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原位退火对Si基CdTe材料的位错抑制研究
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作者 李震 王丹 +1 位作者 高达 邢伟荣 《红外》 CAS 2023年第2期18-23,共6页
硅与碲镉汞之间的外延碲化镉缓冲层能够减小外延过程中产生的高达107cm^(-2)的位错密度,高温热退火是抑制材料位错的有效方法之一。传统的离位退火技术会导致工艺不稳定和杂质污染等,而原位退火则可有效解决这些问题。利用原位退火技术... 硅与碲镉汞之间的外延碲化镉缓冲层能够减小外延过程中产生的高达107cm^(-2)的位错密度,高温热退火是抑制材料位错的有效方法之一。传统的离位退火技术会导致工艺不稳定和杂质污染等,而原位退火则可有效解决这些问题。利用原位退火技术对分子束外延生长的硅基碲化镉材料进行了位错抑制研究。对厚度约为9μm的碲化镉材料进行了6个周期不同温度的热循环退火,并阐释了不同退火温度对硅基碲化镉材料位错的抑制效果。采用统计位错腐蚀坑密度的方法对比了退火前后材料的位错变化。可以发现,在退火温度为520℃时,位错密度可以达到1.2×10^(6)cm^(-2),比未进行退火的CdTe材料的位错密度降低了半个数量级。 展开更多
关键词 原位退火 碲化镉 位错密度
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Electron beam evaporation deposition of cadmium sulphide and cadmium telluride thin films: Solar cell applications
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作者 方力 陈婧 +4 位作者 徐岭 苏为宁 于瑶 徐骏 马忠元 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第9期676-679,共4页
Cadmium sulphide (CdS) and cadmium telluride (CdTe) thin films are deposited by electron beam evaporation. Atomic force microscopy (AFM) reveals that the root mean square (RMS) roughness values of the CdS film... Cadmium sulphide (CdS) and cadmium telluride (CdTe) thin films are deposited by electron beam evaporation. Atomic force microscopy (AFM) reveals that the root mean square (RMS) roughness values of the CdS films increase as substrate temperature increases. The optical band gap values of CdS films increase slightly with the increase in the substrate temperature, in a range of 2.42-2.48 eV. The result of Hall effect measurement suggests that the carrier concentration decreases as the substrate temperature increases, making the resistivity of the CdS films increase. CdTe films annealed at 300 ℃ show that their lowest transmittances are due to their largest packing densities. The electrical characteristics of CdS/CdTe thin film solar cells are investigated in dark conditions and under illumination. Typical rectifying and photovoltaic properties are obtained. 展开更多
关键词 cadmium sulphide cadmium telluride electron beam evaporation solar cell
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大幅宽多谱段高光谱红外探测器研究
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作者 王经纬 王晓龙 +2 位作者 付志凯 张智超 孟令伟 《红外》 CAS 2024年第4期1-6,共6页
