功率循环下CSP封装结构焊点的寿命预测分析

采用非线性有限元方法,分析了CSP封装形式的焊点在给定功率循环下的应力应变.单一内变量的统一粘塑性Anand本构方程,描述了63Sn37Pb焊料的粘塑性变形行为.考虑封装体内温度梯度的存在,更加真实地模拟芯片实际发热机制,采用间接法将CSP功率循环模拟方法具体分为瞬态热分析和热应力分析两个阶段.热分析得到的温度场分布结果作为热应力分析的载荷.通过基于以能量为基础的疲劳寿命预测公式预测焊点的失效循环数.对1/8 CSP模型作寿命预测,并和简化模型作比较分析.结果表明,两者焊球温度分布和等效应力基本一致,焊球失效循环数相差不超过5%.

叠层CSP封装的振动模糊可靠性分析

由于叠层CSP封装的复杂性,其振动特性很难用精确的理论模型表示。同时,由于传统的共振准则没有考虑到系统的变异性和模糊性,导致分析结果与真值具有较大偏差。该文利用有限元法方法建立叠层CSP封装振动分析模型,并求解其振动特性;在此基础上充分考虑系统的模糊性,对振动可靠性模型进行模糊处理,利用模糊理论建立其振动模糊可靠性理论模型。通过算例验证了振动模糊可靠性理论模型的有效性和可行性。

谈CSP封装器件的返修工艺流程

球栅列阵封装技术,简称BGA封装,早在80年代已用于尖端军备、 导弹和航天科技中,它对于电子设备的微型化和多功能化起到决 定性作用。随着半导体工艺技术的发展,近年来在各行各业中都亦 广泛地使用到BGA封装IC元件,领导这一发展趋势的芯片级封装 (CSP)在今天已开始得到广泛应用,随之而来对于CSP封装器件的 返修更显重要。

BGA/CSP封装技术的研究

从IC封装技术发展趋势的角度介绍了BGA/CSP封装理论和技术优势 .阐述了植球机的基本构成和工作原理 .植球机由印刷、搭载和检查工程 3个工程组成 .介绍了BGA/CSP封装型芯片的制造流程 .指出 :IC的BGA/CSP封装技术在高端IC封装领域占主导地位 ,是未来发展的方向 ;致力于成为IC制造大国的中国 。

采用小型晶圆级CSP封装的LDO

LD6806系列LDO集极低噪声（仅30uVRMS）、低待机功耗（0．1μA典型值）和出色的ESD保护（高达10kV，同时结合过热保护和限流器）三大优点于一身。

CSP封装内存今年将步入主流

本月国内内存市场“跌”声阵阵,一片肃杀气象,唯近日面市的CSP封装内存令人眼前一亮。随着Intel发布DDR400标准芯片组Springdale日程的临近,CSP封装(如图一)内存也终于揭去面纱,准备从老前辈TSOP、BGA封装手中接棒,以更快的速度伴随CPU前进。

Pericom推出四种新型CSP封装模拟开关满足下一代手提应用

Pericom公司推出用于移动终端的新型的模拟开关系列P15A4xx，具有芯片规模（CSP）封装、非常低的导通电阻和宽电压范围，满足下一代手提应用的严格要求。Pericom的新型P15A4xxx集成电路（IC）是双路高带宽SPDT和SP3TCMOS模拟开关，超小型2×1．5×0．6mmCSP封装。特别设计用于移动市场，这些占位面积小的开关可用在多频带功能、多种振铃音（MIDI）、免提功能、FM无线电、MP3／MP4播放器以及备忘录记录仪。

CSP封装与安装技术在手机中的应用

本文就CSP封装与安装技术在便携式电子产品,特别是手机中的应用进行了论述。随着集成电路集成度的不断增加、封装尺寸的不断减少,电子整机的尺寸也越来越小、重量越来越轻、功能越来越多、性能越来越好。随着整机组装密度的不断提高,电子元器件的封装已从通孔插装型向表面贴装型转变,通过减少外引线间距。

