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人工神经网络用于炭/炭复合材料CVDSiC涂层的研究 被引量:5
1
作者 李贺军 徐志淮 《炭素技术》 CAS CSCD 1999年第2期17-20,共4页
炭/炭复合材料抗氧化涂层是该材料可否用于高温结构件的关键。将人工神经网络用于CVDSiC抗氧化涂层的建模,试图解决该过程影响因素复杂、数学模型难于建立、无法对整个过程进行有效预测和控制的问题。初步探讨表明,采用人工神... 炭/炭复合材料抗氧化涂层是该材料可否用于高温结构件的关键。将人工神经网络用于CVDSiC抗氧化涂层的建模,试图解决该过程影响因素复杂、数学模型难于建立、无法对整个过程进行有效预测和控制的问题。初步探讨表明,采用人工神经网络建模,可以比较确切与全面地反映CVDSiC涂层过程的影响因素和内在规律,预测的工艺参数与沉积速率的关系同实验结果吻合较好。 展开更多
关键词 化学气相沉积 神经网络 涂层 炭/炭复合材料 CVD
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CVDSiC先驱体的研究进展
2
作者 李斌 张长瑞 胡海峰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F05期363-365,共3页
从CVD法制备SiC的传统先驱体的缺陷和不足出发,较详细地介绍了目前常用的先驱体体系及先驱体的发展趋势,并归纳新型先驱体应具备的特点。
关键词 SIC CVD 先驱体
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工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO_2/Si界面特性的影响
3
作者 谢茂浓 杜开瑛 刘玉荣 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期172-175,共4页
采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光(VUV)直接光CVDSiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明:衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面态密度ΔNst的影响比... 采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光(VUV)直接光CVDSiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明:衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面态密度ΔNst的影响比反应室总气压Pc和SiH2/O2分压比显著。ΔNot和ΔNst在110°C附近有极小值,大小为1010cm-2量级。Ts>120°C,ΔNot呈正电荷性,Ts<110°C,ΔNot呈负电荷性。Si-O-Si伸缩振动吸收峰位在1060~1080cm-2间,随Ts的减少而增加。 展开更多
关键词 光CVD 半导体 光化学汽相淀积
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光 CVDSiO_2钝化膜在红外探测器中的应用
4
作者 程开富 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期79-84,90,共7页
本文评述了光 CVD SiO_2钝化膜的原理和方法,介绍了在50~300℃温度下,在 Si、InSb 和 HgCdTe 晶片上光 CVD SiO_2钝化膜。讨论了膜的淀积条件和性质以及光 CVDSiO_2钝化膜在 InSb、HgCdTc 红外探测器中的应用。
关键词 光CVD SIO2膜 红外探测器
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CVDSnO_2薄膜吸附的XPS研究 被引量:1
5
作者 吴孙桃 沈 华 +1 位作者 徐富春 蔡玉霜 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1994年第5期610-613,共4页
利用XPS方法,分析四种由不同CVD温度(250~550℃)淀积在n-Si衬底上形成异质结的SnO_2透明多晶薄膜的表面.定性和半定量分析表明,表面存在三种氧物种,在加热吸附H_2前后,相对含量发生变化,变化大小与制... 利用XPS方法,分析四种由不同CVD温度(250~550℃)淀积在n-Si衬底上形成异质结的SnO_2透明多晶薄膜的表面.定性和半定量分析表明,表面存在三种氧物种,在加热吸附H_2前后,相对含量发生变化,变化大小与制备温度有关.根据实验结果和分析,研究薄膜H_2吸附机理,讨论SnO_2薄膜的气敏与SnO_2/n-Si异质结光伏的关系以及制备温度对薄膜吸附反应性能的影响. 展开更多
关键词 薄膜 XPS 吸附 二氧化锡 CVD
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Nanomaterials based flexible devices for monitoring and treatment of cardiovascular diseases(CVDs)
