CZ硅单晶中旋涡缺陷对低频大功率管制造的影响

CZ硅晶片中的旋涡缺陷在器件制造的热循环过程中 ,会转化成体内杆状层错 ,且易集结在发射结对应下方的基区和集电结附近 ,从而导致 EB结和 CB结的软击穿现象进行了研究 ,并采取了适当措施 。

掺锗对CZ法掺镓单晶硅电池片的效率影响

研究了CZ法单晶硅的能级改进对电池片效率的影响。在试验结论的基础上得出:对于单晶硅衬底的电池片,掺锗对单晶硅电池片的效率产生极大的影响。