性。 展开更多
关键词 cmp系统 并行计算 编程模式
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超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析 被引量:54
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作者 苏建修 康仁科 郭东明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第10期27-32,共6页
目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有... 目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素。 展开更多
关键词 化学机械抛光 材料去除机理 cmp系统过程变量 超大规模集成电路
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