报道了基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)技术的大幅宽、多谱段、大像元高光谱红外探测器的最新研究进展。采用MBE技术制备出高质量MCT材料;采用成熟的n-on-p技术路线制备探测芯片,并... 报道了基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)技术的大幅宽、多谱段、大像元高光谱红外探测器的最新研究进展。采用MBE技术制备出高质量MCT材料;采用成熟的n-on-p技术路线制备探测芯片,并针对特殊形状的大像元进行了优化;高光谱专用读出电路设计针对短波、窄谱段、小信号等典型特征进行了优化,并针对光谱应用加入行增益可调等功能设计。测试结果表明,组件基本性能良好,有效像元率大于99.5%,平均量子效率优于70%。 展开更多
关键词 高光谱 红外探测器 碲镉汞 分子束外延
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CdTe/ZnSe核壳量子点免疫层析试纸条检测克伦特罗的研究 被引量:32
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作者 胡华军 付涛 +3 位作者 张明洲 洪治 陈宗伦 刘军 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1727-173l,共5页
采用巯基丁二酸作为表面修饰剂,水相法合成水溶性的CdTe/ZnSe核壳量子点,然后在N-羟基琥珀酰亚胺(NHS)的作用下,将CdTe/ZnSe核壳量子点与抗克伦特罗多克隆抗体(Anti-CLE pAb)连接。通过凝胶电泳和斑点杂交实验,验证CdTe/ZnSe核壳量子点... 采用巯基丁二酸作为表面修饰剂,水相法合成水溶性的CdTe/ZnSe核壳量子点,然后在N-羟基琥珀酰亚胺(NHS)的作用下,将CdTe/ZnSe核壳量子点与抗克伦特罗多克隆抗体(Anti-CLE pAb)连接。通过凝胶电泳和斑点杂交实验,验证CdTe/ZnSe核壳量子点与Anti-CLE pAb连接成功,并且CdTe/ZnSe-Anti-CLE pAb偶联物能识别克伦特罗-BSA抗原(CLE-BSA)。光谱分析表明,量子点与抗体连接后荧光增强,荧光峰位从628nm红移至635nm。将合成的CdTe/ZnSe-Anti-CLE pAb偶联物作为指示克伦特罗(CLE)分子的荧光标记物,制备出一种用于检测CLE的免疫层析试纸条,其最低检测量可达1μg/L。与ELISA法的对比实验表明,此试纸条能应用于CLE残留的快速检测。 展开更多
关键词 核壳 量子点 免疫层析试纸条 试纸条检测 克伦特罗 Rapid Detection Quantum 偶联物 pAb 荧光标记物 水相法合成 琥珀酰亚胺 多克隆抗体 表面修饰剂 荧光增强 对比实验 凝胶电泳 快速检测 斑点杂交 ELISA法
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颜色可调的高荧光CdTe量子点的水相合成 被引量:17
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作者 王益林 黄武 +1 位作者 王荣芳 周立亚 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2727-2732,共6页
以亚碲酸钠为碲源,硼氢化钠为还原剂,一步合成了巯基丁二酸(MSA)稳定的CdTe量子点.研究了反应液pH值、镉与碲的摩尔比及镉与巯基丁二酸的摩尔比等实验条件对CdTe量子点体系荧光量子产率的影响,并用荧光光谱、X射线粉末衍射及透射电子显... 以亚碲酸钠为碲源,硼氢化钠为还原剂,一步合成了巯基丁二酸(MSA)稳定的CdTe量子点.研究了反应液pH值、镉与碲的摩尔比及镉与巯基丁二酸的摩尔比等实验条件对CdTe量子点体系荧光量子产率的影响,并用荧光光谱、X射线粉末衍射及透射电子显微镜等对其进行了表征.结果表明,CdTe量子点具有闪锌矿结构,形貌呈球状;在pH=10.5,n(Cd2+)∶n(Te2-)∶n(MSA)=1∶0.05∶1.4的条件下,制备的各种发光颜色的量子点都具有较高的荧光量子产率,最高值可达73.3%. 展开更多
关键词 碲化镉 量子点 荧光
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以TeO_2为碲源水相合成CdTe量子点及其表征 被引量:9
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作者 王益林 童张法 +1 位作者 陆建平 黎建辉 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期875-879,共5页