6
作者 Zehua Xiang Mengdi Han Haixia Zhang 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2023年第3期3939-3955,共17页
Cardiovascular diseases(CVDs)are one of the most serious diseases threatening human health in the world.Therefore,effective monitoring and treatment of CVDs are urgently needed.Compared with traditional rigid devices,... Cardiovascular diseases(CVDs)are one of the most serious diseases threatening human health in the world.Therefore,effective monitoring and treatment of CVDs are urgently needed.Compared with traditional rigid devices,nanomaterials based flexible devices open up new opportunities for further development beneficial from the unique properties of nanomaterials which contribute to excellent performance to better prevent and treat CVDs.This review summarizes recent advances of nanomaterials based flexible devices for the monitoring and treatment of CVDs.First,we review the outstanding characteristics of nanomaterials.Next,we introduce flexible devices based on nanomaterials for practical use in CVDs including in vivo,ex vivo,and in vitro methods.At last,we make a conclusion and discuss the further development needed for nanomaterials and monitoring and treatment devices to better care CVDs. 展开更多
关键词 cardiovascular diseases(cvds) MONITORING treatment NANOMATERIALS flexible devices
原文传递
C-H-F氛围下金刚石薄膜的低温CVD生长过程分析
7
作者 简小刚 梁晓伟 +4 位作者 姚文山 张毅 张斌华 陈哲 陈茂林 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第1期15-21,共7页
基于第一性原理的密度泛函理论对C-H-F氛围下低温CVD金刚石薄膜的生长过程进行仿真分析,计算H、F原子在氢终止金刚石表面发生萃取反应的吸附能、反应热与反应能垒,并分析CF_(3)、CF_(2)、CF 3种生长基团在带有活性位点基底上的吸附。结... 基于第一性原理的密度泛函理论对C-H-F氛围下低温CVD金刚石薄膜的生长过程进行仿真分析,计算H、F原子在氢终止金刚石表面发生萃取反应的吸附能、反应热与反应能垒,并分析CF_(3)、CF_(2)、CF 3种生长基团在带有活性位点基底上的吸附。结果表明:与H原子相比,F原子更容易在氢终止金刚石表面萃出H,并以HF形式脱附,且在C-H-F氛围下有利于在低温时产生更多的活性位点;CF_(3)、CF_(2)、CF基团在吸附后的结构和吸附能绝对值都更有利于金刚石相的生成,适当提高CF_(3)、CF_(2)、CF基团的浓度有助于实现金刚石相的更高速率生长。 展开更多
关键词 CVD金刚石薄膜 沉积机制 第一性原理 吸附 表面化学反应
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化学气相沉积SiC涂层反应特性及沉积过程的模拟研究
8
作者 高恒蛟 曹生珠 +6 位作者 张凯锋 丁旭 刘同 李毅 李坤 成功 熊玉卿 《真空与低温》 2024年第1期98-104,共7页
借助基于有限元原理的COMSOL软件和分子动力学模拟原理的Reax FF软件对化学气相沉积技术制备SiC涂层的反应特性及沉积过程进行模拟研究,为高温抗氧化复合涂层体系中SiC中间层的工艺优化及制备提供理论支持。结果表明,化学气相沉积SiC涂... 借助基于有限元原理的COMSOL软件和分子动力学模拟原理的Reax FF软件对化学气相沉积技术制备SiC涂层的反应特性及沉积过程进行模拟研究,为高温抗氧化复合涂层体系中SiC中间层的工艺优化及制备提供理论支持。结果表明,化学气相沉积SiC涂层过程包括前驱体三氯甲基硅烷(CH_(3)SiCl_(3))的扩散过程和热解反应过程,SiC涂层在扩散过程不会生长,仅从10^(−4)s后的热解反应过程开始生长,沉积生长过程同时伴随涂层的解离。随着入射粒子能量的增大,单位时间内沉积到基底表面的Si和C粒子数不断增加。提高粒子入射能量有利于提高SiC涂层的致密度,当入射粒子能量大于2 eV时可以实现SiC涂层的均匀生长,而当入射能量高于6 eV时,解离的Si和C粒子数量增大,不利于SiC涂层的生长。综合而言,当入射能量为3 eV时,化学气相沉积的SiC涂层综合性能最佳。 展开更多
