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高荧光CdTe量子点荧光探针测定Cu^(2+) 被引量:5
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作者 王书源 李忠海 +2 位作者 付湘晋 张慧 黎继烈 《食品与机械》 CSCD 北大核心 2015年第2期125-129,共5页
以亚碲酸钠为碲源,巯基丙酸(MPA)和柠檬酸三钠为稳定剂在水相中一步合成了具有良好荧光性质的Cd Te量子点,并利用Cd Te量子点与Cu2+混合后会发生荧光猝灭的现象,建立Cu2+测定方法,并对反应条件如缓冲体系的浓度和p H值、反应时间、量子... 以亚碲酸钠为碲源,巯基丙酸(MPA)和柠檬酸三钠为稳定剂在水相中一步合成了具有良好荧光性质的Cd Te量子点,并利用Cd Te量子点与Cu2+混合后会发生荧光猝灭的现象,建立Cu2+测定方法,并对反应条件如缓冲体系的浓度和p H值、反应时间、量子点浓度以及试剂添加顺序进行优化。优化结果为:在p H 6.6、浓度为0.01 mol/L的磷酸一氢钠—磷酸氢二钠缓冲液中,量子点浓度5×109mol/L,以量子点—缓冲液—金属离子的添加顺序反应30 min,可得到最佳反应效果。研究显示,最佳试验条件下,Cu2+浓度为0~5×107mol/L范围内,Cd Te量子点的荧光强度猝灭程度与Cu2+浓度之间呈良好的线性关系,线性相关系数R2=0.988 4,检出限为1×108mol/L。 展开更多
关键词 碲化镉量子点 铜离子 荧光猝灭
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抗坏血酸还原亚碲酸钠水相合成CdTe量子点 被引量:5
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作者 谢宪 于梅花 +1 位作者 张惠萍 王益林 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期608-613,共6页
在碱性条件下,镉离子与巯基乙酸形成配合物(Cd-SCH2COO-),亚碲酸钠中+4价的碲被抗坏血酸还原成-2价后与Cd-SCH2COO-配合物结合,形成Cd Te晶核;经加热回流后晶核不断生长,得到不同发射波长的Cd Te量子点.研究了反应时间、巯基乙酸与镉及... 在碱性条件下,镉离子与巯基乙酸形成配合物(Cd-SCH2COO-),亚碲酸钠中+4价的碲被抗坏血酸还原成-2价后与Cd-SCH2COO-配合物结合,形成Cd Te晶核;经加热回流后晶核不断生长,得到不同发射波长的Cd Te量子点.研究了反应时间、巯基乙酸与镉及碲与镉的摩尔比等实验条件对Cd Te量子点荧光性能的影响.用X射线粉末衍射和透射电镜等分析手段对量子点的结构进行了表征.结果表明,采用这种方法制得的Cd Te量子点为立方晶型,荧光量子产率可达27.1%,反应时间及反应物的相对用量对量子点的荧光性能有明显影响. 展开更多
关键词 cd te量子点 光学性质 发光
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Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的X射线衍射 被引量:2
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作者 魏彦锋 王庆学 +2 位作者 陈新强 杨建荣 何力 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期946-950,共5页
采用高分辨 X射线衍射的方法 ,研究了 Hg1 - x Cdx Te液相外延材料的 X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系 .实验观察到了组分互扩散效应对摇摆曲线和材料晶格常数的影响 .衬底与外延层之间的互扩散区约为 2~ 3μm,在... 采用高分辨 X射线衍射的方法 ,研究了 Hg1 - x Cdx Te液相外延材料的 X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系 .实验观察到了组分互扩散效应对摇摆曲线和材料晶格常数的影响 .衬底与外延层之间的互扩散区约为 2~ 3μm,在此区域 ,摇摆曲线半峰宽变窄 ,表明从衬底扩散来的 Zn元素降低了界面处的位错密度 .通过测量晶格常数随厚度的变化 ,得到了 Cd组分的纵向分布 ,表面组分低 ,越靠近衬底组分越高 ,组分分布呈非线性变化 。 展开更多
关键词 Hg1-χcdχte 液相外延 X射线衍射
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CdTe和CdZnTe电子结构及成键机理的第一性原理研究 被引量:2
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作者 曾冬梅 孟捷 +3 位作者 慕银银 刘伟光 吴本泽 庄光程 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期224-228,共5页
采用基于密度泛函理论的CASTEP程序软件包,计算了CdTe和CdZnTe的能带结构和态密度,研究对比了CdTe和CdZnTe的分子内成键机制。结果表明,在CdZnTe中,Cd e_g和Te 5s杂化形成较低的价带,Zn t_(2g)和Te 5_(p_z)杂化形成的π键等构成中间价带... 采用基于密度泛函理论的CASTEP程序软件包,计算了CdTe和CdZnTe的能带结构和态密度,研究对比了CdTe和CdZnTe的分子内成键机制。结果表明,在CdZnTe中,Cd e_g和Te 5s杂化形成较低的价带,Zn t_(2g)和Te 5_(p_z)杂化形成的π键等构成中间价带,Zn 4s和Te 5_(p_z)杂化形成的σ键等构成导带。Cd 5s和Te 5s不再杂化,导带底向高能级方向移动。 展开更多
关键词 cd te cd Zn te 能带结构 态密度 电子结构
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水溶液中阴极电沉积半导体 CdTe 薄膜性能的研究 被引量:4
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作者 樊玉薇 李永祥 吴冲若 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期425-428,共4页
研究了半导体CdTe薄膜不同阴极电沉积条件(搅拌、加温)下,沉积电位与电流密度、沉积速率的关系。着重研究了沉积电位对CdTe膜层成份及导电类型的影响,通过控制沉积电位制备了不同导电类型的半导体CdTe薄膜。对沉积膜形... 研究了半导体CdTe薄膜不同阴极电沉积条件(搅拌、加温)下,沉积电位与电流密度、沉积速率的关系。着重研究了沉积电位对CdTe膜层成份及导电类型的影响,通过控制沉积电位制备了不同导电类型的半导体CdTe薄膜。对沉积膜形貌和结构分析表明,室温搅拌条件下沉积的CdTe薄膜,整体均匀性好,呈非晶结构,氮气氛中高温退火后,CdTe膜沿一定方向有较明显取向。 展开更多
关键词 半导体 薄膜 沉积电位 太阳能
