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Nb5+掺杂改性CaBi4Ti4O15压电陶瓷的研究 被引量:3
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作者 洪燕 李月明 +4 位作者 沈宗洋 王竹梅 廖润华 李润润 刘虎 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2011年第2期224-227,共4页
采用传统固相烧结法,制备了CaBi4Ti(1-x)NbxO1(5x=0.00-0.05,CBT-N)系铋层状结构无铅压电陶瓷。研究了Nb5+掺杂对CBT压电陶瓷压电与介电性能的影响。研究结果表明:添加Nb5+离子,改善了CBT陶瓷的烧结特性,提高了瓷体的致密度。Nb2O5的引... 采用传统固相烧结法,制备了CaBi4Ti(1-x)NbxO1(5x=0.00-0.05,CBT-N)系铋层状结构无铅压电陶瓷。研究了Nb5+掺杂对CBT压电陶瓷压电与介电性能的影响。研究结果表明:添加Nb5+离子,改善了CBT陶瓷的烧结特性,提高了瓷体的致密度。Nb2O5的引入降低了CBT系列陶瓷的介质损耗,改善了陶瓷的压电与介电性能。当掺入量x=0.04(CaBi4Ti0.96Nb0.04O15)时制备的CBT基铋层状压电陶瓷具有优异的压电性能:d33=14pC/N,Qm=3086,εr=212,tanδ=0.0041,kt/kp=1.681。 展开更多
关键词 铋层状 介电性能 压电性能 cabi4ti4o15
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Mn掺杂改性高温无铅压电陶瓷CaBi4Ti4O15的研究
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作者 初瑞清 徐志军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期701-702,共2页
用固相合成法制备Mn掺杂改性的CaBi4Ti4O15(CBT)高温无铅压电陶瓷。分析表明,利用固相合成法制备Mn掺杂CBT的温度为850℃,制备Mn掺杂改性CBT陶瓷的烧结温度随锰含量的增加降低,压电常数影响不大。
关键词 cabi4ti4o15(CBT) 固相合成法 MN掺杂
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超疏水-亲水CaBi4Ti4O15涂层制备及其表面浸润性研究 被引量:2
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作者 李达 张日理 +2 位作者 肖文佳 杨洋溢 何振辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期745-748,共4页
采用简单的涂抹方法,在衬底上制备了CaBi_4Ti_4O_(15)涂层;经不同温度退火和120℃放置处理,得到了浸润性从超疏水到亲水,其表面接触角从152.5°到43.6°变化的CaBi_4Ti_4O_(15)涂层表面;通过扫描电镜分析,研究了不同退火温度下... 采用简单的涂抹方法,在衬底上制备了CaBi_4Ti_4O_(15)涂层;经不同温度退火和120℃放置处理,得到了浸润性从超疏水到亲水,其表面接触角从152.5°到43.6°变化的CaBi_4Ti_4O_(15)涂层表面;通过扫描电镜分析,研究了不同退火温度下涂层表面微观结构变化对表面浸润性的影响.结果表明:CaBi_4Ti_4O_(15)涂层表面晶粒和孔洞尺寸变化是导致其表面浸润性从超疏水到亲水变化的主要原因,而包含纳米颗粒的阶层结构导致亲水CaBi_4Ti_4O_(15)涂层表面呈现出超疏水性. 展开更多
关键词 cabi4ti4o15 涂层 异质结构 表面浸润性
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锰对改善CaBi_4Ti_4O_(15)高温压电陶瓷性能的研究 被引量:13
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作者 顾大国 李国荣 +3 位作者 郑嘹赢 曾江涛 丁爱丽 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期626-630,共5页
采用固相法制备了Mn改性的CaBi4Ti4O15(CBT+xmol%MnCO3)层状压电陶瓷.介电温谱显示所有样品居里点在780℃附近,并且发现该材料在110K处有一介电弛豫峰.Mn的加入显著降低了高温下的介电损耗,剩余极化轻微降低,室温介电常数从173减小到... 采用固相法制备了Mn改性的CaBi4Ti4O15(CBT+xmol%MnCO3)层状压电陶瓷.介电温谱显示所有样品居里点在780℃附近,并且发现该材料在110K处有一介电弛豫峰.Mn的加入显著降低了高温下的介电损耗,剩余极化轻微降低,室温介电常数从173减小到162,同时机械品质因子由2700增加到4400,显示了硬性掺杂的效果.在100~600℃范围内,x=1.0的样品比纯组分的电阻率提高了一个数量级以上,500℃的电阻率提高了约2个数量级(10^8Ω·cm),电阻率对温度的Arrhenius拟合由两段过渡到三段,压电系数d33由7提高到14.5.实验结果表明,Mn改性的CBT在高温传感器等领域具有应用前景. 展开更多
关键词 压电陶瓷 硬性掺杂 电阻率 cabi4ti4o15
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熔盐法制备片状CaBi_4Ti_4O_(15)晶粒的研究 被引量:4
