CaF_2掺杂对ZnNb_2O_6陶瓷烧结行为及介电性能的影响

用传统固相法合成了CaF2掺杂ZnNb2O6微波介质陶瓷,通过XRD、SEM以及HP4291阻抗分析仪等测试手段对其烧结行为、晶体结构及微波介电性能进行了系统研究。结果表明,CaF2掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,但品质因数Q值有所下降。1100°C烧结w(CaF2)=0.5%(质量比)掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能:εr=31.6,Q×f=68THz,τf=-47×10-6°C-1。

CaF_2掺杂与二次烧结对Ca_3Co_4O_9结构的影响

采用CaF2掺杂固相烧结法制备了Ca3Co4O9热电材料,通过与纯样对比,讨论了掺杂与二次烧结工艺对其显微结构的影响,实验结果表明:掺杂CaF2有利于Ca3Co4O9片状晶体组织的生长,进行二次烧结,对Ca3Co4O9材料矿物的形成更为有利。

一种新型CaF_2:Gd纳米材料的制备及其热释光性能

用水热法制备钆掺杂的氟化钙（CaF2：Gd）纳米材料。采用x射线衍射、扫描电子显微镜、能谱仪等方法对其进行表征，发现CaF2：Gd材料样品平均粒径44am，晶体呈立方晶系结构，样品组成元素为Ca、F、Gd。运用Tm-Tstop与CGCD（ComputerizedGlowCurvesDe—convolved）相结合的方法对发光曲线进行解谱，确定材料发光曲线的4个重叠峰分别为126、148、174、286℃，并得到了各发光峰的动力学参数。结果表明，制备的CaF2：Gd纳米材料对于Y射线在1～10000Gy内都有良好的线性剂量响应，兼顾良好的重复性和衰减性，稀土元素Gd的最优掺杂物质的量浓度为0．6％。制备的CaF2：Gd纳米材料可以用作高剂量γ射线测量。

掺杂对YNbO_4介电常数的影响

铌酸钇(YNbO4)是一种潜在的微波介电陶瓷材料。文中研究了CaF2掺杂量对YNbO4陶瓷介电常数的影响。研究发现,烧结温度和CaF2掺杂量过高或过低都不利于陶瓷介电常数的提高,只有在烧结温度和CaF2掺杂量适中时才可能得到较高的介电常数。

Y1-xCaxF3-x-YOF混合相固体电解质的阻抗谱研究

用频率响应分析仪阻抗谱方法研究了Y1-xCacF3-x(X=0.05,0.23,0.25,0.27和0.29)-YOF混合相固体电解质的电导率.频率范畴10-2Hz～1MHz,温度范围为400～750℃.实验得到电导率为10-5～10-2S·cm-1.根据等效电路研究了CaF2掺杂对电导率的影响,利用Arrhenius公式算得了该固体电解质的电导激活能并分析了材料的电导激活能与掺杂成分的关系.