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Mo掺杂Cu_(3)Ti_(2)Ta_(2)O_(12)陶瓷的介电性能研究
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作者 刘洋 黎嘉豪 +2 位作者 田长安 贺图升 王操 《电工材料》 CAS 2023年第3期32-36,共5页
本研究采用固相烧结法制备了Mo掺杂Cu_(3)Ti_(2)Ta_(2)O_(12)陶瓷,研究了其微观结构、复阻抗及介电性能。结果表明:所有Cu_(3)Ti_(2)Ta_(2-x)Mo_(x)O_(12)陶瓷均形成了类钙钛结构CTTO晶相,且Mo掺量增加时存在TiO_(2)第二相。Mo的掺杂促... 本研究采用固相烧结法制备了Mo掺杂Cu_(3)Ti_(2)Ta_(2)O_(12)陶瓷,研究了其微观结构、复阻抗及介电性能。结果表明:所有Cu_(3)Ti_(2)Ta_(2-x)Mo_(x)O_(12)陶瓷均形成了类钙钛结构CTTO晶相,且Mo掺量增加时存在TiO_(2)第二相。Mo的掺杂促进了CTTO陶瓷晶粒的生长,增大了样品的ε′,降低了tanδ。R_(gb)值也逐渐增加,提高了φ_(b),晶界电性能得到了增强,显著改善了材料的介电性能。 展开更多
关键词 烧结 ctto 介电性能 晶界
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