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Two-dimensional phosphorene/C_3N p-n heterostructure: Effect of contact type on electronic and optical properties
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作者 HE YuanYuan CHEN Chao +2 位作者 CHENG Na XIONG ShiYun ZHAO JianWei 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第3期478-489,共12页
p-n heterostructure(HTS) is a fundamental component for high-performance electronic and optoelectronic device. Vertical stacking through van der Waals(vdW) force is emerging as a feasible technique to construct p-n HT... p-n heterostructure(HTS) is a fundamental component for high-performance electronic and optoelectronic device. Vertical stacking through van der Waals(vdW) force is emerging as a feasible technique to construct p-n HTS. Herein, we designed a novel kind of direct-bandgap C_3N monolayer, via adjusting the arrangement of C and N atoms in C_3N hexagonal cell. On the basis of the density functional theory combined with the non-equilibrium Green's function method, we built two-dimensional vdW-contact phosphorene(BP)/C_3N p-n HTS, and analyzed its electronic and optical properties in comparison with the inplanejointed ones. The strong charge transfer between BP and C_3N segments results in a wide bandgap of 0.48 eV for joint-contact type BP/C_3N HTS, whereas the effective interlayer coupling in vdW-contact type leads to an improved light adsorption as compared to the isolated C_3N monolayer. By fabricating dual-gated BP/C_3N HTS field-effect transistors(FETs), the dynamic transport behaviors demonstrated that the band bending under a lower threshold voltage makes band-to-band tunneling possible for vdW-contact type. Our work suggests that vdW-contact type is superior to joint-contact type in constructing p-n HTS for high-performance electronic and optoelectronic devices. 展开更多
关键词 phosphorene C3N VAN der WAALS COVALENT joint band bending band-to-band TUNNELING
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CuO掺杂C_(3)N对C_(5)F_(10)O分解组分吸附性能的第一性原理研究
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作者 王成江 项思雅 +3 位作者 武俊红 王凌威 王海涛 万思宇 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2024年第1期43-50,共8页
全氟五碳酮(C_(5)F_(10)O)作为可替代SF_(6)的新型环保绝缘气体已被投入到实际应用中.当绝缘设备内部发生局部放电等故障时,C_(5)F_(10)O会分解产生弱绝缘性的CF_(4)、C_(2)F_(6)以及剧毒的CF_(2)O、HF等有害组分,为保证绝缘设备的安全... 全氟五碳酮(C_(5)F_(10)O)作为可替代SF_(6)的新型环保绝缘气体已被投入到实际应用中.当绝缘设备内部发生局部放电等故障时,C_(5)F_(10)O会分解产生弱绝缘性的CF_(4)、C_(2)F_(6)以及剧毒的CF_(2)O、HF等有害组分,为保证绝缘设备的安全运行,需有选择地通过吸附去除这些分解组分.新型类石墨烯C_(3)N材料在气体吸附领域具有良好的应用前景,文中基于第一性原理计算了CuO分子掺杂C_(3)N对主要分解组分CF_(4)、C_(2)F_(6)及剧毒产物CF_(2)O、HF的吸附过程,计算并分析了各分解组分吸附时的吸附能、态密度、电荷转移量、差分电荷密度以及不同环境温度下的恢复时间.结果表明,CuO-C_(3)N对HF表现出良好的吸附性,CF_(2)O次之,但其无法吸附CF_(4)与C_(2)F_(6),因此CuO-C_(3)N可以作为一种高性能的气体吸附剂对C_(5)F_(10)O绝缘设备内的剧毒分解组分HF进行吸附去除. 展开更多
关键词 CuO掺杂C_(3)N 吸附性能 C_(5)F_(10)O分解组分 第一性原理 HF气体
