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上转换荧光化合物DMSSB与CSSB的合成、结构与光物理性质 被引量:5
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作者 曹笃霞 方奇 +4 位作者 王东 薛刚 于文涛 刘志强 周玉芳 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期76-81,共6页
以苯并噻唑为电子受体 ,以双苯乙烯基为共轭桥链 ,分别以二甲基胺和咔唑为电子给体合成了 2个新的有机化合物 DMSSB(反式 ,反式 - 2 - {4- [( 4- N ,N -二甲基胺 )苯乙烯基 ]苯乙烯基 }- 1,3-苯并噻唑 )和CSSB(反式 ,反式 - 2 - {4- [( ... 以苯并噻唑为电子受体 ,以双苯乙烯基为共轭桥链 ,分别以二甲基胺和咔唑为电子给体合成了 2个新的有机化合物 DMSSB(反式 ,反式 - 2 - {4- [( 4- N ,N -二甲基胺 )苯乙烯基 ]苯乙烯基 }- 1,3-苯并噻唑 )和CSSB(反式 ,反式 - 2 - {4- [( 4- N -咔唑 )苯乙烯基 ]苯乙烯基 }- 1,3-苯并噻唑 ) .用 X射线衍射方法测定了 CSSB的晶体结构 .用波长为 80 0 nm的激光激发时 ,DMSSB与 CSSB在 THF中分别发出强的上转换橙色 ( λm ax=589nm)和蓝绿色荧光 ( λmax=4 88nm) . 2个化合物在不同溶剂中的光物理数据和理论计算结果表明 ,苯并噻唑基是一个很好的电子受体 . 展开更多
关键词 上转换荧光化合物 DMSSB cssb 合成 结构 光物理性质 苯并噻唑 发射截面 晶体结构 2-{4-[(4-N-咔唑)苯乙烯基]苯乙烯基)-1 3-苯并噻唑
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作为加速器电子源的高量子效率K2CsSb光阴极制备工艺研究 被引量:2
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作者 谢华木 王尔东 《真空》 CAS 2017年第1期63-66,共4页
K_2CsSb光阴极具有10%左右的QE,可达数月的寿命,亚ps量级的响应时间,较低的本征发射度,因此成为高平均功率、高亮度电子源的首选。K_2CsSb光阴极广泛应用于高重频电子枪,如直流电子枪(Cornell),常温射频电子枪(LBNL),超导电子枪(BNL,HZB... K_2CsSb光阴极具有10%左右的QE,可达数月的寿命,亚ps量级的响应时间,较低的本征发射度,因此成为高平均功率、高亮度电子源的首选。K_2CsSb光阴极广泛应用于高重频电子枪,如直流电子枪(Cornell),常温射频电子枪(LBNL),超导电子枪(BNL,HZB)等。为制备出稳定可重复长寿命具有较高量子效率的K_2CsSb光阴极,世界各大实验室均对K_2CsSb光阴极的制备工艺进行了大量的研究。本文详细介绍了K_2CsSb光阴极的制备设备及其制备工艺。 展开更多
关键词 K2cssb光阴极 量子效率 超高真空 电子枪
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氧化镧减反膜对K2CsSb光电阴极灵敏度影响研究
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作者 赵学峰 瞿利平 +2 位作者 冯辉 陈其钧 李庭涛 《云光技术》 2013年第2期15-17,20,共4页
摘要:介绍了K2CsSb光电阴极在光电培增管中的应用和制作工艺。对采用减反膜来提高K2CsSb光电阴极灵敏度的技术进行了理论分析并进行了实验验证。试验了50nm、100nm和150nm三种不同厚度的氧化镧膜层。试验结果表明:在阴极玻璃窗上制作... 摘要:介绍了K2CsSb光电阴极在光电培增管中的应用和制作工艺。对采用减反膜来提高K2CsSb光电阴极灵敏度的技术进行了理论分析并进行了实验验证。试验了50nm、100nm和150nm三种不同厚度的氧化镧膜层。试验结果表明:在阴极玻璃窗上制作3种不同厚度的氧化镧减反膜之后,阴极的灵敏度并未像所预测的那样有所增加,相反还有所降低。并且膜层越厚,阴极灵敏度降低越多。 展开更多
关键词 K2cssb阴极 减反膜 氧化镧 光吸收 光电倍增管
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Development of Preparation Systems with K_2CsSb Photocathodes and Study on the Preparation Process 被引量:3
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作者 Fan Zhang Xiao-Ping Li Xiao-Shen Li 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2019年第2期8-11,共4页
The next generation of advanced light sources requires photons with large average flux and high brightness,which needs advanced electron gun matched with excellent photocathode materials. K_2CsSb photocathode has the ... The next generation of advanced light sources requires photons with large average flux and high brightness,which needs advanced electron gun matched with excellent photocathode materials. K_2CsSb photocathode has the advantages of high quantum efficiency, long lifetime and instantaneous response. This study introduces the design of a set of K_2CsSb photocathode preparation systems and detailed preparation process of K_2CsSb photocathodes, including sequential deposition process and co-deposition process, and finally develops a K_2CsSb photocathode. The influence of laser power on the quantum efficiency is also investigated. 展开更多
关键词 CS SB St DEVELOPMENT of PREPARATION Systems with K2cssb PHOTOCATHODES and STUDY on the PREPARATION Process
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CSSB/AM调制技术
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作者 陈育平 《电信科学》 1986年第1期62-63,共2页