关键词 CVD SIC涂层 反应特性 生长过程 入射能量
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金刚石—终极半导体的“破茧”之路
9
作者 高旭辉 《科学咨询》 2024年第9期240-243,共4页
半导体行业是当今世界科技创新的重要驱动力,也是体现各国竞争力的重要标志。半导体材料作为半导体行业的核心,其性能的高低直接决定了半导体产业的技术水平。人造金刚石自问世以来,即以其优异的半导体特性,被赋予了“终极半导体”的美... 半导体行业是当今世界科技创新的重要驱动力,也是体现各国竞争力的重要标志。半导体材料作为半导体行业的核心,其性能的高低直接决定了半导体产业的技术水平。人造金刚石自问世以来,即以其优异的半导体特性,被赋予了“终极半导体”的美誉。然而,经过近半个世纪的发展,金刚石材料的半导体应用之路仍然是“路漫漫其修远兮”,既面临高质量金刚石半导体材料的生长加工难题,也有金刚石半导体器件设计的关键瓶颈等亟待攻克的技术难题。本文针对金刚石半导体在材料和器件方面的特性、潜在应用、主要研究进展,以及目前面临的一些瓶颈问题进行讨论。 展开更多
关键词 CVD 金刚石 半导体 合成 器件
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CVD金刚石纳秒激光烧蚀机理及抛光试验研究(内封面文章·特邀)
10
作者 张全利 许柏昕 +3 位作者 李嘉昊 刘建 吴明涛 傅玉灿 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第10期71-83,共13页
通过有限元仿真研究了激光入射角度对纳秒激光烧蚀CVD金刚石的表面创成过程影响,并结合纳秒激光烧蚀CVD金刚石的试验,探究了激光功率、激光入射倾角与光斑重叠率等参数对CVD金刚石表面形貌及表面粗糙度的影响,分析了表面损伤的形成机理... 通过有限元仿真研究了激光入射角度对纳秒激光烧蚀CVD金刚石的表面创成过程影响,并结合纳秒激光烧蚀CVD金刚石的试验,探究了激光功率、激光入射倾角与光斑重叠率等参数对CVD金刚石表面形貌及表面粗糙度的影响,分析了表面损伤的形成机理。在一定激光功率下,激光入射倾角增大会明显减轻加工表面的陷光效应,从而获得更加均匀的表面形貌。激光烧蚀CVD金刚石表面以沟槽、裂纹等为主要表面损伤特征,通过优化激光加工参数抑制了材料的表面损伤,降低了材料的表面粗糙度数值,实现了基于纳秒激光入射角度和扫描轨迹控制的CVD金刚石均匀抛光去除。 展开更多
关键词 纳秒激光烧蚀 表面粗糙度 激光抛光 CVD金刚石
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Mist CVD生长的雾滴迁移与早期沉积研究
11
作者 吴诗颖 陈琳 +2 位作者 蒋少清 郭方正 陶志阔 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第4期454-460,467,共8页
第三代半导体材料α-Ga_(2)O_(3)因其超宽带隙(5.3 eV)和超高巴利加优值(6726)在制造高功率器件等电子器件方面更具优势。在α-Ga_(2)O_(3)的诸多生长方法中,Mist CVD简化了前体输运,是亚稳相薄膜较有前景的生长技术。针对早期雾滴分布... 第三代半导体材料α-Ga_(2)O_(3)因其超宽带隙(5.3 eV)和超高巴利加优值(6726)在制造高功率器件等电子器件方面更具优势。在α-Ga_(2)O_(3)的诸多生长方法中,Mist CVD简化了前体输运,是亚稳相薄膜较有前景的生长技术。针对早期雾滴分布会制约薄膜质量的问题,使用计算流体力学(CFD)对α-Ga_(2)O_(3)的水平热壁Mist CVD系统进行了多相流反应的瞬态数值仿真研究。基于雾滴迁移与气化模型,研究影响雾滴蒸发时间的因素,解释了雾滴迁移长度对初始外延质量和平均生长速率的作用。在影响α-Ga_(2)O_(3)薄膜生长分布的诸多变量中,对衬底温度、衬底位置及衬底角度等关键参数进行了优化。结果表明,26.5°的衬底角度、距离出口78 cm的衬底位置和550℃的衬底温度具有较好的雾滴迁移分布,是有利于薄膜成核生长的优化条件,为实际生长与制备提供生长参数。 展开更多
关键词 α-Ga_(2)O_(3) Mist CVD 雾滴 蒸发时间 平均生长速率 均匀性
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乌鲁木齐市35~75岁体检人群心血管病高危预测模型的建立与验证
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作者 马思懿 邹媛 +2 位作者 苏比德·阿力木江 韩雷 刘波 《新疆医科大学学报》 CAS 2024年第9期1312-1320,共9页