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基于N掺杂Ti_(3)C_(2)MXene量子点的荧光探针用于Hg2+和S2-的传感检测
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作者 张慧莲 杨新杰 +6 位作者 李军 李泉 张福娟 张艳丽 王红斌 杨文荣 庞鹏飞 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期38-45,共8页
基于N掺杂Ti_(3)C_(2) MXene量子点(N-Ti_(3)C_(2) MQDs)荧光探针和配位相互作用,构建了一种检测Hg^(2+)和S^(2-)的“开-关-开”型荧光传感新方法.研究发现,制备的N-Ti_(3)C_(2) MQDs发射蓝色荧光(λem=440 nm),荧光量子产率为15.7%.Hg^... 基于N掺杂Ti_(3)C_(2) MXene量子点(N-Ti_(3)C_(2) MQDs)荧光探针和配位相互作用,构建了一种检测Hg^(2+)和S^(2-)的“开-关-开”型荧光传感新方法.研究发现,制备的N-Ti_(3)C_(2) MQDs发射蓝色荧光(λem=440 nm),荧光量子产率为15.7%.Hg^(2+)与N-Ti_(3)C_(2) MQDs表面的—NH2,—COOH,—OH等官能团产生选择性配位作用,导致N-Ti_(3)C_(2) MQDs体系荧光猝灭.当加入S^(2-)后,由于S^(2-)与Hg^(2+)之间强的结合力,形成HgS沉淀,从而使N-Ti_(3)C_(2) MQDs体系荧光恢复.基于该原理,构建了一种“开-关-开”型荧光传感方法,实现了对Hg^(2+)和S^(2-)的定量检测.N-Ti_(3)C_(2) MQDs探针的荧光强度与Hg^(2+)浓度在0.02~200μmol/L范围内呈良好线性关系,检出限为10 nmol/L(S/N=3);与S^(2-)浓度在0.07~150μmol/L范围内呈良好线性关系,检出限为30 nmol/L(S/N=3).该方法具有成本低、操作简单、灵敏度高和选择性好等特点,并可用于水样中Hg^(2+)和S^(2-)的检测. 展开更多
关键词 汞离子 硫离子 N掺杂Ti_(3)C_(2)MXene 量子点 荧光探针
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基于Pt-C_(3)N传感器的变压器油中溶解气体的吸附性能研究
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作者 贾东明 韩晓昆 +2 位作者 董翔 衣书伟 郭祥阳 《智慧电力》 北大核心 2024年第4期40-46,61,共8页
变压器的在线监测技术是全球能源互联网建设的重要保障,而变压器油中溶解气体的诊断被视为变压器故障的有效判据。采用密度泛函理论方法模拟了6种油中溶解气体在铂修饰的C3N纳米薄片的吸附过程,通过能带结构、态密度、差分电荷密度的计... 变压器的在线监测技术是全球能源互联网建设的重要保障,而变压器油中溶解气体的诊断被视为变压器故障的有效判据。采用密度泛函理论方法模拟了6种油中溶解气体在铂修饰的C3N纳米薄片的吸附过程,通过能带结构、态密度、差分电荷密度的计算揭示相关的吸附和传感机理。结果表明铂修饰可以显著增强C3N纳米薄片的气敏响应能力,尤其是对CO和C_(2)H_(2)的捕捉能力,这主要归因于掺杂金属颗粒的d轨道电子层贡献。铂修饰C3N纳米薄片对变压器油中溶解气体的吸附能力排序为CO>C_(2)H_(2)>C_(2)H_(4)>H_(2)>CO_(2)>CH_(4)。吸附底物的电子特性发生较大变化。该研究为开发用于检测变压器油中溶解气体的高性能气敏传感器提供了理论基础。 展开更多
关键词 油中溶解气体 C_(3)N纳米薄片 表面改性 气体吸附 密度泛函理论
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C_(3)N带隙调控的第一性原理研究
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作者 赵威 袁清红 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期114-119,共6页
采用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)的第一性原理计算,研究了堆垛方式、层数及外加电场对C_(3)N的带隙调控.考察了AA-1型、AA-2型、AB-1型和AB-2型这4种堆垛结构,计算表明,AB-2型堆垛结构能量最为有利.通过HSE06杂化... 采用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)的第一性原理计算,研究了堆垛方式、层数及外加电场对C_(3)N的带隙调控.考察了AA-1型、AA-2型、AB-1型和AB-2型这4种堆垛结构,计算表明,AB-2型堆垛结构能量最为有利.通过HSE06杂化泛函对带隙进行了精确计算,发现AA型堆垛与AB型堆垛的双层C_(3)N存在较大的带隙差异,AA型堆垛结构的带隙要明显小于AB型堆垛结构.此外,还发现C_(3)N的带隙可由单层的1.21 eV调控到体相的0.69 eV;通过施加外加垂直电场,可以将具有AB-2型堆垛结构的双层、三层和四层C_(3)N半导体调控为趋于零带隙的金属. 展开更多
关键词 第一性原理计算 C_(3)N 堆垛 带隙调控
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SF_(6)/N_(2)分解组分在ZnO-C_(3)N表面的吸附的理论研究
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作者 王邸博 王炜 +3 位作者 卓然 宋浩永 傅明利 刘静 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期104-111,共8页
