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硒化温度对CuInSe2薄膜性能的影响 被引量:1
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作者 丁晓峰 韩东麟 +1 位作者 张弓 庄大明 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期32-35,共4页
采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态源硒化方法制备CuInSe2(CIS)薄膜,考察了硒化温度对CIS薄膜性能的影响.采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流... 采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态源硒化方法制备CuInSe2(CIS)薄膜,考察了硒化温度对CIS薄膜性能的影响.采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率.结果表明,Cu-In薄膜由In和Cu11In9两相组成,在不同的硒化温度下制备的CIS薄膜,均具有单一的黄铜矿CuInSe2相结构.随着硒化温度的升高,CIS薄膜的晶粒直径增大,当硒化温度达到550℃时,晶粒直径已接近于2 μm.硒化温度继续升高,晶粒之间出现孔洞和缝隙等缺陷.530℃的硒化温度下制得的弱p型CIS薄膜,最符合CuInSe2的化学计量比,最适于制备太阳能电池吸收层. 展开更多
关键词 cuinse2 薄膜 太阳能电池 固态源硒化 磁控溅射 硒化温度
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热注法合成CuInSe2纳米晶的性能研究
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作者 夏冬林 杲皓冉 +1 位作者 李云峰 秦可 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第10期1907-1912,共6页
以氯化亚铜(CuCl)、氯化铟(InCl_3·4H_2O)作为金属源,溶解在三辛基膦(TOP)中的Se粉作硒源,利用油胺(OLA)作为配体、十八烯作为溶剂,采用热注入法合成出了CuInSe_2纳米晶(NCs),研究了反应温度对产物的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、... 以氯化亚铜(CuCl)、氯化铟(InCl_3·4H_2O)作为金属源,溶解在三辛基膦(TOP)中的Se粉作硒源,利用油胺(OLA)作为配体、十八烯作为溶剂,采用热注入法合成出了CuInSe_2纳米晶(NCs),研究了反应温度对产物的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDS)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等测试手段对CuInSe_2纳米晶的晶体结构、形貌、化学组分和光学性能进行了表征。实验结果表明:通过调控反应温度合成了具有不同形貌的黄铜矿结构的CuInSe_2纳米晶,纳米晶的形貌由三角形或四边形向球形演化,其晶粒平均尺寸为3.71~13.65 nm,其光学带隙Eg在1.75~1.50 e V之间变化。所得到的产物在有机溶剂甲苯中分散性良好,这样的"墨水"溶液在后期制备薄膜太阳能电池更有利。 展开更多
关键词 cuinse2纳米晶 热注入法 太阳能电池
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用于太阳能电池CuInSe2薄层的电沉积及其性能
3
作者 DeSilva 范宏义 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期65-65,共1页
关键词 太阳能电池 cuinse2薄层 电沉积 性能
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CuInSe2薄膜太阳电池的开发动向
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作者 张耀宏 《国外科技》 1989年第11期17-20,共4页
关键词 薄膜 太阳 电池 cuinse2
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真空蒸发沉积CuInSe2薄膜
5
作者 廖华 魏晋云 《薄膜科学与技术》 1990年第2期67-72,共6页
关键词 cuinse2 薄膜 真空蒸发 沉积
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薄膜CuInSe2的局域结构
6
作者 郝建民 《电子材料快报》 1995年第6期13-14,共2页
关键词 cuinse2 薄膜 局域结构 半导体材料
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欧洲CuInSe2和其他化合物太阳能电池的最新进展
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作者 秋实 《新能源》 1996年第4期10-12,共3页
关键词 太阳能电池 cuinse2 薄膜太阳能电池
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更正:全黄铜矿CuGaSe_(2)/CuInSe_(2)两端叠层太阳能电池的顶端设计与优化
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作者 钟建成 张笑天 +3 位作者 林常青 薛阳 唐欢 黄丹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期386-386,共1页
《物理学报》2024年第73卷第10期第103101页《全黄铜矿CuGaSe_(2)/CuInSe_(2)两端叠层太阳能电池的顶端设计与优化》一文中因作者疏忽导致(1)式书写有误,特此更正,并诚挚地向读者致歉.相关内容更正如下.
