NTDCZSi中与氧有关的PL谱

中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0.76～1.000eV范围出现了PL峰,而非中照的CZSi在相同条件下退火却没有检测出明显的PL峰.本文与已发表过的文献进行了比较,初步认定本实验条件下出现的0.896eV、0.765eV、0.909eV、0.773eV是中照硅退火时由于产生了氧沉淀及其衍生的二次缺陷引入的深能级缺陷PL峰.

CZSi中Ge增强氧外扩散现象

在退火处理时，Ｇｅ 易与Ｓｉ 中Ｏ 形成易挥发的ＧｅＯ 复合体，使硅片表面洁净区的形成受氧的外扩散和ＧｅＯ 挥发两种因素制约。即从效果上看，Ｇｅ 增强了氧的外扩散。

掺锗CZSi中光致发光谱的研究

本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅（ＣＺＳｉ）在温度３５０℃～５５０℃等时退火后的光致发光谱（ＰＬ谱）。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激发峰强度增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。实验也表明：随着退火温度的升高，在ＰＬ谱的低能端出现了新的激发峰，锗的存在推迟和抑制了新的激发峰的产生；与不掺锗的直拉硅相比，锗并没有在硅中引入新的深能级。

MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究

用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950℃退火后空穴浓度达到 5×1017cm-3以上,电阻率降到2 5Ω·cm;(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为 4′;室温 PL谱中发光峰位于2 85eV处,退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上,表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活.

掺钼氧化锌薄膜的发光特性

使用磁控溅射法在石英基底上制备钼掺杂氧化锌薄膜。扫描电镜结果表明薄膜由晶粒大小为40～80 nm范围内的颗粒组成,薄膜具有六方纤锌矿型结构且沿c轴择优取向生长。在可见光范围(400～760 nm)内所有薄膜的平均光透射率超过90%。退火薄膜的光致发光(PL)光谱表明,退火处理对发光峰的位置有很大影响,随着退火温度的增加,发光峰位置从380 nm红移至400 nm或从470 nm红移至525 nm。此外,钼掺杂对退火薄膜PL光谱的强度影响很大。我们认为,薄膜中缺陷浓度的变化是导致发光峰红移的主要原因,讨论了PL谱中不同的可见光的发光机制。

不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光

究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同 Mg掺杂浓度的 Ga N样品薄膜 ,经不同温度退火处理后的发光特性 .实验发现随着退火温度的升高 ,不同掺杂浓度的 Mg∶ Ga N材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小 ,经 85 0℃退火后蓝带集中在 2 .92 e V附近 .利用 Mg∶ Ga N材料内部补偿模型对此现象进行了分析 ,同时认为对于掺杂浓度较高的样品 ,85 0℃为最佳的退火温度 .

低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响

采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O2气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h。用X射线衍射(XRD)仪、荧光光谱仪以及Van der Pauw方法测量ZnO:Ag薄膜的结构和光电学性质。结果表明,ZnO:Ag薄膜为多晶结构,且随着退火温度的升高,样品的结晶性能不断提高,晶粒尺寸从500℃的12.37 nm增加到800℃的32.36 nm;光致发光(PL)谱的紫外发射峰随着退火温度的增加向短波方向移动;薄膜的载流子浓度随退火温度升高而单调增加,电阻率则降低;迁移率的变化较为复杂,500℃退火的样品迁移率达到最大值58.80 cm2/Vs,800℃样品的最低为3.16 cm2/Vs。