目前,许多卫星通信系统采用了压扩单边带调幅(CSSB/AM)新技术,用来扩大卫星转发器的容量。这种调制方式与高线性化固态功率放大器(SSPA)或高线性化行波管放大器(TWTA)相配合时,一个36 MHz带宽的转发器可提供7000条以上的单向话路。与其... 目前,许多卫星通信系统采用了压扩单边带调幅(CSSB/AM)新技术,用来扩大卫星转发器的容量。这种调制方式与高线性化固态功率放大器(SSPA)或高线性化行波管放大器(TWTA)相配合时,一个36 MHz带宽的转发器可提供7000条以上的单向话路。与其他调制方式相比,它的容量要大得多(参看附表)。现将压扩器和调制方案的选择介绍如下。1.压扩器话音信号的动态范围较宽,一般的电话系统都要设法覆盖这个范围。在调频系统中,过于响亮的话音会引起频偏过大,可能对相邻信道产生干扰。考虑到上述情况。 展开更多
关键词 压扩 cssb/AM 卫星通信系统 话音信号 卫星转发器 电话系统 频偏 调制方案 邻信道 话路
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反位缺陷对K_(2)CsSb光阴极光电性质的影响 被引量:2
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作者 舒昭鑫 张益军 +4 位作者 王兴超 金睦淳 任玲 张锴珉 詹晶晶 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期180-186,共7页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了K-Cs反位、K-Sb反位、Cs-Sb反位对K-Cs-Sb阴极电子结构和光学性质的影响,对不同缺陷模型的能带结构、态密度、形成能等电子结构性质,以及折射率、消光系数、吸收系数等光学性质进行了... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了K-Cs反位、K-Sb反位、Cs-Sb反位对K-Cs-Sb阴极电子结构和光学性质的影响,对不同缺陷模型的能带结构、态密度、形成能等电子结构性质,以及折射率、消光系数、吸收系数等光学性质进行了分析。电子结构性质计算结果表明,Sb被过剩碱金属占据的K-Cs-Sb反位缺陷模型具有间接带隙结构,且呈现n型半导体性质,而K-Cs反位缺陷体系以及碱金属被过剩Sb占据的K-Cs-Sb反位缺陷模型均呈现p型半导体性质。与其他反位缺陷模型相比,K_(2)Cs0.75Sb1.25更容易形成且更稳定。光学性质计算结果表明,碱金属过剩会造成吸收系数峰值往低能端偏移,而Sb金属过剩则相反。在中微子与闪烁体作用辐射的能量范围内(即2.4~3.2 eV),K_(2)Cs0.75Sb1.25的吸收系数最大,折射率最小,相比传统K_(2)CsSb更适合作为光电发射材料。 展开更多
关键词 材料 K_(2)cssb光阴极 反位缺陷 光学性质 电子结构 第一性原理
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影响双碱光阴极量子效率的关键技术研究 被引量:1
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作者 谢华木 王尔东 《真空》 CAS 2016年第6期51-53,共3页
K_2CsSb光阴极由于具备诸多优势而成为高亮度电子源的首选,应用于世界上许多大科学装置中。K_2CsSb光阴极的制备设备与制备工艺是世界上各大实验室的研究重点,本文系统研究了双碱光阴极制备过程中的关键问题,对影响双碱光阴极量子效率... K_2CsSb光阴极由于具备诸多优势而成为高亮度电子源的首选,应用于世界上许多大科学装置中。K_2CsSb光阴极的制备设备与制备工艺是世界上各大实验室的研究重点,本文系统研究了双碱光阴极制备过程中的关键问题,对影响双碱光阴极量子效率的重要因素,如基底种类,基底表面粗糙度,反应薄膜厚度,Cs激活工艺等方面都进行了研究,形成了一套稳定可重复的高性能双碱光阴极的制备工艺。 展开更多
关键词 K2cssb光阴极 量子效率 表面粗糙度 Cs激活工艺
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The QE numerical simulation of PEA semiconductor photocathode
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作者 李旭东 顾强 +1 位作者 张猛 赵明华 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2012年第6期531-537,共7页
Several kinds of models have already been proposed to explain the photoemission process. The ex- act photoemission theory of the semiconductor photocathode was not well established after decades of research. In this p... Several kinds of models have already been proposed to explain the photoemission process. The ex- act photoemission theory of the semiconductor photocathode was not well established after decades of research. In this paper an integral equation of quantum efficiency (QE) is constructed to describe the photoemission of positive electron affinity (PEA) of the semiconductor photocathode based on the three-step photoemission model. Various factors (e.g., forbidden band gap, electron affinity, photon energy, incident angle, degree of polarization, refractive index, extinction coefficient, initial and final electron energy, relaxation time, external electric field and so on) have an impact on the QE of the PEA semiconductor photocathode, which are entirely expressed in the QE equation. In addition, a simulation code is also programmed to calculate the QE of the K2CsSb photocathode theoretically at 532 nm wavelength. By and large, the result is in line with the expected experimental value. The reasons leading to the distinction between the experimental and theoretical QE are discussed. 展开更多
关键词 PHOTOCATHODE quantum efficiency K2cssb SIMULATION
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