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作者 李月明 汪丹 +4 位作者 廖润华 江良 张华 刘虎 李润润 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期33-35,51,共4页
以TiO2、CaCO3和Bi2O3为原料,加入NaCl和KCl(物质的量比为1:1)为熔盐,采用熔盐法制备Ca-Bi4Ti4O15片状晶体。研究了熔盐含量、合成温度以及保温时间对制备CaBi4Ti4O15片状晶体的影响,并对其反应机理进行了初步的探讨。结果表明,当熔盐... 以TiO2、CaCO3和Bi2O3为原料,加入NaCl和KCl(物质的量比为1:1)为熔盐,采用熔盐法制备Ca-Bi4Ti4O15片状晶体。研究了熔盐含量、合成温度以及保温时间对制备CaBi4Ti4O15片状晶体的影响,并对其反应机理进行了初步的探讨。结果表明,当熔盐质量分数为30%时开始生成CaBi4Ti4O15,当熔盐质量分数增加到40%左右时可获得较纯的CaBi4Ti4O15相。熔盐含量对钛酸铋钙晶体的形貌有一定的影响,随着熔盐含量的增加,CaBi4Ti4O15片状晶体逐渐长大,各向异性程度增大。合成温度的升高和保温时间的延长有利于CaBi4Ti4O15片状形貌的形成。制备完整片状形貌的CaBi4Ti4O15晶体的最佳熔盐含量为40%,合成温度为1150℃,保温时间为4h。 展开更多
关键词 cabi4ti4o15熔盐法片状晶体
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CaBi_4Ti_4O_(15)基陶瓷制备与镧掺杂的性能优化(英文)
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作者 郑倩倩 金国玺 +2 位作者 唐艳雪 林静容 孙大志 《上海师范大学学报(自然科学版)》 2012年第6期625-631,共7页
两步法烧结制备一系列CaBi4-xLaxTi4O15(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)(CBLT-x):以氧化物为前驱体用熔盐法合成片状粉体,然后通过晶体定向技术制备后烧结成陶瓷.通过SEM微观结构表征来确定增加镧掺杂和温度对晶粒生长和织构形成的影响.当镧掺杂(... 两步法烧结制备一系列CaBi4-xLaxTi4O15(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)(CBLT-x):以氧化物为前驱体用熔盐法合成片状粉体,然后通过晶体定向技术制备后烧结成陶瓷.通过SEM微观结构表征来确定增加镧掺杂和温度对晶粒生长和织构形成的影响.当镧掺杂(x=0.4)烧结温度在1150℃时,CBLT-x陶瓷在垂直于流延方向上介电常数可提高到570.CBLT-x系列陶瓷的介电常数和介电损耗在垂直于流延的方向的数值都高于平行方向上.控制CBLT-x陶瓷结构化和晶粒生长的机理首次用3D模式进行了讨论. 展开更多
关键词 cabi4ti4o15 织构化陶瓷 OCAP 流延法 介电性能
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Y、V共掺杂CaBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的结构及电性能研究
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作者 李丹洋 何新华 符小艺 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2390-2393,共4页
采用固相烧结法制备了Y、V共掺杂的Ca Bi4Ti4O15陶瓷(简称CYBTV)。Y、V共掺杂有利于陶瓷晶粒沿c轴方向生长,提高瓷体致密度。测量和分析了不同频率下CYBTV陶瓷的交流电导率σac和直流电导率σdc随温度(300-1150 K)的变化以及陶瓷的... 采用固相烧结法制备了Y、V共掺杂的Ca Bi4Ti4O15陶瓷(简称CYBTV)。Y、V共掺杂有利于陶瓷晶粒沿c轴方向生长,提高瓷体致密度。测量和分析了不同频率下CYBTV陶瓷的交流电导率σac和直流电导率σdc随温度(300-1150 K)的变化以及陶瓷的复阻抗谱。σac在不同温区表现出不同程度的频率和温度相关性:在低温区,σac随着频率的升高而增大;在高温区,σac随着温度的升高而增大。CBT基材料的复阻抗响应主要与晶粒电阻电容有关,Y、V共掺杂后,陶瓷的晶粒电阻率显著增大,从而导致材料电阻率的提高。 展开更多
关键词 cabi4ti4o15 Y、V共掺杂 电导率 复阻抗
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Achieving remarkable piezoelectric activity in Sb-Mn co-modified CaBi_(4)Ti_(4)O_(15) piezoelectric ceramics 被引量:3
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作者 Yang LIU Yang YU +6 位作者 Chen-yi YIN Liang ZHENG Peng ZHENG Wang-feng BAI Li-li LI Fei WEN Yang ZHANG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第8期2442-2453,共12页