关键词 叠层太阳能电池 cuinse2 《物理学报》 设计与优化 黄铜矿 更正
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电沉积和硒化制备CuInSe2薄膜
9
作者 王延来 尚升 +2 位作者 聂洪波 倪沛然 果世驹 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期366-370,共5页
以石墨为阳极、钛片为阴极,采用恒电流法制备Cu-In预制膜,然后硒化处理得到CuInSe2薄膜.分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素.结果表明:采用不同的电沉积工艺,可以得到不同相组成的Cu-In预制膜.在保证Cu/In小于1的条件下,降... 以石墨为阳极、钛片为阴极,采用恒电流法制备Cu-In预制膜,然后硒化处理得到CuInSe2薄膜.分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素.结果表明:采用不同的电沉积工艺,可以得到不同相组成的Cu-In预制膜.在保证Cu/In小于1的条件下,降低InCl3浓度和H3Cit/CuCl2浓度比,选择较高电流,可以获得具有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜.含有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜,经硒化得到的CuInSe2薄膜具有单一CuInSe2相组成,并且符合化学剂量比要求;而只含有CuIn相的预制膜硒化后除了有CuInSe2相外还出现了CuSe相. 展开更多
关键词 cuinse2薄膜 电沉积 硒化 相结构
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Preparation of carbon nitride films and photovoltaic property of C-N/CuInSe2 heterojunction
10
作者 周之斌 崔容强 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1996年第19期1618-1622,共5页
The new carbon nitride films promise to be with superhigh hardness, unique physical and chemical properties, and have important applications in many fields, such as magnetics, electronics and mechanics, because they a... The new carbon nitride films promise to be with superhigh hardness, unique physical and chemical properties, and have important applications in many fields, such as magnetics, electronics and mechanics, because they are suggested to have a larger bulk modulus B than diamond, which arouses scientists all over the world to great interest. However, many experimental efforts to yield this predicted material had failed since Liu reported the stable phase of β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> and the possibility of synthesis in 1989. Recently, Niu et al. prepared the films containing nano-size β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> phase grains by laser ablation of graphite 展开更多
关键词 CARBON NITRIDE C-N/cuinse2 HETEROJUNCTION PHOTOVOLTAIC effect.
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电沉积法制备CuInSe_2薄膜的组成与形貌 被引量:10
11
作者 张治安 刘芳洋 +3 位作者 吕莹 赖延清 李劼 刘业翔 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期560-566,共7页
采用电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明:最佳的沉积电位范围为-0.6~-0.8 V(vs SCE);硒化退火是获得高质量CuInSe2薄膜的必要过程,硒化退火温度应控制在440~610℃范围内;... 采用电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明:最佳的沉积电位范围为-0.6~-0.8 V(vs SCE);硒化退火是获得高质量CuInSe2薄膜的必要过程,硒化退火温度应控制在440~610℃范围内;在不同沉积电位和不同电解质浓度组成溶液中,通过电沉积并在500℃下硒化退火均可获得黄铜矿结构CuInSe2多晶薄膜;沉积电位的负移会使膜层中CuInSe2的相对含量增加,晶型完善,且杂相减少;随着电解质浓度的增加,电沉积CuInSe2退火后结晶程度变好,颗粒变得粗壮,致密性也有所改善;电沉积并硒化退火后薄膜中的铜铟摩尔比受沉积电位和电解质浓度影响较大,当沉积电位为-0.7和-0.8 V时,铜铟摩尔比约为1较为理想,且铜铟摩尔比的变化与电解液中CuCl2和InCl3的摩尔比变化一致。 展开更多
关键词 cuinse2(CIS) 太阳电池 薄膜 电沉积 硒化退火
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溶剂热法CuInSe_2粉体的形貌可控制备与表征 被引量:6
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作者 段学臣 蒋波 +3 位作者 程亚娟 孙巧珍 朱磊 刘扬林 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期293-297,共5页
采用溶剂热法,通过改变反应温度和初始nCu/nIn比制备了一系列CuInSe2粉体。粉体的物相结构、形貌、光吸收性能分别用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)进行了表征。结果表明:180℃... 采用溶剂热法,通过改变反应温度和初始nCu/nIn比制备了一系列CuInSe2粉体。粉体的物相结构、形貌、光吸收性能分别用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)进行了表征。结果表明:180℃反应即可形成纯黄铜矿型CuInSe2粉体;随着反应温度的升高,粉体形貌有"片-片簇-球簇"的演变规律,其光吸收性能也随之增强,出现"红移"现象;初始nCu/nIn比能有效调控片簇的致密度。同时探讨了粉体不同形貌的形成机理。 展开更多
关键词 溶剂热 cuinse2 形貌 光吸收 机理
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磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化 被引量:11
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作者 汤会香 严密 +4 位作者 张辉 张加友 孙云 薛玉明 杨德仁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期741-744,共4页
