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碳掺杂GaAs激光器侧向扩展电流的研究
被引量:
1
1
作者
邹德恕
廉鹏
+6 位作者
殷涛
李爽
刘莹
高国
罗辑
杜金玉
沈光地
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期10-11,19,共3页
实验研究了碳掺杂GaAs激光器帽层的侧向扩展电流对阈值的影响。
关键词
砷化镓激光器
碳
掺杂
侧向扩展电流
激光器
下载PDF
职称材料
题名
碳掺杂GaAs激光器侧向扩展电流的研究
被引量:
1
1
作者
邹德恕
廉鹏
殷涛
李爽
刘莹
高国
罗辑
杜金玉
沈光地
机构
北京工业大学电子工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期10-11,19,共3页
基金
国家自然基金
国家 "863"项目资助
文摘
实验研究了碳掺杂GaAs激光器帽层的侧向扩展电流对阈值的影响。
关键词
砷化镓激光器
碳
掺杂
侧向扩展电流
激光器
Keywords
carbon doped side diffusion current threshold
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳掺杂GaAs激光器侧向扩展电流的研究
邹德恕
廉鹏
殷涛
李爽
刘莹
高国
罗辑
杜金玉
沈光地
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
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