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宽接触区InGaAlP可见光激光二极管的大功率CW工作
1
作者
K.Itaya
杨文荣
《半导体情报》
1992年第1期51-52,共2页
已制出具有防反射涂层和高反射涂层的宽接触区InGaAlP可见光激光二极管。在2℃热沉温度下可获得高于300mW的大功率CW工作。这个值相当于2.8mW/cm^2的光功率密度。输出功率高达100mW时,其远场图形呈现单波瓣形状。
关键词
激光
二极管
cw功率
INGAALP
下载PDF
职称材料
题名
宽接触区InGaAlP可见光激光二极管的大功率CW工作
1
作者
K.Itaya
杨文荣
出处
《半导体情报》
1992年第1期51-52,共2页
文摘
已制出具有防反射涂层和高反射涂层的宽接触区InGaAlP可见光激光二极管。在2℃热沉温度下可获得高于300mW的大功率CW工作。这个值相当于2.8mW/cm^2的光功率密度。输出功率高达100mW时,其远场图形呈现单波瓣形状。
关键词
激光
二极管
cw功率
INGAALP
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
宽接触区InGaAlP可见光激光二极管的大功率CW工作
K.Itaya
杨文荣
《半导体情报》
1992
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