半导体激光器列阵有源区电场随电流变化的定点测量

采用连续波电光检测法,对GaAs/GaAlAs双异质结激光器列阵有源区进行定点测量,实验结果反映了发光区内及发光区外电场随电流变化的不同规律。文中对实验结果给出了合理解释。

新型光电子光源器件电场分布特性测试研究

本文介绍了应用连续波电光检测法（ＣＷＥＯＰ）对ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结激光器及其列阵和发光管列阵电场分布进行扫描测量的结果，研究了这三种光源器件不同部位的电场分布和电力分布特点及列阵器件的发光均匀性。

GaAs／AlGaAs发光二极管列阵场分布特性的电光测量

应用一种新颖的无损伤测量技术－连续波电光检测法（ＣＷＥＯＰ）对ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单异质结发光管列阵电场分布进行了扫描测量．实验结果反映了器件内电流注入的方向和载流子扩展情况；通过比较各单元电场分布，反映器件发光均匀性．文中详细介绍了测量原理、实验装置和实验结果及讨论，最后用计算机对电场分布作了模拟计算并与实验结果进行了对照．

不同状态下激光器电场强度分布的电光检测与初步分析

连续波电光检测技术是近几年发展起来的测量光电材料及光电材料制备的器件的电特性的一种新型测量技术。它基于线性电光效应。采用连续波激光作为测量手段。 CW EOP技术已在GaAs,LiNbO_3等光电材料及器件的电场分布检测中得到实质性应用。采用CWEOP技术对半导体激光器内场分布电光检测的初步结果在文献[4]中已有报道,本文是对激光器在不同状态下进行场分布电光检测的更进一步探讨。

GaAs／GaAlAs激光器列阵有源区电场分布研究

用连续波电光检测法测量了激光器列阵发光区电场分布，并对其注入电流扩展作了模拟讨论。