以二氧化碲为碲源、硼氢化钠为还原剂,合成了以巯基乙酸为稳定剂的CdTe量子点。研究了加热回流时间、反应液pH值、镉和碲的相对用量及温度等工艺条件对合成反应的影响。分别以紫外可见吸收光谱、荧光光谱、红外光谱、X射线晶体衍射及扫... 以二氧化碲为碲源、硼氢化钠为还原剂,合成了以巯基乙酸为稳定剂的CdTe量子点。研究了加热回流时间、反应液pH值、镉和碲的相对用量及温度等工艺条件对合成反应的影响。分别以紫外可见吸收光谱、荧光光谱、红外光谱、X射线晶体衍射及扫描探针显微镜对所得样品进行表征。结果表明,随着回流时间的延长,其紫外可见吸收及荧光发射光谱红移;颗粒表面有羧基;样品为闪锌矿结构;形貌呈球状。 展开更多
关键词 碲化镉 量子点 二氧化碲 荧光
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基于CdSe-CdTe量子点能量转移荧光猝灭法测定前列腺抗原 被引量:11
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作者 陶慧林 黎舒怀 李建平 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期224-229,共6页
研究了CdSe-CdTe量子点间发生的荧光共振能量转移,并用于荧光猝灭法测定超痕量前列腺抗原(PSA)。在pH 8.0的Tris-HCl缓冲溶液中,CdSe-CdTe间发生有效能量转移,使CdTe荧光大大增强。PSA抗原与CdTe标记的PSA抗体发生特异性反应,使能量转... 研究了CdSe-CdTe量子点间发生的荧光共振能量转移,并用于荧光猝灭法测定超痕量前列腺抗原(PSA)。在pH 8.0的Tris-HCl缓冲溶液中,CdSe-CdTe间发生有效能量转移,使CdTe荧光大大增强。PSA抗原与CdTe标记的PSA抗体发生特异性反应,使能量转移体系的CdTe上的荧光强度降低,即发生猝灭。建立了CdSe-CdTe能量转移荧光猝灭法测定PSA抗原的方法。在优化的实验条件下,PSA抗原的线性范围为0.28~10μg/L,相关系数r=0.9992,检出限达1.5×10-2μg/L(n=11)。 展开更多
关键词 量子点 共振能量转移 荧光猝灭法 前列腺抗原 CDSE cdte
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CdTe量子点的制备与应用 被引量:2
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作者 陶磊 闫玉禧 +2 位作者 王琳琳 曲芳芳 牟颖 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1299-1302,共4页
在微波样品处理器中,合成了量子产率为65%的CdTe量子点,发射波长为510-670 nm.该方法合成的量子点半峰宽较窄,发光强度较高.为了提高光稳定性,在制备的CdTe量子点表面包覆了硅层,得到尺寸分布较均匀的纳米粒子,并对其进行毒性检验.
关键词 碲化镉(cdte) 量子点 微波
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CdTe量子点酸度敏感荧光探针测定水样中铵根离子含量 被引量:6
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作者 董再蒸 周华萌 +2 位作者 徐淑坤 伊魁宇 张红艳 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1215-1218,共4页
本研究在水相中合成了高质量的巯基乙酸包被的CdTe量子点。在pH5.8~8.0范围内的PBS缓冲溶液中,CdTe量子点荧光强度与体系酸度存在良好的线性关系。利用NH4+对量子点荧光的猝灭作用,实现了对水溶液中NH4+的定量检测。在最优条件下,CdTe... 本研究在水相中合成了高质量的巯基乙酸包被的CdTe量子点。在pH5.8~8.0范围内的PBS缓冲溶液中,CdTe量子点荧光强度与体系酸度存在良好的线性关系。利用NH4+对量子点荧光的猝灭作用,实现了对水溶液中NH4+的定量检测。在最优条件下,CdTe量子点酸度敏感探针荧光的猝灭程度与NH4+浓度呈良好的线性关系,线性范围为0.05~6.0mmol/L,检出限为0.15μmol/L。对1.0mmol/L标准溶液平行测定11次,相对标准偏差为3.2%。利用标准加入法对水样中NH4+含量进行了测定,其结果与蒸馏-酸滴定法的结果基本一致。 展开更多
关键词 碲化镉 量子点 酸度敏感荧光探针 铵根离子
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HgCdTe多载流子体系的定量迁移率谱分析 被引量:4
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作者 桂永胜 郑国珍 +1 位作者 张新昌 褚君浩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第12期913-918,共6页
本文利用定量迁移率谱分析技术,通过研究样品霍尔系数和电阻率对磁场强度的依赖关系,获得了样品中参与导电的电子和空穴的浓度和迁移率,结果表明了定量迁移率谱分析方法具有很高的准确性和可靠性,并且它对样品中少子的贡献非常敏感.
