Influence of Surface Ultrasonic Scratching Pretreatment on Diamond Nucleation

Influence of the surface ultrasonic scratching pretreatment on diamond nucletion has been studied.Diamond films have been deposited on Si(100) by hot-filament chemical vapour deposition and characterized by scanning electron microscopy. 1.5～40μm diamond powders and mixtures of 1.5～5μm diamond as well as 5～20μm TaC powders were used in the ultrasonic scratching pretreatment. The experiment results show that thediamond nucleation density increases with increment of diamond powders size, and a mixture of diamond and TaCpowders enhances diamond nucleation much more greatly than that of diamond powders alone, especially when thesize of diamond powdets is not very large.

基底材料和温度对CVD金刚石沉积的影响

使用热丝CVD装置在钢渗铬层、三氧化二铝、YG8硬质合盒基底上沉积了金刚石膜、结果表明，在700～900℃温度范围内，热稳定性好的基底材料有利于金刚石晶核的形成。硬质合金和三氧化二铝的热稳定性都比钢渗铬层好，在700～900℃能获得10^7cm^-2以上的形核密度，而钢渗铬层超过800℃后．形核密度低于10^6cm^-2。

形核密度对CVD金刚石涂层附着性能的影响

采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在硬质合金基体上进行金刚石的形核生长,使用扫描电镜(SEM)对金刚石涂层形核情况进行分析,研究了不同形核密度对CVD金刚石涂层附着力的影响。结果表明:当碳源浓度达到3%时,表面形核密度最高,约为107/cm2;浓度增大为4%时,形核密度降低。通过压痕实验对比分析得出形核工艺中碳源浓度为3%时沉积的金刚石涂层压痕最浅,压痕直径最小,金刚石涂层具有良好的附着性能。

硬质合金上沉积金刚石膜的基体预处理方法进展

本文重点对近年硬质合金基体表面预处理方法及其对CVD金刚石膜沉积的影响进行了综述。按其原理来分,预处理方法可分为物理预处理法、化学预处理法以及中间层法。大量实验结果表明通过适当的预处理能有效消除或抑制基体中钴黏结相的负面影响,提高金刚石的形核密度以及膜基结合力,从而获得理想的薄膜质量。

负偏压对M_0衬底上生长金刚石膜的影响

研究用热灯丝化学气相沉积（ＨＦＣＶＤ）法在Ｍ０衬底上生长多晶金刚石膜。实验研究表明，负偏压对金刚石膜生长的影响十分显著，这是负偏压极大地影响了金刚石的核密度引起的，研究表明，来自金刚石的发射电子对气体分子的撞击，加速了ＣＨ４、Ｈ２分子离化，在衬底表面附近形成了一等离子体区。

核化密度对硅上生长异质外延金刚石膜的影响

本文利用扫描电子显微镜及Raman谱等研究了Si（100）上异质外延金刚石膜的生长．金刚石膜是由微波等离子体CVD法制备的。实验结果表明核化密度对Si（100）上异质外延金刚石膜生长有重要的影响．过低或过高的核化密度都不可能形成异质外延金刚石膜。

金刚石薄膜的制备研究综述

金刚石薄膜具有优异的物理化学性质,在耐磨涂层、生物医学、薄膜微传感器、微机电系统等诸多领域有着广阔的应用前景。文章综述了近年来在金刚石薄膜领域研究的最新进展,着重介绍了目前主流的金刚石薄膜制备方法及优缺点,阐述了薄膜的生长机理以及提高金刚石薄膜沉积速率和质量的技术方法,为该领域的研究人员提供参考。