基于Colpitts振荡器模型的网格涡卷混沌系统

为了在3阶Colpitts振荡器模型框架下获得网格涡卷混沌吸引子,基于混沌吸引子形成机理,提出了通过引入2个单位锯齿波函数改造模型方程生成网格涡卷混沌系统的方法,使改造后的3维系统形成网格分布的指数2平衡点,从而获得了(2M+1)×(2N+1)网格涡卷混沌吸引子。采用常规的动力学分析方法,研究了该系统的动力学特性,并作离散化处理后基于微控制器进行了数字电路实现和相应的实验验证,实验输出与数值仿真结果一致,由此说明了在Colpitts振荡器模型框架下生成网格涡卷混沌吸引子的可行性和实现性。

用“负阻”概念设计石英晶体Colpitts振荡电路

由“负阻”概念分析推导出Colpitts石英晶体振荡电路的相位平衡条件和振幅平衡条件,并设计具体振荡电路,给出了实际电路参数。

三维多涡卷Colpitts混沌系统及其数字硬件实现

基于混沌吸引子形成的机理,利用单位锯齿波函数改造混沌Colpitts振荡器模型,提出了一个新三维多涡卷混沌系统,生成了(2K+1)涡卷混沌吸引子。单位锯齿波函数的引入,增加了系统的指数2平衡点,从而形成多涡卷吸引子。采用常规的动力学分析方法,研究了该多涡卷混沌系统的动力学特性,研究结果表明所提出的系统的Hopf分岔点仅与控制参数有关,而涡卷数量随着锯齿波函数的零点数量的增加而增加。此外,基于微控制器(MCU)设计了一个实现该多涡卷混沌系统的数字硬件电路,实验结果验证了数值仿真结果的正确性。

基于预设定频率分布的Colpitts混沌电路设计

为了找出Colpitts混沌电路的设计综合准则,给出基于预设定频率分布的电路主要元件参数表达式.通过引入了电路的数学模型,导出电路的归一化状态方程,在电路仿真的基础上,得到电路的频率分布特征.根据三个预设定的频率分布,计算出电路主要元件参数,使用专业的射频微波仿真软件高级设计系统(ADS)对电路进行仿真.仿真结果表明,在上限频率为100MHz^1GHz的预设定频率分布的情况下,电路输出混沌信号的频谱与预设定频率分布均吻合较好.对混沌Colpitts电路和蔡氏电路的设计准则差异的研究表明,Colpitts电路更适合于高频宽带混沌发生器的应用.

微波Colpitts混沌电路实验研究

本文首先介绍了Colpitts电路的数学模型,给出了基于预设定频谱分布的Colpitts混沌电路中主要电路参数的设计方法;然后对工作在微波频段的Colpitts混沌电路进行了实验研究,验证了给出的电路参数设计方案;最后对实验过程中的电路调试方法,电路频谱宽度的瓶颈问题,电路功耗问题以及进一步的工作进行了讨论。

Colpitts振荡器的同步研究

目前在混沌同步的研究中 ,Chua’s电路是研究得比较深入的混沌系统 ,本文对两个Col pitts振荡器的同步进行了探讨 .对系统的某一状态变量差进行离散反馈滤波后 ,可以使两个结构相同的Colpitts振荡器达到同步 ,并讨论了反馈因子、采样脉冲宽度及参数失配对混沌同步的影响 .应用本同步方法可节约系统资源 ,减少干扰对同步信号的影响 .

一种网格多涡卷混沌Colpitts振荡器及其电路实现

基于单涡卷混沌Colpitts振荡器模型,对使用不同非线性函数构造多涡卷混沌Copitts振荡器模型进行了研究,并提出了一种网格多涡卷混沌Colpitts振荡器模型。利用阶跃函数代替单涡卷混沌Colpitts振荡器模型中的非线性函数,以及增加一个饱和函数,构造了一个能产生网格多涡卷混沌吸引子的Colpitts振荡器模型。通过数值仿真与电路实验,验证了该网格多涡卷混沌Colpitts振荡器的可行性。

非理想信道下Colpitts混沌电路的自适应同步研究

本文研究了Colpitts混沌电路在非理想信道条件下的自适应同步问题。引入自适应控制器对输入到响应部分(responsesystem)的衰变混沌信号进行预处理,来补偿衰落信道对于同步性能的影响。给出了系统的数学模型,对恒定信道衰变和时变信道衰变两种非理想信道条件下的混沌Colpitts电路的自适应同步进行了数值仿真研究。仿真结果表明,对于恒定或慢变化的时变信道衰变,自适应控制器可以有效的提高Colpitts电路响应部分和驱动部分(Drivesystem)的同步性能。

Colpitts电路中的双涡卷混沌寄生振荡分析

通过在Colpitts振荡器中引入二次反馈项,观察到了新奇的双涡卷吸引子.这个具有反馈项的混沌系统具有3个平衡点,产生不同于Lorenz和Colpitts系统的复杂吸引子.对系统的一些基本特性,如平衡点、稳定性、Lyapunov指数谱、分岔图、相轨与庞加莱截面等进行了详细的分析.

