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碳掺杂硼氮纳米管导电性的理论研究
被引量:
1
1
作者
赵景祥
戴柏青
张桂玲
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期304-307,共4页
根据 DFT/ B3 LYP的计算结果 ,从能带、态密度和电子结构的变化 ,讨论了以 C_ C键替换 B_ N键的二碳和四碳掺杂的硼氮纳米管的导电性 .结果表明 ,替换后硼氮纳米管的导电性能增强 。
关键词
碳掺杂硼氮纳米管
能带
态密度
电子结构
DFT/B3LYP计算
下载PDF
职称材料
题名
碳掺杂硼氮纳米管导电性的理论研究
被引量:
1
1
作者
赵景祥
戴柏青
张桂玲
机构
哈尔滨师范大学化学系
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期304-307,共4页
基金
黑龙江省自然科学基金 (批准号 :B0 2 0 7)资助
文摘
根据 DFT/ B3 LYP的计算结果 ,从能带、态密度和电子结构的变化 ,讨论了以 C_ C键替换 B_ N键的二碳和四碳掺杂的硼氮纳米管的导电性 .结果表明 ,替换后硼氮纳米管的导电性能增强 。
关键词
碳掺杂硼氮纳米管
能带
态密度
电子结构
DFT/B3LYP计算
Keywords
carbon
doped
boron-nitride
nanotube
(
bnnt
)
Energy band
Density of state(DOS)
\{Electronic\} structure
DFT/B3LYP calculation
分类号
O641 [理学—物理化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳掺杂硼氮纳米管导电性的理论研究
赵景祥
戴柏青
张桂玲
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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职称材料
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