SF_(6)/N_(2)混合气体作为目前替代SF_(6)气体的最佳选择之一,已被应用于较多电力设备中作为绝缘介质保证电力系统的安全运行。然而,设备内部不可避免的会出现局部放电等事故导致SF_(6)/N_(2)发生分解,产生绝缘性能较弱的分解产物,监测... SF_(6)/N_(2)混合气体作为目前替代SF_(6)气体的最佳选择之一,已被应用于较多电力设备中作为绝缘介质保证电力系统的安全运行。然而,设备内部不可避免的会出现局部放电等事故导致SF_(6)/N_(2)发生分解,产生绝缘性能较弱的分解产物,监测这些产物的生成对电力系统至关重要。文中基于密度泛函原理对二维材料C_(3)N使用Zn O进行了修饰(Zn O-C_(3)N),通过计算其吸附分解产物时的吸附能、能态密度以及带隙等参数评估了其作为分解产物传感器的性能。结果表明,Zn O-C_(3)N对SO_(2)、SOF_(2)和SO_(2)F_(2)表现出了较强的吸附以及灵敏度,这使得ZnO-C_(3)N在作为吸附剂去除SF_(6)/N_(2)分解产物这一用途上具有较大的应用潜力。 展开更多
关键词 SF_(6)替代气体 C_(3)N单分子层 金属氧化物修饰 密度泛函理论
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CuO掺杂C_(3)N对HF吸附性能的第一性原理研究
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作者 王成江 项思雅 +1 位作者 武俊红 王凌威 《分子科学学报》 CAS 北大核心 2023年第2期95-103,共9页
本文选择CuO作为掺杂物,新型类石墨烯二维材料C_(3)N为基底,基于第一性原理研究了本征C_(3)N以及掺杂单个和4~6个CuO分子的C_(3)N对HF的吸附过程,计算分析了各吸附体系的吸附能、差分电荷密度、态密度和恢复时间等参数.结果表明,经过掺... 本文选择CuO作为掺杂物,新型类石墨烯二维材料C_(3)N为基底,基于第一性原理研究了本征C_(3)N以及掺杂单个和4~6个CuO分子的C_(3)N对HF的吸附过程,计算分析了各吸附体系的吸附能、差分电荷密度、态密度和恢复时间等参数.结果表明,经过掺杂改性后的C_(3)N对HF的吸附要强于本征C_(3)N,1CuO-C_(3)N对HF的吸附性能最好,5CuO-C_(3)N其次,而4CuO-C_(3)N与6CuO-C_(3)N对HF仅为物理吸附.另外还发现掺杂体系的能带带隙越小、金属性越强、其对HF的吸附作用就越强.再结合恢复时间,确定即使在高温环境中1CuO-C_(3)N也能实现对HF的有效去除,因此1CuO-C_(3)N可以作为HF的气体吸附剂应用于氟碳类绝缘气体的废气处理领域. 展开更多
关键词 CuO掺杂C_(3)N 吸附性能 HF气体 第一性原理计算
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Rational design of bimetallic atoms supported on C3N monolayer to break the linear relations for efficient electrochemical nitrogen reduction
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作者 Riming Hu Yanan Yu +4 位作者 Yongcheng Li Yiran Wang Jiaxiang Shang Yong Nie Xuchuan Jiang 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2022年第9期8656-8664,共9页
Linear relations between the adsorption free energies of nitrogen reduction reaction(NRR)intermediates limit the catalytic activity of single atom catalysts(SACs)to reach the optimal region.Significant improvements in... Linear relations between the adsorption free energies of nitrogen reduction reaction(NRR)intermediates limit the catalytic activity of single atom catalysts(SACs)to reach the optimal region.Significant improvements in NRR activity require the balance of binding strength of reaction intermediates.Herein,we have investigated the C_(3)N-supported monometallic(M/C_(3)N)and bimetallic(M_(1)M_(2)/C_(3)N)atoms for the electrochemical NRR by using density functional theory(DFT)calculations.The results show that this linear relation does exist for SACs because all the intermediates bind to the same site on M/C_(3)N.But the synergistic effect of the two atoms in M_(1)M_(2)/C_(3)N can create a more flexible adsorption site for intermediates,which results in the decoupling of adsorption free energies of key intermediates.Subsequently,the fundamental limitation of scaling relations on limiting potentials is broken through.Most notably,the optimal limiting potential is increased from−0.63 V for M/C_(3)N to−0.20 V for M_(1)M_(2)/C_(3)N.In addition,the presence of bimetallic atoms can also effectively inhibit the hydrogen evolution reaction(HER)as well as improve the stability of the catalysts.This study proposes that the introduction of bimetallic atoms into C_(3)N is beneficial to break the linear relations and develop efficient NRR electrocatalysts. 展开更多
