结构应用的CVD钨和钨—铼合金

研究了ＣＶＤ钨和钨－铼合金的显微组织，估价了它们作为高温材料的适用性。我们发现反应室的分压影响了沉积纯钨和钨－铼合金的显微组织和表面粗糙度。沉积纯钨和钨－铼合金的晶粒度都在０．５ｕｍ以下。实验证明，细晶粒钨的硬度（Ｈｖ〉１０００，室温（Ｒ．Ｔ）、弯曲强度（Ｒ．Ｔ￣１１７５Ｋ，δ＝７００￣１２３０ＭＰａ）和线性热膨胀系数（５７５￣１１７５Ｋ，β＝４．５￣４．９×１０＾－６Ｋ＾－１）比柱状结构钨大。

钨丝-CVD钨复合材料制备及性能分析

采用自制实验装置,通过化学气相沉积钨过程中间断缠绕钨丝,得到钨丝-CVD钨复合材料。测试分析了材料的密度、成分及显微硬度;通过压溃试验计算出钨复合材料的压溃强度,通过拉伸试验和三点弯曲试验分别绘出拉伸和弯曲曲线。实验结果表明,化学反应温度控制在550℃,WF6和H2流量分别控制在2 g/min和1 L/min时,可得到没有孔洞的致密涂层。与相同工艺条件下不缠钨丝CVD钨样品相比,钨丝-CVD钨复合材料仍具有较高的纯度、致密度,显微硬度大致相同,而压溃强度、抗拉强度和抗弯强度大大提高。

β-W对CVD钨材料压缩性能的影响(英文)

采用冷壁化学气相沉积系统,利用H2还原WF6工艺,在纯铜管表面制备获得了高纯钨材料。在440°C沉积温度下,得到具有混合相的钨管,其压缩性能远低于在540°C条件下得到的只具有α相的钨管。由此表明,β-W的出现极大地降低了钨管的压缩性能。在400°C条件下,对具有混合相的钨管进行1h保护气氛退火后,钨管材料中的β相消失,同时其压缩性能与只具有α相的沉积态钨管相近。

晶粒尺寸对CVD钨在800℃下氧化行为的影响

化学气相沉积法(CVD)制备的金属纯钨在不同表面存在较大的晶粒尺寸差异。从氧化膜层的成长规律、相组成及微观结构方面,研究了在干燥空气、800℃下晶粒尺寸对CVD钨高温氧化行为的影响。结果表明:不同表面氧化膜层厚度的差异是由于细晶粒纯钨在氧化时能更快地形成氧化膜,促进生成连续致密的氧化膜,提高了钨的抗氧化性能,晶粒尺寸对钨的氧化行为影响是正效应。随着细晶区的钨全部被氧化,此时表面和顶面的晶粒尺寸相同,底面和顶面的氧化速率趋于一致,此外,沉积层的氧化速率由于边缘效应的影响而明显增加。