适用于纳米工艺的SET/SEU加固触发器设计

针对触发器在纳米级工艺下容易受空间辐射中单粒子效应的影响而产生软错误的情况,基于CPSH触发器结构,研究了一种对单粒子效应中SET/SEU加固的延时采样软错误防护(DSSEP)触发器结构。该触发器由延时采样单元、输入传输单元、软错误鲁棒存储锁存器和反相输出单元组成。延时采样单元对来自其他逻辑电路的输出数据进行采样,采样数据经输入传输单元写入软错误鲁棒存储锁存器,并通过一个反相输出单元输出。仿真结果表明,DSSEP触发器具有很好的SET/SEU加固能力。经过比较和分析,证明DSSEP触发器与具有同样SET/SEU加固能力的保护门触发器(GGFF)相比,在晶体管数目和传播延时方面仅为GGFF的62%和33%。