采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了... 采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究 ,并且通过XRD研究了薄膜的结构性能 .得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2 薄膜的优化条件为 :Cu/In比 1 133,硒化温度 4 2 0℃ ,硒化时间 2 0min ,硒源温度 2 0 0℃ .在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到 3 19cm2 /(V·s) ,XRD结果表明薄膜中没有杂相存在 . 展开更多
关键词 正交实验 cuinse2薄膜 优化制备
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电沉积制备CuInSe_2薄膜及性能研究 被引量:5
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作者 周学东 赵修建 +1 位作者 夏冬林 李建庄 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期4-6,共3页
采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电解液,在镀钼的钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用CuInSe2薄膜。通过EDS、... 采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电解液,在镀钼的钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用CuInSe2薄膜。通过EDS、XRD和SEM对制备的CuInSe2薄膜进行了表征,实验结果表明利用电沉积方法可以制备出晶粒分布均匀的黄铜矿结构的CuInSe2薄膜,禁带宽度为1.14eV左右,具有高的吸收系数。 展开更多
关键词 cuinse2 薄膜 电沉积 太阳能电池
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电化学沉积太阳电池用CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2薄膜的研究进展 被引量:4
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作者 刘芳洋 赖延清 +5 位作者 张治安 刘军 匡三双 李轶 李劼 刘业翔 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第17期36-40,45,共6页
综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和... 综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和PVD调整成分的研究状况。回顾了基于电化学沉积的CIS和CIGS太阳电池研究的发展过程,并介绍了目前实验室和产业化研究的最新成果,指出了存在的问题并展望了其发展趋势。 展开更多
关键词 cuinse2(CIS) Cu(In Ga)Se2(CIGS) 太阳电池 电化学沉积
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电沉积CuInSe_2薄膜的热处理研究 被引量:6
16
作者 陈鸣波 邓薰南 尤金跨 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期102-104,共3页
报道了热处理对电沉积CuInSe2薄膜的表观形貌、结构及光电性质的影响。
关键词 cuinse2 薄膜 热处理 电沉积
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电化学法制备CuInSe_2薄膜工艺的研究 被引量:3
17
作者 徐玲 刘昌龄 +4 位作者 吴世彪 陈少华 张信义 王利群 汪星和 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期547-550,共4页
实验主要从基体材料的选择、络合剂的引用以及热处理试样等制备条件进行了初步的研究。通过分析与比较各种特定条件下制备出的试样的X射线衍射实验结果得知、导电玻璃作基体材料的镀层质量要比铜片和铁片的好;络合剂的加入有利于薄膜晶... 实验主要从基体材料的选择、络合剂的引用以及热处理试样等制备条件进行了初步的研究。通过分析与比较各种特定条件下制备出的试样的X射线衍射实验结果得知、导电玻璃作基体材料的镀层质量要比铜片和铁片的好;络合剂的加入有利于薄膜晶粒更加均匀和致密,可以改善镀层的质量;退火有利于薄膜晶粒的增大,使其结晶程度更好。 展开更多
关键词 电沉积 cuinse2薄膜 X射线衍射分析 X射线光电子能谱
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粉末涂敷法制备CuInSe_2薄膜的硒化烧结过程研究 被引量:3
18
作者 聂洪波 王延来 +1 位作者 王义民 果世驹 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期132-137,共6页
用粉末涂敷法在Mo箔上涂敷CuInSe2前驱体薄膜,进而在H2气氛中热处理制备了太阳能薄膜电池吸收层用CuInSe2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和其配备的能谱仪(EDS)对CuInSe2薄膜进行分析和表征,对硒化烧结过程中化学反应的可... 用粉末涂敷法在Mo箔上涂敷CuInSe2前驱体薄膜,进而在H2气氛中热处理制备了太阳能薄膜电池吸收层用CuInSe2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和其配备的能谱仪(EDS)对CuInSe2薄膜进行分析和表征,对硒化烧结过程中化学反应的可能性进行了热力学计算。结果表明:硒化烧结过程分为三个阶段:二元化合物CuSe和三元化合物CuInSe2的形成均出现在硒化烧结的前两个阶段;第三个阶段主要是CuInSe晶粒长大和薄膜的致密化过程。H气氛在CuInSe薄膜烧结过程中可能起到催化剂的作用。 展开更多
关键词 cuinse2 Cu—In合金 烧结 热力学
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硒化方式对CuInSe_2薄膜结构、成分和形貌的影响 被引量:3
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作者 赵湘辉 魏爱香 +1 位作者 招瑜 刘俊 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期140-144,共5页
采用直流磁控溅射技术,首先在玻璃衬底上制备Mo薄膜,然后制备CuIn预制层。以固态硒粉为硒源,采用硒薄膜法和硒蒸气法两种硒化工艺,经过三步升温硒化方式对CuIn预制膜进行硒化制备CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、能量散射谱和扫描电镜测试... 采用直流磁控溅射技术,首先在玻璃衬底上制备Mo薄膜,然后制备CuIn预制层。以固态硒粉为硒源,采用硒薄膜法和硒蒸气法两种硒化工艺,经过三步升温硒化方式对CuIn预制膜进行硒化制备CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、能量散射谱和扫描电镜测试分析手段,分析CuIn预制膜和每一步硒化热处理后薄膜结构和形貌的变化。结果表明:两种方法硒化后均形成具有单一黄铜矿相结构的CuInSe2薄膜,薄膜具有(112)面择优取向,硒蒸气法形成的晶粒较大,但均匀性差。 展开更多
关键词 太阳能电池 cuinse2薄膜 磁控溅射 硒化工艺
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CuInSe_2薄膜特性研究 被引量:4
20
作者 季秉厚 罗永胜 李蓉萍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期33-40,共8页
利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备CIS薄膜。对制备的CIS薄膜的光学性质、电学性质、组份、结构与工艺条件的关系进行了讨论。
关键词 薄膜 特性 半导体材料 cuinse2
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