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基于高导热碳纤维的HgCdTe大面阵探测器热适配结构在空间红外遥感相机中的应用 被引量:5
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作者 罗世魁 成桂梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第7期26-31,共6页
Hg Cd Te面阵探测器是空间红外遥感相机的关键部件,随着性能需求的不断提高,器件的规模尺寸不断扩大。Hg Cd Te面阵探测器在常温下与承载板进行装配,但在深冷状态下工作,需要耐受200 K左右的温度波动。由于探测器与承载板的线膨胀系数... Hg Cd Te面阵探测器是空间红外遥感相机的关键部件,随着性能需求的不断提高,器件的规模尺寸不断扩大。Hg Cd Te面阵探测器在常温下与承载板进行装配,但在深冷状态下工作,需要耐受200 K左右的温度波动。由于探测器与承载板的线膨胀系数不匹配,温度波动会引起探测器翘曲变形,变形严重时,将导致探测器损伤。提出基于高导热碳纤维的Hg Cd Te大面阵探测器热适配结构,以碳纤维的轴向高热导率降低结构热阻,以碳纤维的极小抗弯截面模量实现热适配结构两端面间的刚度解耦。相对于探测器与承载板直粘,引入基于高导热碳纤维的热适配结构后,探测器与承载板间的热阻仅增加了约1%,而探测器热失配翘曲变形衰减了99.9%,解决了大面阵探测器与承载板间的热失配翘曲变形损伤问题。并对基于碳纤维的热适配结构制备工艺方案进行了简单介绍。 展开更多
关键词 热适配结构 HG cd te面阵探测器 空间红外遥感相机 碳纤维 悬臂梁 线膨胀系数
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Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体 被引量:3
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作者 李国强 谷智 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期95-97,99,共4页
 采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为φ30mm×130mm的Cd0.9Zn0.1Te晶锭。测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率。结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体...  采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为φ30mm×130mm的Cd0.9Zn0.1Te晶锭。测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率。结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高。这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法。 展开更多
关键词 cd补偿垂直布里奇曼法 cd0.9Zn0.1te晶体 EPD 红外透过率 电阻率 晶体生长
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Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的貌相分析 被引量:2
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作者 朱基千 李标 +3 位作者 褚君浩 陈新强 曹菊英 程继健 《华东理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期68-72,共5页
用扫描电子显微镜、能量散射X-射线分析及金相显微镜等方法,研究了Hg1-xCdxTe液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系,以及外延层夹杂和晶界存在的影响。结果表明,衬底沾污及晶界的存在会使外延薄膜的貌相变差;生长... 用扫描电子显微镜、能量散射X-射线分析及金相显微镜等方法,研究了Hg1-xCdxTe液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系,以及外延层夹杂和晶界存在的影响。结果表明,衬底沾污及晶界的存在会使外延薄膜的貌相变差;生长前衬底表面覆盖可以减轻其表面沾污,用适当的回熔LPE工艺。 展开更多
关键词 貌相 液相外延 薄膜 HGcdte 红外探测器
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CdTe量子点的合成及其与Pb^(2+)的相互作用 被引量:1
9
作者 伊魁宇 魏春生 +1 位作者 宋子佳 王猛 《合成化学》 CAS CSCD 2016年第1期21-25,共5页
通过水热法合成了巯基乙酸和巯基丙酸混合配体修饰的水溶性Cd Te量子点(QDs)。应用荧光光谱法研究了Cd Te QDs与Pb2+的相互作用规律。结果表明:Pb2+可引起Cd Te QDs强烈的荧光淬灭。利用Stern-Volmer和双对数回归曲线方程,对Pb2+淬灭Cd ... 通过水热法合成了巯基乙酸和巯基丙酸混合配体修饰的水溶性Cd Te量子点(QDs)。应用荧光光谱法研究了Cd Te QDs与Pb2+的相互作用规律。结果表明:Pb2+可引起Cd Te QDs强烈的荧光淬灭。利用Stern-Volmer和双对数回归曲线方程,对Pb2+淬灭Cd Te QDs的机制进行了探讨。结果表明:巯基羧酸修饰的Cd Te QDs与Pb2+之间有较强的淬灭作用,其淬灭机制为内源性静态荧光淬灭。 展开更多
关键词 cdte量子点 合成 PB2+ 相互作用 荧光淬灭
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Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体的磁化强度和法拉第效应研究 被引量:5
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作者 张继军 王林军 施凌云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期831-833,837,共4页