关键词 红外探测器 多载流子体系 定量迁移率 谱分析
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CdTe薄膜的射频磁控溅射制备及表征 被引量:4
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作者 王波 张静全 +6 位作者 王生浩 冯良桓 雷智 武莉莉 李卫 黎兵 曾广根 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期376-380,共5页
采用射频磁控溅射技术制备了CdTe薄膜,使用探针式台阶仪、X射线衍射分析仪、紫外可见分光光度计、扫描电镜等表征了薄膜的厚度、结构、透过率、表面形貌等随溅射工艺的变化.结果表明:沉积速率随着功率的增加而增加,随气压的增加而呈线... 采用射频磁控溅射技术制备了CdTe薄膜,使用探针式台阶仪、X射线衍射分析仪、紫外可见分光光度计、扫描电镜等表征了薄膜的厚度、结构、透过率、表面形貌等随溅射工艺的变化.结果表明:沉积速率随着功率的增加而增加,随气压的增加而呈线性减小;薄膜的结晶程度随气压增大而降低;功率从100 W增大到180 W,出现了CdTe薄膜晶相从立方相向六方相的转变;当沉积条件为纯氩气氛、气压0.3 Pa、功率100 W、室温时,沉积的CdTe薄膜结晶性能最好. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 cdte 禁带宽度
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超声电化学快速制备近红外CdTe量子点与细胞成像 被引量:5
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作者 石建军 王圣 +1 位作者 何婷婷 姜立萍 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2071-2078,共8页
针对当前水溶性量子点合成路线复杂、量子产率低的现状,在无需N2保护的条件下,采用简便的超声电化学方法快速合成了CdTe量子点前驱体;并对不同条件下制得的前驱体加热回流,得到水溶性、高质量的近红外CdTe量子点。产物的形貌、结构和组... 针对当前水溶性量子点合成路线复杂、量子产率低的现状,在无需N2保护的条件下,采用简便的超声电化学方法快速合成了CdTe量子点前驱体;并对不同条件下制得的前驱体加热回流,得到水溶性、高质量的近红外CdTe量子点。产物的形貌、结构和组成通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X-射线粉末衍射(XRD)等手段进行了表征。考察了超声电化学参数和回流条件对量子点荧光性质的影响。通过控制电流脉冲宽度、反应时间、反应温度等参数,实现了CdTe量子点前驱体的可控制备;通过调节加热回流条件得到不同荧光发射波长的量子点;选用602 nm近红外发射波长的CdTe量子点标记了子宫颈癌细胞(Hela),并采用共聚焦技术实现了肿瘤细胞的显微成像观察。和传统的量子点合成方法相比,超声电化学方法具有合成路线简单、参数易调可控的特点;为高品质量子点的快速制备提供了新的思路,拓展了超声电化学在纳米材料制备领域的应用。 展开更多
关键词 超声电化学 碲化镉 近红外量子点 前驱体可控 细胞成像
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TGA-CdTe量子点在荧光探针方面应用 被引量:8
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作者 夏姣云 徐万邦 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期193-199,共7页
以巯基乙酸(TGA)为稳定剂,在加热回流氮气保护条件下制备CdTe量子点,用荧光分光光度计、透射电子显微镜和X射线粉末衍射仪对CdTe量子点进行表征。以该量子点为荧光探针,完善荧光淬灭法测定Cu2+、Hg2+和Ag+等重金属离子的方法。考察缓冲... 以巯基乙酸(TGA)为稳定剂,在加热回流氮气保护条件下制备CdTe量子点,用荧光分光光度计、透射电子显微镜和X射线粉末衍射仪对CdTe量子点进行表征。以该量子点为荧光探针,完善荧光淬灭法测定Cu2+、Hg2+和Ag+等重金属离子的方法。考察缓冲溶液的pH值、反应时间、量子点浓度、量子点的稳定性和干扰离子等多种因素对重金属离子测定的影响。在pH值为6.2的三羟甲基氨基甲烷(tris)-盐酸缓冲溶液中,当量子点的浓度为4.2×10-2μg/L和反应时间为30 min时,测得Cu2+、Hg2+和Ag+的线性区间分别为2.3~250μg、3.2~300μg和4.3~150μg,检测下限分别为0.28μg/L、0.53μg/L和0.35μg/L。并发现只有当所测量的重金属离子能与所采用的量子点能生成更难溶于水的沉淀才能引起量子点的荧光淬灭,从而可以对此类重金属离子进行定量检测。 展开更多