目的了解乌鲁木齐市35~75岁体检人群心血管病(CVD)高危人群检出情况并建立多因素Logistic回归模型与决策树模型预测CVD高危人群,对比分析模型预测效果及准确率,为CVD的预防控制提供参考依据。方法于2023年6月-2024年1月采用便利抽样方... 目的了解乌鲁木齐市35~75岁体检人群心血管病(CVD)高危人群检出情况并建立多因素Logistic回归模型与决策树模型预测CVD高危人群,对比分析模型预测效果及准确率,为CVD的预防控制提供参考依据。方法于2023年6月-2024年1月采用便利抽样方法在乌鲁木齐市某三甲医院体检中心抽取40364名35~75岁体检者进行问卷调查和体格检查,分析CVD高危人群检出情况;应用多因素Logistic回归分析方法以及决策树模型建立CVD高危预测模型,并对模型的预测效果和准确性进行比较和分析。结果40364名35~75岁体检人群中,检出CVD高危人群10858名,CVD高危人群检出率为26.9%。多因素Logistic回归分析结果显示,年龄>40岁、商业服务业、退(离)休人员、吸烟、饮食中肉食摄入过多或过少是35~75岁体检人群CVD高危人群检出的危险因素。女性、初高中以上文化程度、专业技术人员、办事人员或职员、农林牧渔生产人员以及生产运输设备操作工人、每周运动1次及以上是乌鲁木齐市35~75岁体检人群CVD高危人群检出的保护因素。CVD高危人群体质指数、收缩压、舒张压、臀围、腰围、空腹血糖、总胆固醇、甘油三酯、高密度脂蛋白和低密度脂蛋白胆固醇中除高密度脂蛋白低于非高危人群外,其余均高于非高危人群,差异有统计学意义(均P<0.001)。以人口学特征(年龄、吸烟习惯、饮食习惯)和体检指标(收缩压、舒张压、空腹血糖、丙氨酸氨基转移酶、门冬氨酸氨基转移酶、总胆固醇、甘油三酯、高密度脂蛋白、低密度脂蛋白)为自变量,通过多因素Logistic回归以及决策树模型建立CVD高危预测模型,两个模型均具有较好的预测准确率,多因素Logistic回归模型与决策树模型的AUC值均为0.867(95%CI=0.864~0.871,P<0.001)。结论乌鲁木齐市35~75岁体检人群CVD高危人群检出率相对较高。构建的多因素Logistic回归模型以及可视化的决策树模型均具有较好的预测效果。可以预测个体未来成为心血管病高危人群的可能性,为识别CVD高危人群提供了筛查工具,对推进心血管疾病的零级预防有一定的指导作用。 展开更多
关键词 心血管病(CVD) 高危人群 决策树
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Machine Learning-Based Decision-Making Mechanism for Risk Assessment of Cardiovascular Disease 被引量:1
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作者 Cheng Wang Haoran Zhu Congjun Rao 《Computer Modeling in Engineering & Sciences》 SCIE EI 2024年第1期691-718,共28页
Cardiovascular disease(CVD)has gradually become one of the main causes of harm to the life and health of residents.Exploring the influencing factors and risk assessment methods of CVD has become a general trend.In thi... Cardiovascular disease(CVD)has gradually become one of the main causes of harm to the life and health of residents.Exploring the influencing factors and risk assessment methods of CVD has become a general trend.In this paper,a machine learning-based decision-making mechanism for risk assessment of CVD is designed.In this mechanism,the logistics regression analysismethod and factor analysismodel are used to select age,obesity degree,blood pressure,blood fat,blood sugar,smoking status,drinking status,and exercise status as the main pathogenic factors of CVD,and an index systemof risk assessment for CVD is established.Then,a two-stage model combining K-means cluster analysis and random forest(RF)is proposed to evaluate and predict the risk of CVD,and the predicted results are compared with the methods of Bayesian discrimination,K-means cluster analysis and RF.The results show that thepredictioneffect of theproposedtwo-stagemodel is better than that of the comparedmethods.Moreover,several suggestions for the government,the medical industry and the public are provided based on the research results. 展开更多