采用垂直Bridgman法制备出了x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体(Cd0.8Mn0.2Te)。利用MPMS-7(magnetic property measurement system)型超导量子磁强计测量了Cd0.8Mn0.2Te晶体的磁化强度(M)与磁场强度(H)和温度(T)的关系,磁场强度范围为-1592~1592k... 采用垂直Bridgman法制备出了x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体(Cd0.8Mn0.2Te)。利用MPMS-7(magnetic property measurement system)型超导量子磁强计测量了Cd0.8Mn0.2Te晶体的磁化强度(M)与磁场强度(H)和温度(T)的关系,磁场强度范围为-1592~1592kA/m,温度范围为2~200K。Cd0.8Mn0.2Te晶体的法拉第效应测试在300K温度下进行,磁场强度<0.2T。2K温度下的M-H曲线表明,晶体的Mn2+离子之间存在反铁磁相互作用。796A/m恒磁场下的磁化率χ与温度T的关系研究表明,晶体在2~200K之间是顺磁态,当T>40K时,χ与T满足居里-外斯定律;T<40K,χ与T的关系偏离居里-外斯定律,表现出顺磁增强现象。法拉第效应研究表明,晶体的Verdet常数的绝对值达到2×103deg/cm.T,采用单振子模型能够很好地拟合实验数据,得出晶体的激子能量E0=1.831eV,说明sp-d交换相互作用引起的激子跃迁对晶体的巨法拉第效应起到主要作用。 展开更多
关键词 cd0.8Mn0.2te 磁化强度 顺磁态 法拉第效应
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表面固定电荷对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响 被引量:1
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作者 桂永胜 郑国珍 +2 位作者 褚君浩 郭少令 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期121-125,共5页
研究了表面固定电荷密度对HgCdTe光导探测器性能的影响,计算结果表明,表面固定电荷对器件的性能有着重要的影响,选择合适的钝化工艺,控制表面固定电荷密度。
关键词 HGcdte 光导探测器 电压响应 光电子器件
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热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究(英文) 被引量:3
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作者 闵嘉华 桑文斌 +6 位作者 刘洪涛 钱永彪 滕建勇 樊建荣 李万万 张斌 金玮 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期471-474,共4页
对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明,In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片经处理... 对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明,In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型,在热处理温度700℃,In分压6.1×10^-4Pa,退火时间达48h后,电阻率可以提高到2.6×10^9Ω·cm。 展开更多
关键词 cdZNte 热处理 cd/Zn平衡分压 In扩散
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Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Al掺杂研究 被引量:2
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作者 刘伟华 介万奇 +2 位作者 王涛 徐凌燕 徐亚东 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期529-531,534,共4页
采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)分别生长了Al掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体,并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响。在相同的工艺条件下,Al掺杂晶体获得了6×10^9~2×10^10Ω·cm的高电阻率,呈弱P或弱n型导电;I... 采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)分别生长了Al掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体,并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响。在相同的工艺条件下,Al掺杂晶体获得了6×10^9~2×10^10Ω·cm的高电阻率,呈弱P或弱n型导电;In掺杂晶体电阻率在10^5Ω·cm数量级,呈扎型导电;Al掺杂晶体在波数4000-500cm^-1范围内红外透过率平直且较高,而In掺杂晶体红外透过率随波数下降而降低,在波数1250cm^-1处降至零。采用Al掺杂晶片制备的探测器对^241Am59.54keV射线的能量分辨率为14%,表明所生长Al掺杂晶体基本满足了探测器材料使用要求。 展开更多
关键词 cd0.2Zn0.1te AL掺杂 霍尔测试 红外透过率
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Hg_(1-x)Cd_xTe的远红外透射光谱与晶格振动 被引量:1
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作者 李标 褚君浩 +2 位作者 叶红娟 蒋伟 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期11-15,共5页
采用傅里叶变换红外光谱仪,在4.2~300K、20~350cm-1范围测量了Hg1-xCdxTe的远红外透射光谱,研究了剩余射线吸收带两侧样品的吸收行为.除了单声子及双声子模外。
关键词 远红外透射光谱 振动模 汞镉Ti
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CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响 被引量:1
15
作者 王仍 焦翠灵 +6 位作者 张莉萍 张可锋 陆液 杜云辰 邵秀华 林杏潮 李向阳 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1064-1067,共4页
利用气相外延技术在Cd Zn Te衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度Cd Zn Te衬底上的外延结果发现,Cd Zn Te衬底对外延形貌的影响非常大。(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌。对... 利用气相外延技术在Cd Zn Te衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度Cd Zn Te衬底上的外延结果发现,Cd Zn Te衬底对外延形貌的影响非常大。(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌。对于同是<111>Cd Zn Te晶向的衬底,(111)Cd面Cd Zn Te衬底上的外延形貌明显优于(111)Te面。对于(111)Cd面Cd Zn Te衬底,当晶向偏离角度不同时,其外延形貌也有差异,晶向偏离角越小表面形貌越好。 展开更多