关键词 碲化镉 荧光探针 量子点
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水相合成CdTe量子点及其性能表征 被引量:2
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作者 姜青松 朱月华 +4 位作者 王海波 施丰华 卓宁泽 李东志 汤坤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第16期16074-16078,共5页
以NaTeO3为碲源,巯基乙酸(TGA)为稳定剂,合成CdTe量子点。研究Cd2+的浓度、Cd2+-TGA前驱体室温静置时间对CdTe量子点荧光光谱、荧光量子效率的影响,并用X射线粉末衍射仪和透射电子显微镜对其结晶性能、结构以及形貌进行表征。实验表明,... 以NaTeO3为碲源,巯基乙酸(TGA)为稳定剂,合成CdTe量子点。研究Cd2+的浓度、Cd2+-TGA前驱体室温静置时间对CdTe量子点荧光光谱、荧光量子效率的影响,并用X射线粉末衍射仪和透射电子显微镜对其结晶性能、结构以及形貌进行表征。实验表明,所制备的CdTe量子点具有闪锌矿结构和球形形貌。且在Cd2+-TGA前驱体室温静置50min后参与回流,Cd2+浓度为0.00067mol/L时,荧光量子效率最高可达48.4%。 展开更多
关键词 cdte 巯基乙酸 量子点
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富汞开管热处理对碲镉汞性能影响的研究
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作者 李浩冉 戴永喜 +3 位作者 宁提 马腾达 王娇 米南阳 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期556-560,共5页
本文采用富汞开管热处理设备对中波MCT材料进行N型退火,研究并解决了如何控制汞蒸气回流的问题。在相同的退火温度和退火时间,使用开管退火工艺和闭管退火工艺进行了对比实验,研究发现随退火时间的增加,两种工艺处理的芯片霍尔浓度呈下... 本文采用富汞开管热处理设备对中波MCT材料进行N型退火,研究并解决了如何控制汞蒸气回流的问题。在相同的退火温度和退火时间,使用开管退火工艺和闭管退火工艺进行了对比实验,研究发现随退火时间的增加,两种工艺处理的芯片霍尔浓度呈下降趋势,载流子迁移率呈上升趋势。当退火温度和退火时间相同时,开管退火工艺的载流子迁移率更高。对开管退火工艺的芯片进行I V测试和器件组件最终测试,其性能较好。 展开更多
关键词 富汞开管热处理 汞空位 碲镉汞
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HgCdTe晶体双晶衍射测量讨论 被引量:1
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作者 蔡毅 《红外与激光工程》 EI CSCD 1997年第2期18-26,44,共10页
体晶和外延生长技术的进步明显改善了HgCdTe晶体的结构完整性,更多地提出了可定量评价其结晶品质的双晶衍射测量的需求。文中先用动力学衍射理论计算了完整HgCdTe及四种相关晶体X射线全反射角宽度,然后根据计算和实验结果讨论了适合于... 体晶和外延生长技术的进步明显改善了HgCdTe晶体的结构完整性,更多地提出了可定量评价其结晶品质的双晶衍射测量的需求。文中先用动力学衍射理论计算了完整HgCdTe及四种相关晶体X射线全反射角宽度,然后根据计算和实验结果讨论了适合于HgCdTe晶体双晶衍射测量的几何布置和测量条件对实际摆动曲线的影响。 展开更多
关键词 HGcdte X射线衍射分析 X射线晶体学 外延生长
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透视空天红外遥感探测技术:演进规律与发展趋势
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作者 李亚冉 保昊辰 孙胜利 《上海航天(中英文)》 CSCD 2024年第3期25-36,共12页
空天红外遥感探测技术对国民经济发展和战略国防能力建设具有重要意义,是推动我国红外科技进步的关键引擎,更是实现航天科技强国战略的重要基石。本文重点展现了气象卫星观测技术、地物目标精细成像技术、红外焦平面探测器技术以及新时... 空天红外遥感探测技术对国民经济发展和战略国防能力建设具有重要意义,是推动我国红外科技进步的关键引擎,更是实现航天科技强国战略的重要基石。本文重点展现了气象卫星观测技术、地物目标精细成像技术、红外焦平面探测器技术以及新时代背景下的遥感应用等多个与红外科技紧密相连的关键领域的研究进展。通过系统梳理相关技术的发展脉络,总结演进规律,并深入剖析最新研究成果,旨在精准洞察未来空天红外科技的潜在发展方向,为我国红外科技的不断创新和航天事业的蓬勃发展提供坚实的支撑。 展开更多
关键词 对地观测 风云卫星 地球同步轨道 高光谱遥感 热像仪 碲镉汞焦平面 人工智能 数字孪生 智能感知 元宇宙