关键词 nitrogen reduction reaction linear relations bimetallic atoms C_(3)N density functional theory
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Stacking driven Raman spectra change of carbon based 2D semiconductor C_(3)N
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作者 Yucheng Yang Wenya Wei +5 位作者 Peng He Siwei Yang Qinghong Yuan Guqiao Ding Zhi Liu Xiaoming Xie 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2022年第5期2600-2604,共5页
As a two-dimensional carbon based semiconductor,C_(3)N acts as a promising material in many application areas.However,the basic physical properties such as Raman spectrum properties of C_(3)N is still not clear.In thi... As a two-dimensional carbon based semiconductor,C_(3)N acts as a promising material in many application areas.However,the basic physical properties such as Raman spectrum properties of C_(3)N is still not clear.In this paper,we clarify the Raman spectrum properties of multilayer C_(3)N.Moreover,the stacking driven Raman spectra change of multilayer C_(3)N is also discussed. 展开更多
关键词 C_(3)N Raman spectrum Carbon based semiconductor 2D materials Stacking structure
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LOW-TEMPERATURE HEAT CAPACITY AND THERMODYNAMIC FUNCTIONS OF 2-CHLORO-6-(TRICHLOROMETHYL)PYRIDINE
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作者 谭志诚 徂徕道夫 菅宏 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 1989年第10期1194-1207,共14页
The heat capacity of 2- chloro- 6- (trichloromethyl)pyridine has heen measured with anadiabatic calorimeter in the range from 13 to 316K. There is no indication of any phasetransition or thermal anomaly in this temper... The heat capacity of 2- chloro- 6- (trichloromethyl)pyridine has heen measured with anadiabatic calorimeter in the range from 13 to 316K. There is no indication of any phasetransition or thermal anomaly in this temperature region for the present compound. Theresults have been compared with those reported in [1] in the overlapping temperaturerange. The experimental heat capacity data have been fitted to a smoothed curve by the aidof the effective frequency distribution method, and the heat capacities below 13K have beenobtained by extrapolating the fitting curve down to 0K. The standard molar thermodynamicfunctions between 0 and 400 K have been derived by combining the present heat capacitymeasurements with the previous ones. The values of C_p^o (T), S^o(T) - S^o(0), [H^o(T) -H^o(0)]/T, and - [G^o(T) - H^o(0)]/T at T = 298.15 K are 189.35, 244.60, 112 .45 and 132.15J·K^(-1)·mol^(-1), respectively. 展开更多
关键词 heat capacity thermodynamic functions adiabatic calorimeter C_6H_3·Cl_4N
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