关键词 CVD influencing factors risk assessment machine learning two-stage model
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常用衬底材料的宽谱太赫兹透射特性研究
14
作者 李恩恩 王天武 方广有 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1455-1461,共7页
宽谱透射式太赫兹时域光谱技术在材料载流子动力学、指纹谱识别等研究领域中有着重要作用。由于低维材料需要衬底的支撑,在太赫兹波与低维材料相互作用的研究中衬底的透射特性十分重要。为了研究不同衬底材料在太赫兹波段的光学特性,首... 宽谱透射式太赫兹时域光谱技术在材料载流子动力学、指纹谱识别等研究领域中有着重要作用。由于低维材料需要衬底的支撑,在太赫兹波与低维材料相互作用的研究中衬底的透射特性十分重要。为了研究不同衬底材料在太赫兹波段的光学特性,首先测试了三种常见的衬底材料的太赫兹透射信号,然后在有效频谱范围内计算各自的折射率和吸收系数。结果表明,CVD金刚石在1 THz~18 THz频率范围内保持较小色散特性的折射率和吸收系数(小于10 cm^(-1)),因此非常适合用于宽谱太赫兹时域系统,而熔融石英和氧化镁晶体在宽谱太赫兹波段色散较为严重,透射时域信号出现较大展宽,仅适用于低频范围内(小于3 THz)的太赫兹时域光谱系统研究。该结果为基于宽谱太赫兹时域光谱技术的研究提供重要的参考。 展开更多
关键词 太赫兹时域光谱 CVD金刚石 熔融石英 氧化镁晶体 色散 透射特性
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二维单晶WO2微纳米片的制备及光电特性研究
15
作者 胡馨月 刘俊 +1 位作者 张娇 李梦轲 《材料科学》 2024年第3期250-259,共10页
本文利用WSe2辅助化学气相沉积(CVD)方法,开展了大尺度二维单晶WO2微纳米片的低温制备工艺研究,分析了生长时间、温度、WO3和WSe2粉末质量比对单晶WO2微纳米片的形貌、结构及生长尺度等特性的影响。光学显微镜和扫描电镜分析表明,合成... 本文利用WSe2辅助化学气相沉积(CVD)方法,开展了大尺度二维单晶WO2微纳米片的低温制备工艺研究,分析了生长时间、温度、WO3和WSe2粉末质量比对单晶WO2微纳米片的形貌、结构及生长尺度等特性的影响。光学显微镜和扫描电镜分析表明,合成的单晶WO2微纳米板具有良好的多面菱形几何结构,横向尺寸可达几微米至几十微米,厚度为几个nm到十几个nm。同时,制备出的二维单晶WO2微纳米片表面平整光滑,边界清晰,厚度均匀,还具有一定的透光性。研究发现,最佳的制备参数为管式炉中心温度为1300℃,生长时间为30 min,WO3和WSe2粉末质量比为4:1。对二维单晶WO2微纳米片的I-V特性及光电响应特性测试发现,二维单晶WO2微纳米片的导电类型呈现出明显的金属特性,并对辐照光源亮度的变化表现出较好的光响应特性。 展开更多
关键词 WO2 WSe2 CVD 微纳米片
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新型CVD金刚石涂层刀具铣削高性能各向同性石墨研究
16
作者 余浚哲 邓福铭 +4 位作者 邓雯丽 陈孝洲 邢晓天 刘子逸 李灿 《硬质合金》 CAS 2024年第2期133-139,共7页
利用自主研发的新型CVD金刚石复合涂层刀具对自行研制的高密高强各向同性石墨材料进行了铣削加工试验,对比测试了新型CVD金刚石复合涂层刀具与PCD刀具的切削性能。试验结果表明,PCD刀具铣削加工25min其后刀面磨损已超过磨钝标准0.3 mm,... 利用自主研发的新型CVD金刚石复合涂层刀具对自行研制的高密高强各向同性石墨材料进行了铣削加工试验,对比测试了新型CVD金刚石复合涂层刀具与PCD刀具的切削性能。试验结果表明,PCD刀具铣削加工25min其后刀面磨损已超过磨钝标准0.3 mm,新型CVD金刚石复合涂层刀具加工到45 min时,其后刀面磨损量仅为0.25 mm,这说明新型CVD金刚石复合涂层刀具高速铣削石墨时表现出良好的耐磨性和使用寿命,可以适应高性能各向同性石墨的加工需求。铣削加工试验还发现新型CVD金刚石复合涂层刀具加工的石墨表面质量在初期不如PCD刀具,但在更长时间加工情况下,其加工表面质量优于PCD刀具。 展开更多
关键词 CVD金刚石复合涂层刀具 聚晶金刚石刀具 各向同性 石墨 高速铣削
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中国超硬材料合成装备技术发展路径综述
