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GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长
被引量:
4
1
作者
李辉
汪韬
+2 位作者
李宝霞
赛晓峰
高鸿楷
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期209-212,共4页
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 ...
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 .
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关键词
LP-MOCVD
cainp2/gaas/ge
叠层太阳电池
外延生长
镓铟磷化合物
砷化镓
锗
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职称材料
题名
GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长
被引量:
4
1
作者
李辉
汪韬
李宝霞
赛晓峰
高鸿楷
机构
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期209-212,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目
文摘
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 .
关键词
LP-MOCVD
cainp2/gaas/ge
叠层太阳电池
外延生长
镓铟磷化合物
砷化镓
锗
Keywords
LP-MOCVD
GaInP
2
/gaas
/ge
Tandem solar cell
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长
李辉
汪韬
李宝霞
赛晓峰
高鸿楷
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
4
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职称材料
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