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Crystal growth of CZT and its properties for the application in X-ray and γ-ray detectors
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作者 JIE Wan-qi (Northwestern Polytechmical University,Xi’an 710072,China) 《功能材料信息》 2007年第5期62-,共1页
The paper reports the recent achievement of the research on CZT for the application of X-ray andγ-ray detectors in Northwestern Polytechnical University.The crystals of both un-doped and In doped were grown with a se... The paper reports the recent achievement of the research on CZT for the application of X-ray andγ-ray detectors in Northwestern Polytechnical University.The crystals of both un-doped and In doped were grown with a self-designed Bridgman furnace.The microstructure analyses show that the crystals possess high crystallinity.Through In doping,the electronic properties were greatly improved and as high as 5×10^(10)Ωcm resistivity was obtained.The detectors produced with our crystal exhibits high resolutions o... 展开更多
关键词 czt crystal growth microstructure analyses un-doped doped
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碲锌镉晶体生长温度梯度与界面形状稳定性关系的研究
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作者 曹聪 刘江高 +4 位作者 范叶霞 李振兴 周振奇 马启司 牛佳佳 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期641-648,共8页
碲锌镉晶体被广泛用作红外探测器碲镉汞薄膜的外延衬底和制造室温核辐射探测器。在晶体生长过程中,界面形状与热量传输状态密切相关。本文结合数值模拟技术控制碲锌镉晶体生长过程中温度场分布,设计了垂直布里奇曼法和垂直温度梯度凝固... 碲锌镉晶体被广泛用作红外探测器碲镉汞薄膜的外延衬底和制造室温核辐射探测器。在晶体生长过程中,界面形状与热量传输状态密切相关。本文结合数值模拟技术控制碲锌镉晶体生长过程中温度场分布,设计了垂直布里奇曼法和垂直温度梯度凝固法微凸固液界面的晶体生长程序,并根据实际晶体生长实验,分析了晶体生长方法差异与碲锌镉晶体单晶率之间的关系。通过光致发光谱进行成分测试获得了碲锌镉晶体等径段纵截面中Zn值分布谱图,以研究固液界面温度场分布与晶体Zn值宏观偏析之间的关系。结果表明,在晶体生长过程中固液界面两侧温场梯度分布对界面的形状选择和稳定性有重要影响,更大的固相侧温度梯度有助于实现稳定的凸界面晶体生长,从而提高晶体成晶率。 展开更多
关键词 碲锌镉晶体 数值模拟 晶体生长 界面形状 界面稳定性 宏观偏析
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Au/p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究 被引量:1
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作者 李强 介万奇 +4 位作者 傅莉 汪晓芹 查钢强 曾冬梅 杨戈 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期669-672,659,共5页
对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度。用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agile... 对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度。用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进行CZT晶片的C-V特性测试,结果表明钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,减小了漏电流。主要原因是在CZT表面钝化生成的TeO2氧化层增加接触势垒高度,并减小了电荷因隧道效应而穿过氧化层的几率。 展开更多
关键词 czt晶体 PL谱 I-V特性 C-V特性
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CZTS基单晶颗粒薄膜太阳能电池研究进展 被引量:1
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作者 张军 廖峻 薛书文 《岭南师范学院学报》 2017年第6期35-43,共9页
叙述了CZTS基薄膜太阳能电池的研究现状,分析了熔盐法制备单晶颗粒的优势,对单晶颗粒薄膜太阳能电池的研究进行了综述,并对单晶颗粒薄膜太阳能电池的发展进行了展望.