关键词 Hg1-xcdxte晶体 cdZnte衬底 (111)cd (111)te
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新型稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xIn_2Te_4的光学和磁学性能 被引量:2
16
作者 安卫军 常永勤 +1 位作者 郭喜平 介万奇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1057-1061,共5页
采用垂直Bridgman法制备出了x =0 1、0 2 2和 0 4的Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体 .采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性 .用超导量子磁强计测量了样品在温度范围 5~ 30 0K和磁场强度范围 0~ 5T内的磁化强度 .在中红外波段透过率... 采用垂直Bridgman法制备出了x =0 1、0 2 2和 0 4的Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体 .采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性 .用超导量子磁强计测量了样品在温度范围 5~ 30 0K和磁场强度范围 0~ 5T内的磁化强度 .在中红外波段透过率曲线变化很小 .随着x的增加Cd1-xMnxIn2 Te4 的光学带隙移向高能端 .磁化率倒数 χ-1与温度T的关系曲线在高温区服从居里 万斯定律 ,在低温下x≥ 0 2 2时向下偏离该定律 .与具有相同Mn2 + 浓度的Cd1-xMnxTe晶体相比Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体的交换积分常数较小 . 展开更多
关键词 稀磁半导体 cd1-xMnxIn2te4 红外透过度 磁化率 反铁磁交换作用 DMS
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Cu/Ag导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究 被引量:1
17
作者 孙金池 刘正堂 +2 位作者 张兴刚 崔虎 李阳平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1189-1191,1195,共4页
采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能。讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的... 采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能。讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降。通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流。对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃。利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响。 展开更多
关键词 Cu/Ag导电薄膜 cd0.9Zn0.1te晶体 接触 磁控溅射
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Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用 被引量:7
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作者 邵烨 郑家贵 +6 位作者 蔡道林 张静全 蔡伟 武莉莉 蔡亚平 李卫 冯良桓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期183-188,共6页
用共蒸发法制备了 Cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 Cd1 - x-Znx Te过渡层的 Cd ... 用共蒸发法制备了 Cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 Cd1 - x-Znx Te过渡层的 Cd S/ Cd Te/ Cd1 - x Znx Te/ Zn Te∶ Cu电池 .并在相同工艺下制备了 Cd S/ Cd Te/ Cd0 .4 Zn0 .6 Te/ Zn Te∶ Cu与 Cd S/ Cd Te/ Zn Te∶ Cu太阳电池 ,发现前者比后者效率平均增加了 35 .0 % . 展开更多
关键词 cd1-xZnxte薄膜 共蒸发法 cdte太阳电池 光能隙
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脉冲激光烧蚀Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体过程的分析 被引量:1
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作者 郭娟 满宝元 《山东师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第2期42-43,共2页
文中测量了Hg0.8Cd0.2Te靶在波长为1064nm、脉宽10ns的脉冲激光辐照下的蒸发损伤阈值,理论计算值与实验结果符合得很好.进而根据能量守恒定律数值计算了Hg0.8Cd0.2Te的蒸发温度.
关键词 激光烧蚀 Hg0.8cd0.2te晶体 蒸发阈值
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GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构 被引量:1
20
作者 刘义族 于福聚 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第3期39-42,共4页
用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg T... 用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与 展开更多
关键词 分子束外延法 Hg1-xcdxte-Hgte超晶格 cdte/Znte/GaAs异质结 双缓冲层生长 晶格结构 晶格生长
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