CaS∶Eu^(2+),Sm^(3+)的制备与表征

采用湿法工艺在还原气氛下制备了CaS∶Eu2+,Sm3+光存储材料。研究了灼烧温度和灼烧时间对样品性能的影响。XRD图谱表明,样品在700℃—1200℃均形成CaS晶格。光谱分析表明,在紫外光(295nm)激发后,用980nm半导体激光照射样品,具有光激励发光现象,发射光谱峰值波长为649nm。

高温固相反应法制备CaS:Eu^(2+),Sm^(3+)光存储材料及其性能研究

采用高温固相反应法在还原气氛下制备了CaS :Eu2 + ,Sm3 + 光存储材料。研究了工艺因素 (灼烧温度和灼烧时间 )对样品性能的影响。XRD图谱表明 ,样品在 70 0℃就可以形成CaS晶格。光谱分析表明 ,在紫外光激发后 ,用 980nm半导体激光照射样品 。

CaS:Eu^(2+)发红色荧光材料制备及性能问题的探究

作为一种性能良好的碱土金属硫化物体系红色荧光材料,CaS:Eu^(2+)在光电信息、固态照明、成像显示、建筑美化、阴极射线等领域有着潜在的应用价值。高温固相法是制备CaS:Eu^(2+)的常见方法,但存着着保温时间长、消耗能量大和烧成温度高等缺陷,故探究不同含量NH4Cl助熔剂及不同烧成温度对制备和性能的影响,就成为了本文的研究出发点。

Ca_2SnO_4：Eu^(3+)的固相反应形成机理及发光性质研究

利用高温固相反应法合成了Ca_(2-x)Eu_xSnO_4发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段对样品的固相反应形成机理及光谱特性进行了研究.对于CaCO_3和SnO_2(2:1)混合粉料,在1250℃进行固相反应时将优先反应生成不稳定的中间相CaSnO_3,该相再与CaO继续反应生成最后稳定的目标相Ca_2SnO_4.Ca_(2-x)Eu_xSnO_4样品在240～360nm范围内存在着Eu^(3+)-O^(2-)电荷迁移吸收带,随着Eu^(3+)掺杂浓度(x=0.01～0.15)的增加,吸收带峰位从274nm红移至292nm附近.Ca_2SnO_4:Eu^(3+)发光体的发射以电偶极跃迁~2D_o-~7F_2为主导地位,在紫外光激发下产生强的红光发射.在Ca_2SnO_4基质中,Eu^(3+)离子的多声子弛豫过程几率小,当Eu^(3+)掺杂浓度较低时,可以观察到来自于Eu^(3+)较高激发态能级~5D_2和~5D_1上的辐射跃迁.Eu^(3+)离子在同构的Ca_2SnO_4和Sr_2CeO_4基质中的发射光谱形状类似,但Ca_2SnO_4:Eu^(3+)的红光发射强度远大于Sr_2CeO_4:Eu^(3+).

Ca_9Al(PO_4)_7:Eu^(2+)的发光、浓度猝灭及温度稳定性（英文）

采用高温固相法制备了Ca9Al(PO4)7:Eu2+蓝色荧光粉,研究了Ca9Al(PO4)7:Eu2+的发光、浓度猝灭及温度稳定性.Ca9Al(PO4)7:Eu2+的激发光谱覆盖200~350nm紫外区;发射光谱为一主峰位于445nm的宽谱,对应Eu2+的4f65d1→4f7特征跃迁.研究发现,随Eu2+掺杂量的增大,Ca9Al(PO4)7:Eu2+的发射强度呈现先增大、后减小的变化趋势,最大发射强度对应的Eu2+掺杂量为0.01,即存在浓度猝灭效应,对应的机理为电偶极-电偶极相互作用;依据晶格常数,得出临界距离为2.297nm.在25~300℃范围内改变光谱测量温度,发现温度升高到150℃时,Ca9Al(PO4)7:Eu2+的发射强度变为25℃时的81.0%,对应的激活能为0.268eV,说明材料具有较好的温度稳定性.