关键词 cztS 单晶颗粒 薄膜 太阳能电池
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硫化退火温度对金属三靶顺序溅射CZTS薄膜性能的影响
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作者 刘仪柯 张坤 +3 位作者 唐雅琴 蒋良兴 刘芳洋 赖延清 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2018年第1期69-72,共4页
通过XRD及Raman物相分析、SEM形貌观察和EDS成分分析等方法研究了硫化退火温度对金属三靶顺序溅射铜锌锡硫(CZTS)薄膜性能的影响。结果表明,在一定温度范围内(500~580℃),随着温度的升高薄膜的结晶性能有变好的趋势,形貌也得到了改善。... 通过XRD及Raman物相分析、SEM形貌观察和EDS成分分析等方法研究了硫化退火温度对金属三靶顺序溅射铜锌锡硫(CZTS)薄膜性能的影响。结果表明,在一定温度范围内(500~580℃),随着温度的升高薄膜的结晶性能有变好的趋势,形貌也得到了改善。当温度达到600℃时,CZTS薄膜会发生分解反应,该分解反应不但导致薄膜结晶性能及形貌恶化,也造成了锡元素的损失。580℃条件下获得的薄膜各项性能俱佳,是最适合本实验体系的退火温度。 展开更多
关键词 硫化退火 退火温度 铜锌锡硫薄膜 结晶性能
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碲锌镉心脏专用SPECT的特性及其临床应用进展
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作者 陈瑶 刘小吉 +1 位作者 蔡敏 李思进 《中国医疗设备》 2023年第12期144-149,共6页
随着半导体探测器碲锌镉(Cadmium-Zinc-Telluride,CZT)心脏专用单光子发射计算机断层成像(Singlephoton EmissionComputed Tomography,SPECT),即CZT-SPECT的出现,核医学在仪器设备上的发展有了新的突破,以性质稳定的CZT半导体材料直接... 随着半导体探测器碲锌镉(Cadmium-Zinc-Telluride,CZT)心脏专用单光子发射计算机断层成像(Singlephoton EmissionComputed Tomography,SPECT),即CZT-SPECT的出现,核医学在仪器设备上的发展有了新的突破,以性质稳定的CZT半导体材料直接取代传统的NaI晶体和光电倍增管。CZT半导体组织密度大、原子序数高,因此对SPECT能量探测范围内的光子具有极高的捕获能力,且具有优异的光电性能,是目前γ射线探测器最为理想的半导体材料。技术上的优势有望为CZT-SPECT的临床应用带来更大的研究意义和更高的诊断效能,现对CZT-SPECT在心脏相关疾病方面的应用情况进行综述,以期为其临床应用提供一定的参考价值。 展开更多
关键词 碲锌镉探测器 碲锌镉-SPECT NaI晶体 单光子发射计算机断层成像 心血管疾病
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康普顿成像系统角分辨影响因素的理论及模拟研究 被引量:6
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作者 王薇 李传龙 +1 位作者 吴建华 李兴隆 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期2471-2477,共7页
为了对康普顿成像系统的结构设计提供参考,本文提出了一种理论与模拟计算相结合的对双层位置灵敏CZT晶体组成的康普顿成像系统散射角误差进行估算的方法,并利用该方法对康普顿成像系统散射角误差进行了研究。结果表明,对662 keV、1.33 ... 为了对康普顿成像系统的结构设计提供参考,本文提出了一种理论与模拟计算相结合的对双层位置灵敏CZT晶体组成的康普顿成像系统散射角误差进行估算的方法,并利用该方法对康普顿成像系统散射角误差进行了研究。结果表明,对662 keV、1.33 MeV和2 MeV的入射光子,该成像系统的康普顿散射角误差分别为5.54°、4.82°和4.52°,散射角误差主要来自于探测系统位置分辨本领和能量分辨本领,探测材料多普勒效应引起的角误差相对较小。合理地限制康普顿散射角范围可有效改善成像系统角分辨能力,优化成像效果。 展开更多
关键词 康普顿成像系统 散射角误差 位置灵敏czt晶体
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CdZnTe晶体的缺陷能级分析 被引量:3
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作者 韦永林 朱世富 +5 位作者 赵北君 王瑞林 高德友 魏昭荣 李含东 唐世红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期189-191,共3页
通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下... 通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器。另外还研究了CZT晶体在室温下的I V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω·cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am59.5keV能谱。 展开更多
关键词 CDZNTE晶体 缺陷能级分析 布里奇曼法 激活能 俘获能级 电阻率 碲锌镉单晶体
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碲锌镉晶体化学机械抛光液的研究 被引量:6
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作者 敖孟寒 朱丽慧 孙士文 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第1期22-26,共5页