17
作者 刘建设 汪曙光 +4 位作者 王良文 谢贵重 鲁新如 钟顺伟 冯虎成 《超硬材料工程》 CAS 2024年第1期41-49,共9页
随着自动化技术、液压技术、机械设计制造工艺水平的发展和普及,国内超硬材料合成装备技术发展迅速。文章主要介绍了超硬材料的主要合成装备技术的发展情况,以及各自的特点和应用范围,特别肯定了无缸锻造压机和MPCVD装备的发展。文章指... 随着自动化技术、液压技术、机械设计制造工艺水平的发展和普及,国内超硬材料合成装备技术发展迅速。文章主要介绍了超硬材料的主要合成装备技术的发展情况,以及各自的特点和应用范围,特别肯定了无缸锻造压机和MPCVD装备的发展。文章指出:六面顶压机仍然是国内的主流合成设备,CVD沉积炉在现阶段可作为补充设备。HPHT装备技术日渐成熟,CVD相关技术装备已有产业化,但仍有很多方面处在研发阶段,成长潜力值得期待。 展开更多
关键词 六面顶压机 无缸锻造压机 CVD沉积炉 MPCVD 超硬材料
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Impact of strain relaxation on the growth rate of heteroepitaxial germanium tin binary alloy
18
作者 Pedram Jahandar Maksym Myronov 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第10期35-41,共7页
The growth of high-quality germanium tin(Ge_(1–y)Sn_(y))binary alloys on a Si substrate using chemical vapor deposition(CVD)techniques holds immense potential for advancing electronics and optoelectronics application... The growth of high-quality germanium tin(Ge_(1–y)Sn_(y))binary alloys on a Si substrate using chemical vapor deposition(CVD)techniques holds immense potential for advancing electronics and optoelectronics applications,including the development of efficient and low-cost mid-infrared detectors and light sources.However,achieving precise control over the Sn concentration and strain relaxation of the Ge_(1–y)Sn_(y)epilayer,which directly influence its optical and electrical properties,remain a significant challenge.In this research,the effect of strain relaxation on the growth rate of Ge_(1–y)Sn_(y)epilayers,with Sn concentration>11at.%,is investigated.It is successfully demonstrated that the growth rate slows down by~55%due to strain relaxation after passing its critical thickness,which suggests a reduction in the incorporation of Ge into Ge_(1–y)Sn_(y)growing layers.Despite the increase in Sn concentration as a result of the decrease in the growth rate,it has been found that the Sn incorporation rate into Ge_(1–y)Sn_(y)growing layers has also decreased due to strain relaxation.Such valuable insights could offer a foundation for the development of innovative growth techniques aimed at achieving high-quality Ge_(1–y)Sn_(y)epilayers with tuned Sn concentration and strain relaxation. 展开更多
关键词 GeSn germanium tin strain relaxation groupⅣsemiconductor chemical vapour deposition CVD