惠瑞捷为其面向晶圆级CSP封装市场的V93000平台新增Direct-Probe解决方案

半导体测试公司惠瑞捷（Verigy）在其经生产验证的V93000平台中新增了Direct-Probe解决方案，从而提升了该平台的可扩展性。这款面向数字、混合信号和无线通信集成电路（IC）的高性能探针测试（probetest）产品在进行量产、多点探针测试时表现出最高的信号完整性。

恩智浦为移动设备提供晶圆级CSP封装LDO

根据市场调研公司Databeans在其2011年第三季度电源管理跟踪报告（Power Management Tracker）中的预测，到2016年，全球LDO稳压器市场规模将达32．93亿美元。而在移动通信终端上，对于器件的体积要求越来越小、性能越来越高也一直是这一部分市场的发展趋势。据此，恩智浦半导体（NXP SemiconductorsN．V）认为，运用公司在分立器件上产能和封装的优势，

飞兆半导体采用CSP封装的P沟道MOSFET提供业界最薄的尺寸

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出采用1mm×1．5mm×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench。工艺设计，结合先进的WL—CSP封装，将RDS（ON）和所需的PCB空间减至最小。

莱迪思MachXO2 PLD系列现有小尺寸WLCSP封装

莱迪思半导体公司宣布MachXO2 PLD系列的2.5mmx2.5mm25球型晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的样片现已发运。目前MachXO2器件结合了超小封装尺寸,具有行业最低功耗和最丰富功能的低密度PLD。

小尺寸WLCSP封装Mach×02PLD

MaCh×O2PLD系列推出2．5mm×2．5mm25球型晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）产品，与前代产品相比，增加了3倍的逻辑密度，提高了10倍的嵌入式存储器，减少了100倍的静态功耗。这些器件结合了超小封装尺寸、超低功耗和丰富功能等特点，可以用于之前不可能使用PLD的新的应用领域。

采用CSP封装的P沟道MOSFET

采用1mm×1．5min×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench工艺设计，结合先进的WL—CSP封装，将导通电阻和所需的PCB空间减至最小。这款P沟道MOSFET器件的侧高比标准P沟道MOSFET降低40％，可满足下一代手机、MP3播放器和其他便携应用的要求。该器件具有低RDS（ON）（典型值74mΩ＠-4．5V VGS），能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能（1．9W）。

金锡镀层在CSP气密封装中的应用及其可靠性

芯片级尺寸封装的气密性被越来越广泛的关注,为了实现CSP器件的可伐管帽与陶瓷基板之间的气密性互连,采用分层电镀沉积的方法在高温共烧陶瓷(HTCC)基板表面制备了金/锡/金镀层,利用金与锡间的共晶反应以实现管帽和基板的气密性可靠封接.文中分析了金/锡/金镀层质量、焊接工艺对Au80Sn20共晶焊料封接结果的影响.结果表明,金/锡/金镀层厚度和层间的结合力决定了Au-Sn共晶焊料的封接质量.在焊接升温过程中,锡镀层首先熔化形成“熔池”,溶解上下侧与之接触的金镀层,直至完成共晶反应;采用较短的焊接时间能够实现更好的金锡共晶封接;焊接温度为330℃、保温时间为30 s时,Au-Sn镀层共晶反应形成δ/(Au,Ni)Sn—ζ相—δ/(Au,Ni)Sn的分层共晶组织,实现了可伐管帽与HTCC基板的气密性封接.

Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关

Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出可在1．5-5．5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SIP32459。这两款器件均具有一个集成的可提供稳定的20mΩ低导通电阻，同时保持低静态电流的栅极泵。器件采用小尺寸6凸点晶圆级CSP封装（WCSP6），将4．5V下的导通电压上升斜率控制在3ms，限制使用容性或噪声敏感负载的设计方案的涌入电流。