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大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展 被引量：1
1
作者 乔治 刘彩池 +1 位作者 史严 张彦立 《河北工业大学学报》 CAS 2005年第6期43-46,共4页
概要介绍了近年来国内外对大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展,详细阐述了COPs、LSTDs和FPDs3种空洞型原生缺陷的基本性质、形成过程以及3种消除空洞型缺陷的方法.研究表明,利用高温快速退火(RTA)消除空洞型原生缺陷,是一种简单而... 概要介绍了近年来国内外对大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展,详细阐述了COPs、LSTDs和FPDs3种空洞型原生缺陷的基本性质、形成过程以及3种消除空洞型缺陷的方法.研究表明,利用高温快速退火(RTA)消除空洞型原生缺陷,是一种简单而有效的方法. 展开更多
关键词 集成电路 cz-si单晶 大直径 空洞型原生缺陷 快速退火
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含氮CZ-Si中N-N对的退火行为
2
作者 祁明维 谭淞生 +6 位作者 朱斌 蔡培新 顾为芳 许学敏 施天生 阙端麟 李立本 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期218-223,共6页
我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始产生沉淀.我们还发现450℃预处理可加速在高温时氮的沉淀速率.... 我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始产生沉淀.我们还发现450℃预处理可加速在高温时氮的沉淀速率.本文对上述实验结果给予详细的讨论. 展开更多
关键词 cz-si单晶 N-N对 退火
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