BaBi_(10)B_6O_(25)掺杂对CaZrO_3陶瓷介电性能的影响

研究了BaBi10B6O25掺杂量对CaZrO3陶瓷烧结性能、物相组成、介电性能和微观组织形貌的影响。结果表明,通过掺杂BaBi10B6O25,可使CaZrO3陶瓷的烧结温度由1 500℃降至1 000℃,且无第二相生成,相对密度达98%。当w(BaBi10B6O25)=7.5%时,CaZrO3陶瓷在1 000℃烧结3h获得良好的介电性能:介电常数εr=28,品质因数与频率之积Q·f=8 872GHz,频率温度系数τf=21×10-6/℃。

MgO含量对CaZrO_3-MgO陶瓷烧结特性及组成与结构的影响

采用常压烧结方法制备了CaZrO3-MgO陶瓷。研究了MgO含量对CaZrO3-MgO陶瓷的显气孔率、体积密度、抗弯强度、物相组成、显微结构和断裂方式的影响。结果表明：含有1wt%~3wt%MgO的CaZrO3-MgO陶瓷由CaZrO3单相构成,气孔率低,体积密度高,抗弯强度大,断裂方式为穿晶与沿晶共存的混合断裂;含有20wt%~40wt%MgO的CaZrO3-MgO陶瓷由MgO和CaZrO3两相构成,气孔率高,体积密度低,抗弯强度小,CaZrO3与MgO两相间的断裂方式为沿晶断裂;当MgO含量为2wt%时CaZrO3-MgO陶瓷的烧结性能最好,当MgO含量为40wt%时CaZrO3-MgO陶瓷的烧结性能最差。少量Mg2＋的引入因其向CaZrO3中单向扩散而促进材料烧结,大量Mg2＋的引入因其与Zr4＋互扩散导致CaZrO3分解而阻碍材料烧结。

ZnO-B_2O_3-SiO_2掺杂对锆酸钙基陶瓷性能的影响

研究了ZnO-B2O3-SiO2(ZBS)玻璃掺杂量对CaZrO3陶瓷烧结性能、物相组成、微观组织形貌和介电性能的影响。结果表明:通过掺杂ZBS,可使CaZrO3陶瓷的烧结温度由1 550℃降至1 000℃,且无第二相生成,相对密度达97.8%。当ZBS添加量为质量分数15%时,CaZrO3陶瓷在1 000℃烧结3 h获得良好的介电性能:εr=25,Q·f=8 584 GHz,τf=–45×10–6/℃。