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GaSb单晶的无泡沫熔融CZ生长
被引量：
1
1
作者
义仡
《电子材料快报》
1995年第9期7-8,共2页
关键词
GASB单晶
cz生长
激光器材料
单晶
生长
下载PDF
职称材料
CZ生长Si单晶中石墨件对径向杂质分布的影响
2
作者
徐玉忠
《电子材料快报》
1999年第1期11-12,共2页
关键词
cz生长
硅
单晶
石墨
径向杂质分布
下载PDF
职称材料
CZ生长Si单晶中石墨件对径向杂质分布的影响
3
作者
徐玉忠
《电子材料快报》
1999年第2期14-15,共2页
关键词
cz生长
硅
单晶
石墨
径向杂质分布
下载PDF
职称材料
CZ法生长GeSi合金引晶过程中的偏析
4
作者
苏宇欢
《电子材料快报》
1999年第3期13-14,共2页
关键词
cz
法
生长
硫化锗
合金
引晶过程
下载PDF
职称材料
题名
GaSb单晶的无泡沫熔融CZ生长
被引量：
1
1
作者
义仡
出处
《电子材料快报》
1995年第9期7-8,共2页
关键词
GASB单晶
cz生长
激光器材料
单晶
生长
分类号
TN244 [电子电信—物理电子学]
O78 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
CZ生长Si单晶中石墨件对径向杂质分布的影响
2
作者
徐玉忠
出处
《电子材料快报》
1999年第1期11-12,共2页
关键词
cz生长
硅
单晶
石墨
径向杂质分布
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
CZ生长Si单晶中石墨件对径向杂质分布的影响
3
作者
徐玉忠
出处
《电子材料快报》
1999年第2期14-15,共2页
关键词
cz生长
硅
单晶
石墨
径向杂质分布
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
CZ法生长GeSi合金引晶过程中的偏析
4
作者
苏宇欢
出处
《电子材料快报》
1999年第3期13-14,共2页
关键词
cz
法
生长
硫化锗
合金
引晶过程
分类号
TG13 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaSb单晶的无泡沫熔融CZ生长
义仡
《电子材料快报》
1995
1
下载PDF
职称材料
2
CZ生长Si单晶中石墨件对径向杂质分布的影响
徐玉忠
《电子材料快报》
1999
0
下载PDF
职称材料
3
CZ生长Si单晶中石墨件对径向杂质分布的影响
徐玉忠
《电子材料快报》
1999
0
下载PDF
职称材料
4
CZ法生长GeSi合金引晶过程中的偏析
苏宇欢
《电子材料快报》
1999
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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