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Ca-B-Si掺杂对Ba(Mg_(l/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷介电性能的影响
被引量:
2
1
作者
王冬梅
毛宏
+1 位作者
吴孟强
张树人
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期22-24,共3页
采用传统电子陶瓷工艺合成了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的Ba(Mgl/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷,研究了CBS掺杂量对陶瓷微波介电性能的影响。结果表明:CBS掺杂可促进陶瓷烧结并提高B位1:2有序度,进而降低微波介质损耗。当w(CBS)=3%时,陶瓷烧结温度...
采用传统电子陶瓷工艺合成了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的Ba(Mgl/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷,研究了CBS掺杂量对陶瓷微波介电性能的影响。结果表明:CBS掺杂可促进陶瓷烧结并提高B位1:2有序度,进而降低微波介质损耗。当w(CBS)=3%时,陶瓷烧结温度由纯相时的1 500℃以上降至1 250℃,表观密度提高到6.32 g/cm3以上,陶瓷的微波介电性能达到最佳值:εr=26,Q.f=67 800 GHz(8 GHz),τf=25×10–6/℃。该陶瓷有望成为用于高频段微波器件的材料。
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关键词
微波介质陶瓷
Ba(Mgl/3Nb2/3)O3
ca-b-si掺杂
微波介质损耗
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职称材料
题名
Ca-B-Si掺杂对Ba(Mg_(l/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷介电性能的影响
被引量:
2
1
作者
王冬梅
毛宏
吴孟强
张树人
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期22-24,共3页
基金
四川省青年基金资助项目(No.JS0303001)
文摘
采用传统电子陶瓷工艺合成了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的Ba(Mgl/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷,研究了CBS掺杂量对陶瓷微波介电性能的影响。结果表明:CBS掺杂可促进陶瓷烧结并提高B位1:2有序度,进而降低微波介质损耗。当w(CBS)=3%时,陶瓷烧结温度由纯相时的1 500℃以上降至1 250℃,表观密度提高到6.32 g/cm3以上,陶瓷的微波介电性能达到最佳值:εr=26,Q.f=67 800 GHz(8 GHz),τf=25×10–6/℃。该陶瓷有望成为用于高频段微波器件的材料。
关键词
微波介质陶瓷
Ba(Mgl/3Nb2/3)O3
ca-b-si掺杂
微波介质损耗
Keywords
microwave dielectric ceramic
Ba(Mgl/3Nb2/3)O3
ca-b-si
doping
microwave dielectric loss
分类号
TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ca-B-Si掺杂对Ba(Mg_(l/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷介电性能的影响
王冬梅
毛宏
吴孟强
张树人
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
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职称材料
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