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Fabrication of Graphene/Cu Composite by Chemical Vapor Deposition and Effects of Graphene Layers on Resultant Electrical Conductivity
19
作者 Xinyue Liu Yaling Huang +2 位作者 Yuyao Li Jie Liu Quanfang Chen 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 CAS 2024年第1期16-25,共10页
Graphene(Gr)has unique properties including high electrical conductivity;Thus,graphene/copper(Gr/Cu)composites have attracted increasing attention to replace traditional Cu for electrical applications. However,the pro... Graphene(Gr)has unique properties including high electrical conductivity;Thus,graphene/copper(Gr/Cu)composites have attracted increasing attention to replace traditional Cu for electrical applications. However,the problem of how to control graphene to form desired Gr/Cu composite is not well solved. This paper aims at exploring the best parameters for preparing graphene with different layers on Cu foil by chemical vapor deposition(CVD)method and studying the effects of different layers graphene on Gr/Cu composite’s electrical conductivity. Graphene grown on single-sided and double-sided copper was prepared for Gr/Cu and Gr/Cu/Gr composites. The resultant electrical conductivity of Gr/Cu composites increased with decreasing graphene layers and increasing graphene volume fraction. The Gr/Cu/Gr composite with monolayer graphene owns volume fraction of less than 0.002%,producing the best electrical conductivity up to59.8 ×10^(6)S/m,equivalent to 104.5% IACS and 105.3% pure Cu foil. 展开更多
关键词 chemical vapor deposition(CVD) Gr/Cu Gr/Cu/Gr graphene layers graphene volume fraction electrical conductivity
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TaTe2/WS2二维异质结的制备及光电性能表征
20
作者 罗海力 《材料科学》 2024年第6期966-974,共9页
二维材料异质结构由于其优异的物理化学性质引起了人们的广泛研究,从机械剥离石墨烯以来,制备二维异质结的各种方法层出不穷。在这里,我们介绍了一种无污染,快速,便捷的半湿法PDMS辅助聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和聚乙烯醇(PVA)快速转移搭建Ta... 二维材料异质结构由于其优异的物理化学性质引起了人们的广泛研究,从机械剥离石墨烯以来,制备二维异质结的各种方法层出不穷。在这里,我们介绍了一种无污染,快速,便捷的半湿法PDMS辅助聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和聚乙烯醇(PVA)快速转移搭建TaTe2/WS2异质结的方法。光学显微镜、拉曼光谱、光致发光光谱和旋光圆偏泵浦表明单层WS2到TaTe2之间主要为能量转移。更为重要的是基于异质结构的光电探测器在415 nm入射光下的响应率和超高探测率分别为9 A/W,1.73 × 1012 Jones。我们的研究可能为快速制备异质结提供了一种新途径,由于TaTe2/WS2异质结光电探测器的超高探测率,证明其在光电领域的潜力。 展开更多
关键词 二维材料 CVD 单层WS2 TaTe2/WS2异质结 超快光谱
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