一种新型低相位噪声低功耗Colpitts QVCO设计

设计了一种新型的低相位噪声低功耗Colpitts正交压控振荡器（QVCO）。此QVCO采用电流开关技术降低相位噪声,采用跨导增强技术改善核心电路的起振条件,并基于器件重用技术实现电路的反向注入锁定。提出的Colpitts QVCO比交叉耦合LC VCO的相位噪声更低,并且比传统QVCO的相位噪声、正交相位精度以及调谐范围的性能更优。最终基于0.18μm CMOS工艺流片实现的Colpitts QVCO在1.5 V工作电压下,功耗为0.9 m W,振荡频率为4.8-5.6 GHz,调谐范围高达15.4%,在中心振荡频率5.2 GHz处的相位噪声为-115.8 d Bc/Hz@1 MHz,正交相位误差为0.3°,此QVCO的芯片面积为0.5 mm×1 mm。

不确定分数阶Colpitts系统的混沌同步研究

分数阶混沌系统在信息加密等领域具有广泛的研究价值。通过理论推导和数值仿真两方面的研究,采用分数阶系统的稳定性定理,对选取的分数阶多涡卷混沌Colpitts振荡电路系统的动力学特性进行了详细的分析,并计算出了该系统处于混沌态时的阶数范围。研究结果证明,当系统作混沌运动时,其混沌吸引子的形态存在特殊的演变过程,逐渐从单涡卷混沌吸引子演变为多涡卷混沌吸引子。将自适应技术和参数辨识技术应用到混沌系统的同步控制中,在参数不确定的情况下,基于Lyapunov函数稳定性理论,设计了合理的控制器和估计参数自适应律。利用不确定参数的自适应同步法,分别实现了系统在阶数相同和阶数不同两种情况下的完全同步以及对未知参数的辨识。该结果对于参数未知混沌系统的同步研究具有重要意义。

Colpitts混沌电路的研究

对典型Colpitts振荡电路进行分析,并进行了Pspice仿真,观察状态变量随参数变化的动力学行为及频谱分布情况。对改进型Colpitts电路进行仿真,对比仿真结果可知正是寄生电容CCB影响了典型Colpitts电路产生高频混沌信号。

混沌Colpitts振荡器系统的控制及仿真

利用微分几何和非线性系统控制理论 ,研究由控制输入驱动的混沌 Colpitts振荡器系统的控制问题。根据 Colpitts振荡器自身特性 ,并通过反馈线性化 ,为 Colpitts振荡器设计混沌控制器。该控制器在闭环系统稳定且在参数值的理想值周围无混沌出现的意义下是鲁棒的。

Colpitts振荡电路动力学特性的PSPICE仿真分析

以Colpitts振荡器电路为例,在建立Colpitts电路模型的基础上,对其进行PSpice仿真研究,观察状态变量分别在时域和频域中的变化。通过调整电路元件的参数,观察Colpitts电路中动力学行为的演变过程,得到了与理论分析相吻合的结果。可以发现,电路处于混沌态和准周期态的参数组合不是唯一的。

Colpitts混沌电路的线性反馈控制及自适应反馈控制

针对Colpitts振荡混沌电路的反馈控制问题,文中首先对Colpitts电路进行动力学分析与数值仿真,证实了Colpitts电路可以产生混沌振荡;然后,分别设计了线性反馈控制器和自适应反馈控制器将Colpitts系统从混沌状态稳定到系统的平衡点上;最后,通过Matlab数值仿真验证了控制器的有效性.

50 MHz低噪声Colpitts石英晶体振荡器设计

该文在振荡器Leeson模型的基础上分析了有载品质因数(Q_L)对振荡器相位噪声的影响,且通过分析Colpitts振荡电路得到了其Q_L的表达式,明确了Q_L与电路参数的精确关系。并用安捷伦ADS软件对50 MHz Colpitts晶体振荡器的相位噪声进行了仿真,根据仿真结果在提高Q_L的基础上设计了一晶体振荡器样机,样机采用AT切三次泛音、49U电阻焊封装的晶体谐振器,其无载品质因数(Q_0)为1.45×10~5。经测试得到其相位噪声指标优于-107dBc/Hz@10Hz、-134dBc/Hz@100Hz和-152dBc/Hz@1kHz。实验结果表明,基于提高Q_L设计低相噪晶体振荡器的方法是可行的。

0.35m SiGe BiCMOS工艺Colpitts振荡器

应用标准0.35μm SiGeBiCMOS工艺设计一个Colpitts压控振荡器并流片。采用线性时变模型(LTV)分析振荡器的相位噪声。在3.3V电源电压下,压控振荡器的频率范围覆盖340～400MHz,10kHz频偏处相位噪声为-91dBc/Hz,输出功率-3dBm。相位噪声的测试结果与理论计算结果符合较好。芯片面积550μm×300μm。

一类新的类Colpitts混沌信号发生器

基于Colpitts方程,提出了一种新的三维混沌吸引子.通过改造Colpitts混沌系统归一化方程中的指数项为平方项得到混沌系统.通过相图、Poincaré映射、功率谱以及Lyapunov指数,证明了混沌吸引子的存在性.基于分岔图与Lyapunov指数谱阐述并分析了新型混沌吸引子的基本动力学行为,揭示了系统在参数变化下在不动点、周期态和混沌态等之间转变的物理过程.最后,给出了PSpice仿真实现电路,实验仿真与数值仿真结果一致.

4阶Colpitts MOS管混沌电路设计

仅增加一个线性电容并联于单电感两端,使3阶Colpitts MOS管电路成为4阶混沌电路。该电容与电感形成选频谐振子电路,便于产生混沌信号,可扩展存在混沌的参数取值范围。结合新电路归一化状态方程,分别计算电感电流和三只电容端压的4个李指数,探讨关键参数对该混沌电路的影响。对比MATLAB仿真数据与实测单MOS管电路的输出,一致性地显示4阶混沌特有的混沌吸引子已经实现。

Colpitts混沌振荡电路及其功耗

用Matlab对Colpitts混沌振荡电路进行模拟和分析.随着开环增益的增大,系统逐渐从周期态进入混沌态,而且吸引子只是单涡卷折叠吸引子.参照混沌吸引子的性质,对电路中三极管的功率和其他元件的功率进行了模拟分析,并计算平均值,证实了三极管的平均功率为负值,其绝对值小于1 W,并且与电路中其他元件功率总和大小相等,符号相反.