CaBi_(4)Ti_(4)O_(15)(CBT)-based Aurivillius high-temperature piezoceramics with different Sb-Mn co-doping amounts were synthesized via the conventional sintering technique.The influences of doping amount on the produc... CaBi_(4)Ti_(4)O_(15)(CBT)-based Aurivillius high-temperature piezoceramics with different Sb-Mn co-doping amounts were synthesized via the conventional sintering technique.The influences of doping amount on the product were studied via their crystal structure,microstructure,and piezoelectric performance.It is found that an appropriate Sb-Mn co-doping amount can effectively optimize the crystal structure and decrease the oxygen vacancy concentration in CBT ceramics,leading to enhanced electrical properties.Optimized electrical performance with a high Curie temperature(TC)of 792℃and a remarkable piezoelectric coefficient(d33)of 25 p C/N were achieved at a doping amount(x)of 0.05.Furthermore,this ceramic is found to exhibit an excellent thermal stability,with d33 retaining 88%of its original value after annealing at 600℃for 2 h.Moreover,this ceramic shows a high electrical resistivity(ρ)of 1.35×10^(8)Ω·cm with a small dielectric loss(tanδ)of 1.7%at 400℃.Because of such outstanding piezoelectric performance,it is believed that these Sb-Mn co-doped CBT ceramics could be potential candidates for high-temperature piezoelectric applications. 展开更多
关键词 cabi4ti4o15 piezoelectric ceramics piezoelectric activity RESISTIVITY thermal stability
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Na_(2x)Ca_(1-x)Bi_4Ti_4O_(15)介电陶瓷的制备及其介电性能的研究
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作者 徐静 范素华 +2 位作者 何波 任艳霞 张丰庆 《陶瓷学报》 CAS 2006年第2期187-192,共6页
采用固相烧结法制备了Na+1掺杂的CaBi4Ti4O(15CBT)铋系层状钙态矿无铅介电陶瓷。利用XRD、SEM和宽频LCR数字电桥分析了掺杂量、烧结温度等因素对CBT陶瓷晶相、微观形貌及介电性能的影响。研究表明,采用860℃预烧,保温3小时,1150℃终烧,... 采用固相烧结法制备了Na+1掺杂的CaBi4Ti4O(15CBT)铋系层状钙态矿无铅介电陶瓷。利用XRD、SEM和宽频LCR数字电桥分析了掺杂量、烧结温度等因素对CBT陶瓷晶相、微观形貌及介电性能的影响。研究表明,采用860℃预烧,保温3小时,1150℃终烧,保温1h的烧结工艺,Na2xCa1-xBi4Ti4O15(x=8mol%)的介电陶瓷致密性好、结晶性好,具有良好的介电性能。 展开更多
关键词 固相烧结法 介电性能 Na^+1掺杂CBT陶瓷
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无铅压电陶瓷材料研究进展 被引量:20
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作者 贺连星 李毅 +1 位作者 李广成 李承恩 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第11期52-55,共4页
系统分析了无铅压电陶瓷材料的研究现状,在此基础上,对(Bi, Na)TiO3-Ba(Zr,Ti)O3及CaBi4Ti4O15(CBT)基两类无铅材料进行了研究。结果表明:非化学计量掺杂及A位空位的存在有助于提高(Bi, Na)TiO3-Ba(Zr,Ti)O3材料的压电活性,通过引入适量... 系统分析了无铅压电陶瓷材料的研究现状,在此基础上,对(Bi, Na)TiO3-Ba(Zr,Ti)O3及CaBi4Ti4O15(CBT)基两类无铅材料进行了研究。结果表明:非化学计量掺杂及A位空位的存在有助于提高(Bi, Na)TiO3-Ba(Zr,Ti)O3材料的压电活性,通过引入适量的Sn,在该体系中得到了d33高达196 pC/N的材料。通过A位小离子复合取代及引入A位空位的方法,大大提高CaBi4Ti4O15材料的压电性能,居里温度及高温电阻率。得到了居里温度高达866℃,d33为20 pC/N的优质高温无铅压电材料。 展开更多
关键词 无机非金属材料 无铅压电陶瓷 综述 压电性能 BNT-BZT CBT
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