本文以硅溶胶为磨料颗粒、次氯酸钠(NaClO)为氧化剂制备适用于CZT晶片的化学机械抛光液。采用XPS能谱分析CZT表面元素化学态,研究CZT化学机械抛光过程中抛光液的化学作用机理,使用激光干涉仪、原子力显微镜研究抛光液中NaClO含量对晶片... 本文以硅溶胶为磨料颗粒、次氯酸钠(NaClO)为氧化剂制备适用于CZT晶片的化学机械抛光液。采用XPS能谱分析CZT表面元素化学态,研究CZT化学机械抛光过程中抛光液的化学作用机理,使用激光干涉仪、原子力显微镜研究抛光液中NaClO含量对晶片抛光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra的影响。结果表明,硅溶胶-次氯酸钠抛光液通过与CZT晶体中Te单质或CdTe发生化学反应,生成TeO_2。随后在一定压力下,抛光盘与CZT晶片发生相对运动,并在硅溶胶磨料颗粒的辅助作用下去除反应物。当NaClO含量在2%~10%时,随着NaClO含量的增加,晶片表面PV值和粗糙度Ra值先降低后升高,去除速率则随着NaClO含量的增加而增加。NaClO含量为6%时,PV值和Ra值最低,得到的晶片表面质量最好。 展开更多
关键词 化学机械抛光 czt晶体 粗糙度 平整度
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碲锌镉晶体的范性形变研究 被引量:3
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作者 唐家钿 莫玉东 +2 位作者 雷春洪 陈健才 宋炳文 《红外技术》 CSCD 1995年第2期1-5,共5页
从经典的晶体范性形变的理论模型和面心立方闪锌矿结构晶体所具有的滑移特性出发,对跨锌镉晶体经特定化学试剂侵蚀后在(111)和(111)面上出现的不同形貌蚀坑的形成机理进行了探讨,提出了碲锌镉晶体中存在多系滑移,从而阐明... 从经典的晶体范性形变的理论模型和面心立方闪锌矿结构晶体所具有的滑移特性出发,对跨锌镉晶体经特定化学试剂侵蚀后在(111)和(111)面上出现的不同形貌蚀坑的形成机理进行了探讨,提出了碲锌镉晶体中存在多系滑移,从而阐明了不同极性面上蚀坑的成因。 展开更多
关键词 碲锌镉晶体 范性形变 外延生长 红外焦平面
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铝诱导对磁控溅射制备CdZnTe薄膜结晶的影响 被引量:3
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作者 潘松海 周海 曾冬梅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期862-865,共4页
选用Cd0.9Zn0.1Te晶体和纯度为99.999%的铝为靶材,结合Al诱导晶化技术,采用磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了CdZnTe薄膜。研究了铝诱导CdZnTe薄膜的结构和形核机理。研究表明,铝诱导的CZT薄膜为闪锌矿结构,且为(111)晶面的取向生长;在... 选用Cd0.9Zn0.1Te晶体和纯度为99.999%的铝为靶材,结合Al诱导晶化技术,采用磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了CdZnTe薄膜。研究了铝诱导CdZnTe薄膜的结构和形核机理。研究表明,铝诱导的CZT薄膜为闪锌矿结构,且为(111)晶面的取向生长;在薄膜生长过程中,覆盖在CdZnTe表面的铝首先与ZnTe结合,形成了ZnAl2Te4相,并以此为核心,诱导CdZnTe异质形核结晶,重新形成了小晶粒团簇的较致密颗粒状薄膜,提高了薄膜(111)面的优势取向结晶,提高了CdZnTe薄膜的结晶质量。讨论了薄膜的光学性能。 展开更多
关键词 CdZnTe薄膜 铝诱导 磁控溅射 形核机理 光学性能
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PET探测器晶体研发现状 被引量:3
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作者 范亚明 王天泉 +3 位作者 李英帼 黄川 尹永智 陈熙萌 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2018年第4期533-539,共7页
本文综述了PET系统γ探测器晶体的研发现状。重点介绍了Na I(Tl)、BGO、LSO/LYSO和CZT的γ探测效率、光产额、光谱、光衰减时间常数、能量分辨率等性能,以及它们对临床PET和小动物PET的整机尺寸、位置分辨率、散射分数以及灵敏度等性能... 本文综述了PET系统γ探测器晶体的研发现状。重点介绍了Na I(Tl)、BGO、LSO/LYSO和CZT的γ探测效率、光产额、光谱、光衰减时间常数、能量分辨率等性能,以及它们对临床PET和小动物PET的整机尺寸、位置分辨率、散射分数以及灵敏度等性能的影响。论文比较了部分国产PET系统和国外PET系统的性能,可为我国PET系统γ探测器晶体的研发与应用提供参考和借荐。 展开更多
关键词 正电子发射断层显像(PET) NaI(Tl)闪烁晶体 BGO闪烁晶体 LSO/LYSO闪烁晶体 czt半导体
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碲锌镉晶体生长全局热传递模拟模型准确度研究 被引量:2
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作者 刘江高 吴卿 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期343-347,共5页
在碲锌镉晶体生长技术开发方面,数值模拟软件发挥着越来越重要的作用。以全局热传递模型为基础进行晶体生长模拟能够极大的提高模拟结果的实用性,缩短晶体生长设备及生长工艺的开发周期。但其前提是采用的全局热传递模型的准确度较高。... 在碲锌镉晶体生长技术开发方面,数值模拟软件发挥着越来越重要的作用。以全局热传递模型为基础进行晶体生长模拟能够极大的提高模拟结果的实用性,缩短晶体生长设备及生长工艺的开发周期。但其前提是采用的全局热传递模型的准确度较高。因此,本文主要研究了几何模型、物性参数、边界控温条件等对模型准确度的影响,并根据模型计算值与炉体中心测温比较结果,修正了上述模型各参数,获得了在多种温度设定条件下,计算结果都能与实际过程很好的吻合的全局热传递模型。采用修正后的模型应用于碲锌镉晶体生长过程模拟,最终晶体生长模拟结果的温度与实际监测温度差距在2℃以内。 展开更多
关键词 碲锌镉晶体 晶体生长模拟 全局热传递模型
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预制层衬底加热对Cu_2ZnSnS_4薄膜性能的影响
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作者 张俊芝 代福 +1 位作者 范东华 郑春来 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期1017-1023,共7页
