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稀磁半导体CdMnTe单晶的制备新技术
1
作者
马国立
郭喜平
介万奇
《材料科学与工程》
CSCD
1999年第3期31-34,共4页
CdMnTe是近年来出现的一种新型半导体材料,由于材料中含有磁性Mn2+离子,所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学、光学、电学性质,同时也可用作红外探测器制备中的衬底材料,但是,受材料本身特性的限制,采用传统...
CdMnTe是近年来出现的一种新型半导体材料,由于材料中含有磁性Mn2+离子,所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学、光学、电学性质,同时也可用作红外探测器制备中的衬底材料,但是,受材料本身特性的限制,采用传统的长晶工艺制备这种材料存在有较大的困难。本文采用ACRT—B技术来进行晶体生长,使混料和长晶一次完成。
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关键词
ACRT-B
半导体
稀释磁性半导体
镉锰碲
单晶
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职称材料
题名
稀磁半导体CdMnTe单晶的制备新技术
1
作者
马国立
郭喜平
介万奇
机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
出处
《材料科学与工程》
CSCD
1999年第3期31-34,共4页
基金
航空基金资助
文摘
CdMnTe是近年来出现的一种新型半导体材料,由于材料中含有磁性Mn2+离子,所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学、光学、电学性质,同时也可用作红外探测器制备中的衬底材料,但是,受材料本身特性的限制,采用传统的长晶工艺制备这种材料存在有较大的困难。本文采用ACRT—B技术来进行晶体生长,使混料和长晶一次完成。
关键词
ACRT-B
半导体
稀释磁性半导体
镉锰碲
单晶
Keywords
cd m n te
A C R T B
dilu
te
d
m
ag
n
etic se
m
ico
n
ductors
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
稀磁半导体CdMnTe单晶的制备新技术
马国立
郭喜平
介万奇
《材料科学与工程》
CSCD
1999
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