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可见光下发绿光的聚苯乙烯/CdTe复合材料的制备及光学性能研究
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作者 王文 林美娟 +1 位作者 黄丽梅 苏棉棉 《中国塑料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期30-34,共5页
首先合成了带正电荷的十二烷基二甲基乙烯基卞基氯化铵,通过静电作用将其与用巯基丙酸修饰的带负电荷的CdTe纳米量子点结合,得到包覆有CdTe量子点的可聚合性的单体,将其与苯乙烯本体共聚后得到可见光下可发绿光的聚苯乙烯(PS)/CdTe复合... 首先合成了带正电荷的十二烷基二甲基乙烯基卞基氯化铵,通过静电作用将其与用巯基丙酸修饰的带负电荷的CdTe纳米量子点结合,得到包覆有CdTe量子点的可聚合性的单体,将其与苯乙烯本体共聚后得到可见光下可发绿光的聚苯乙烯(PS)/CdTe复合材料。采用红外光谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜表征其结构,并用紫外可见光吸收光谱、荧光光谱测试其光学性能。结果表明,在紫外到可见光区域(380~480nm)激发下,该复合材料均可发出绿光。当包覆有CdTe纳米量子点的可聚合性单体的含量为1.2%(质量分数,下同)时,材料的荧光量子效率可达到0.096。 展开更多
关键词 聚苯乙烯 碲化镉 量子点 复合材料 光学性能
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CdTe:Sm晶体的红外光谱
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作者 韩平 马可军 +4 位作者 刘普霖 史国良 朱景兵 刘卫军 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第5期333-340,共8页
对掺Sm的CdTe(CdTe:Sm)晶体的红外光谱(400~5000cm^(-1))研究表明其中存在Sm^(2+)和Sm^(3+)两种价态的Sm离子,Sm^(2+)处于晶体的间隙位置,周围为非立方对称的晶体场;Sm^(3+)可以取代Cd原子而位于晶格格点处(C中心),也可以处于晶格间隙... 对掺Sm的CdTe(CdTe:Sm)晶体的红外光谱(400~5000cm^(-1))研究表明其中存在Sm^(2+)和Sm^(3+)两种价态的Sm离子,Sm^(2+)处于晶体的间隙位置,周围为非立方对称的晶体场;Sm^(3+)可以取代Cd原子而位于晶格格点处(C中心),也可以处于晶格间隙位置依其次近邻是否存在Cd空位而分别构成A中心和B中心。B中心和C中心均处于立方对称的晶体场中,经退火(Cd气氛,~600°)A中心消失。 展开更多
关键词 碲镉钐 红外光谱 晶体场
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碲化镉量子点(CdTe QDs)对肝细胞的毒性效应及线粒体介导的毒性机制研究
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作者 陆杰 姚影 +9 位作者 汪岩 臧一腾 瞿靖 何克宇 吴添舒 梁雪 魏婷婷 熊丽林 张婷 唐萌 《生态毒理学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期154-162,共9页
本文探讨了碲化镉量子点(CdTe QDs)对肝细胞的毒性效应及其影响因素,为探索量子点的肝毒性机制提供一定依据。采用人肝癌细胞(Hep G2)和人正常肝细胞(L02)为细胞模型,设置0、25、50和100μmol·L-14个浓度组,采用CCK-8法检测细胞生... 本文探讨了碲化镉量子点(CdTe QDs)对肝细胞的毒性效应及其影响因素,为探索量子点的肝毒性机制提供一定依据。采用人肝癌细胞(Hep G2)和人正常肝细胞(L02)为细胞模型,设置0、25、50和100μmol·L-14个浓度组,采用CCK-8法检测细胞生存率,石墨炉法检测细胞内镉元素含量,采用流式细胞术,装载荧光探针DCFH-DA检测细胞内活性氧水平,采用FITC/PI检测细胞凋亡以及JC-1检测细胞ATP水平。研究结果显示:CdTe QDs诱导2种肝细胞生存率降低,细胞凋亡率升高,细胞对QDs的摄入水平具有时间依赖性,细胞内活性氧水平显著升高,线粒体膜电位降低和ATP含量显著减少,且2种肝细胞比较发现L02细胞损伤程度更为严重。CdTe QDs对2种肝细胞造成损伤,对L02细胞损伤更明显,其原因是L02细胞对CdTe QDs摄取更多,导致进入细胞的QDs引发更为严重的损伤效应。 展开更多
关键词 碲化镉量子点 肝细胞 线粒体损伤 细胞凋亡 活性氧
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