本文采用二步法制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜,首先通过真空热蒸发制备CuZnSn(CZT)预制层,其衬底加热温度分别为20℃、50℃、75℃和100℃,然后对所制备的CZT预制层在400℃下硫化60 min,从而制备出CZTS薄膜。利用XRD、Raman、SEM、反射谱和... 本文采用二步法制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜,首先通过真空热蒸发制备CuZnSn(CZT)预制层,其衬底加热温度分别为20℃、50℃、75℃和100℃,然后对所制备的CZT预制层在400℃下硫化60 min,从而制备出CZTS薄膜。利用XRD、Raman、SEM、反射谱和透射谱对所制备的CZTS薄膜进行了表征,实验结果表明,预制层衬底加热温度对CZTS薄膜结构与光学特性有很大影响,在衬底加热50℃时制备预制层硫化后所得CZTS薄膜具有高的结晶度、致密均匀的薄膜表面和最佳1.5 e V光学带隙。此外,与衬底未加热制备预制层在500℃和90 min最佳硫化条件下所制备的高纯CZTS薄膜相比,在50℃预制层衬底加热条件下所制备CZTS薄膜具有更好地结晶质量、更低的硫化温度和更短的硫化时间,这种现象表明衬底加热制备金属预制层利于更高品质CZTS薄膜的制备,可有效的降低硫化温度和缩短硫化时间,当前的研究结果为在低温下实现高质量CZTS薄膜的制备提供了一种有效的途径。 展开更多
关键词 Cu2ZnSnS4(cztS)薄膜 衬底加热 晶体性能
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CdZnTe像素探测器表面的氧离子刻蚀工艺 被引量:1
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作者 孙玉宝 傅莉 +1 位作者 任洁 査钢强 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期515-518,共4页
本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响。研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层。刻蚀功率过大时,刻... 本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响。研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层。刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大。减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低。 展开更多
关键词 氧离子刻蚀 CDZNTE晶片 表面性能
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Preparation and characterization of Cu2ZnSn(S,Se)4 film by drop-coating of Cu2ZnSnS4 nanoink 被引量:3
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作者 Xiao-Gong Lv Jing-Yu Wang +1 位作者 Cheng-Jun Zhu Zhi-Ping Wang 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第9期718-722,共5页
In this work,a simple and facile one-pot oleylamine solvothermal synthetic method was developed to synthesize Cu_2ZnSnS_4(CZTS) nanocrystals.And the Cu_2ZnSn(S,Se)_4(CZTSSe) thin films were prepared by selenizing CZTS... In this work,a simple and facile one-pot oleylamine solvothermal synthetic method was developed to synthesize Cu_2ZnSnS_4(CZTS) nanocrystals.And the Cu_2ZnSn(S,Se)_4(CZTSSe) thin films were prepared by selenizing CZTS nanocrystals.The obtained CZTS nanocrystals and CZTSSe films were studied using X-ray diffraction(XRD),transmission electron microscopy(TEM),scanning electron microscopy(SEM),energy-dispersive X-ray spectroscopy(EDX),and ultraviolet–visible spectrophotometer(UV–Vis).TEM results show that the sphere–like CZTS nanoparticles with diameter between 12 and 35 nm are polydispersed.XRD studies indicate that the prepared CZTS nanocrystals form kesterite crystal structure,and the CZTSSe films with kesterite crystal structure are also obtained at the annealing temperatures of 500 and550 °C.In particular after annealing at 500 °C for 20 min,the CZTSSe film exhibits a smooth,uniform,crack-free,and large-grained topography and possesses Cu-poor and Sn-rich composition.Moreover,it shows strong optical absorption from visible to near-infrared(IR) region,and its optical band gap(Eg) is found to be about 1.44 e V. 展开更多
关键词 薄电影 Oleylamine solvothermal 水晶结构 cztS nanocrystals
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