白光LED用蓝光纳米晶荧光粉(Ba,Ca)_5(PO_4)_2SiO_4:Eu^(2+)的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法合成了一系列的(Ba,Ca)_5(PO_4)_2SiO_4:Eu^(2+)荧光粉。所制备的荧光粉通过X射线衍射(XRD),场发射扫描电镜(FE-SEM)和光致发光(PL)进行表征。XRD测试结果表明:样品的成相温度为900℃,少量掺杂Eu^(2+)离子或改变Ba2+,Ca2+离子的相对含量不影响基质晶体结构和相纯度。在紫外光激发下,荧光粉(Ba,Ca)_5(PO_4)_2SiO_4:Eu^(2+)呈蓝光宽带发射(400~550 nm,源于Eu^(2+)离子的4f7-4f65d1跃迁)。进一步研究表明:(Ba,Ca)_5(PO_4)_2SiO_4:Eu^(2+)的发光颜色可以通过调整Ba2+与Ca2+离子的相对比例从深蓝光―蓝光―浅蓝光进行调控。通过精确调整Eu^(2+)的浓度,在荧光粉(Ba0.99Ca0.01)5(PO_4)_2SiO_4:Eu^(2+)中可实现高品质蓝光发射。所制备的(Ba,Ca)_5(PO_4)_2SiO_4:Eu^(2+)荧光粉在LED植物照明和白光LED领域具有潜在的应用价值。

用于白光LED的高亮度蓝白色荧光粉Ca2SiO3Cl2∶Eu2+的发光性质

采用固相法在较低温度下合成了Eu2+激活的Ca2S iO3C l2高亮度蓝白色发光材料,并对其发光性质进行了研究。其发射光谱由两个谱带组成,峰值分别位于420,498 nm处,归结为Ca2S iO3C l2晶体中占据两种不同Ca2+格位的Eu2+离子的5d→4 f跃迁发射。改变Eu2+浓度,可以使样品的发光在蓝白色和绿白色之间变化。当Eu2+浓度为0.005 mol-1时,样品呈现很亮的蓝白色发光。两个发射峰的激发光谱均分布在250~410nm的波长范围内,峰值分别位于333,369 nm处。Ca2S iO3C l2∶Eu2+可被InGaN管芯产生的近紫外辐射有效激发,是一种性能良好的白光LED用单一基质蓝白色荧光粉。

近紫外光激发的全色荧光粉Ba_3Ca_4Mg(SiO_4)_4:Eu^(2+),Mn^(2+)的合成和发光性能

采用高温固相法合成了Eu2+,Mn2+共激活的Ba3Ca4Mg(SiO4)4荧光粉,讨论了其光谱性能和晶体结构。光谱测试结果显示,该荧光粉在近紫外光激发下能够发射出波长430～700nm的宽峰,由460,495,595nm等多峰叠加而成,其激发光谱在250～450nm均有较强的吸收;通过X射线衍射数据分析,该荧光粉存在两种晶相,分别是BaCa2Mg(SiO4)2和Ba1.31Ca0.69SiO4。变化Mn2+浓度能够对荧光粉的色温(CCT)、显色指数(CRI)和色坐标进行调节。其中Ba3Ca4Mg(SiO4)4:0.08Eu2+,0.13Mn2+荧光粉的CCT6592K、CRI84.3、色坐标(0.3137,0.3118)与日光色(CCT6500K;色坐标(0.3030,0.3370))的白光参数较接近,是一种适合于近紫外光芯片InGaN激发的WLED用全色荧光粉。

Ca2Y8（SiO4）6O2:Eu3+荧光粉的制备、结构与荧光性质研究

采用高温固相法合成了具有高热稳定性的Ca2Y8(SiO4)6O2:Eu^3+红色荧光粉。通过X射线衍射和扫描电子显微镜对样品的结构和形貌进行了系统地表征,结果表明成功地合成了Ca2Y8(SiO4)6O2:Eu^3+荧光粉。在394 nm激发下,样品发出很强的红光,该发射来自于EJ+的5D°→7Fj(J=l,2,3,4)。通过变温光谱分析了样品在303-563 K温度范围的热稳定性。随着温度的升高,Ca2Y8(SiO4)6O2;0.3Eu^3+样品的发光先增强后减弱,在483 K时的发光最强为室温时的1.5倍。将Ca2Yg(SiO4)6O2:0.3Eu^3t样品与蓝色荧光粉BaMgAl10O17:Eu2+和绿色荧光粉BaSiO4:Eu2+以及近紫外LED芯片(395 nm)进行封装,在不同电流激发下(20-140 mA),均获得了显色指数高于92,色温低于4000 K的暖白光。以上结果表明Ca2Y8(SiO4)6O2:Eu^3+在白光LED领域具有非常好的潜在应用。