Cd掺杂BZCN薄膜的制备及其介电性能

用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明,沉积温度为600℃,退火温度为700℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz,测试电场强度为1.33×106 V/cm的条件下,介电可调率达到11.8%,tanδ小于0.004 2。

La掺杂对CdS薄膜性能的影响

采用化学水浴法在玻璃衬底上制备了纯CdS薄膜和稀土La掺杂的CdS薄膜,在氮气气氛中对薄膜进行热处理。结果表明,未掺杂样品为立方闪锌矿CdS,La掺杂后衍射强峰仍为立方闪锌矿(111)晶向,但出现了微弱的六方纤锌矿结构,而且增强了短波光和近红外光的透过率,禁带宽度明显减小,同时La的掺入促进S元素百分含量的增加,使Cd/S更接近化学计量比。

稀土元素(Gd,Y)掺杂CdS薄膜的制备及其性能研究

采用化学水浴法两次沉积CdS,结合电子束真空蒸发法在两层CdS之间引入稀土层,制备含有不同厚度稀土Gd、Y掺杂层的CdS多晶薄膜。利用XRD、SEM、EDX、UV-VIS透射光谱和霍尔效应测试仪对薄膜的晶型、表面形貌、化学组成、光学及电学性能进行研究。结果表明:未掺杂的薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为n型。含有稀土Gd(Y)掺杂层的CdS多晶薄膜为立方相和六方相的混合结构,导电类型仍为n型,薄膜的均匀性和致密性得到改善,薄膜中Cd和S的原子比更接近CdS的化学计量比,稀土掺杂可提高CdS薄膜在可见光范围内的透过率,使薄膜载流子浓度增大、导电性能明显增强。

Dy掺杂的CdS薄膜的制备及性能分析

采用化学水浴法在玻璃衬底上制备纯的和稀土Dy掺杂的CdS薄膜，并在N：气氛中，对以上制备的薄膜进行T=350℃、t=40min的热处理。实验结果表明，水浴温度在70℃-80℃间制备的CdS薄膜，表面致密、光滑，膜的质量最好，且为沿[111]晶向择优生长的立方闪锌矿结构。掺Dy虽未改变CdS薄膜的晶体结构，但改善了薄膜的表面形貌，使得薄膜的致密性增强、颗粒大小匀称，同时Dy的掺入增大了CdS薄膜在可见光范围内的透光率。

DMF—硫脲体系制备CdS微晶掺杂的SiO_2玻璃薄膜

将镉盐和硫脲的DMF溶液加入由硅酸乙酯水解而得的SiO_2溶胶,搅拌混匀,再将基片浸入其中挂膜,经烧结即可得CdS微晶掺杂的SiO_2玻璃薄膜。吸收光谱和透射电镜表明,这样制备的一层薄膜中CdS微晶具有量子尺寸效应,荧光光谱也为这种可能性提供了佐证。由X射线衍射结果还可知CdS晶粒呈六角形。

La^(3+)掺杂CdS/TiO_2复合膜的制备及性能表征

采用溶胶—凝胶和旋涂工艺在普通玻璃表面制备La3+掺杂CdS/TiO2薄膜,采用XRD和UV-VIS等测试手段研究了CdS复合量、La3+掺杂量、焙烧温度和镀膜层数对La3+掺杂CdS/TiO2薄膜的结构、光学性能及光催化性能的影响。结果表明,经过合理掺杂和复合技术制备的TiO2纳米复合膜具有比单独掺杂或复合薄膜更好的光催化能力。当CdS的复合量40%(CdS/TiO2摩尔比0·4)、La3+掺杂量0·5%(La3+/Ti4+摩尔比0·005)、焙烧温度600℃、膜层数为6时,薄膜在可见光区域具有良好的透过率,在太阳光下4h对0·4mg·L-1甲基蓝溶液的降解率可达到60%以上。

掺In纳米ZnO、CdS薄膜结构、光学特性分析

采用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备纳米级ZnO和CdS薄膜。研究掺In和热处理对ZnO、CdS薄膜结构、光学特性的影响。实验给出 ,适当掺杂能够明显改善纳米ZnO、CdS薄膜的物相结构 ,ZnO薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小 ,CdS薄膜晶粒尺寸随掺杂含量的增加而变大 ,但薄膜的光透射性有所降低。在短波范围内 ,ZnO薄膜的光透率好于CdS薄膜 ;在 5 0 0nm～ 1 0 0 0nm范围内 ,CdS薄膜的光透率好。掺In后ZnO薄膜的光学带宽从 3 2eV减小至 2 85eV ;掺In后CdS薄膜光学带宽从 2 4 2eV减小至 2 35eV。

具有未掺杂SnO_2的CdS/CdTe异质结太阳电池均匀性研究

为了提高CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池转换效率,改善器件性能,制备出一种结构为玻璃/SnO2∶F/未掺杂SnO2/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe∶Cu/Ni的薄膜太阳电池。同时与无SnO2插入层的太阳电池进行对比分析。研究发现:具有SnO2插入层的太阳电池填充因子增加19.52%,开路电压提高3.23%,电池并联电阻增加56%,转换效率增加30%,电池的均匀性得到改善,有利于规模化大生产。

多孔硅掺杂的光学薄膜制备及发光性能分析

以提升硅的发光性能为目的,研究多孔硅掺杂的光学薄膜制备及发光性能。利用化学水沉积法,在多孔硅内掺杂硫化镉(CdS)金属,制备多孔硅掺杂的光学薄膜,并利用量子限制模型研究多孔硅掺杂的光学薄膜发光机理。通过光致发光测试仪与荧光/磷光分光光度计分析薄膜发光性能。结果显示:未进行金属掺杂的多孔硅内空隙较多,多孔硅掺杂的光学薄膜内空隙较小,空隙率随腐蚀处理时间延长逐渐下降。

P型Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜的制备及性质研究

采用Cu对共蒸发法制备的Cd1-xZnxTe薄膜进行p型掺杂。用X射线荧光、X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同Cu掺杂浓度下Cd1-xZnxTe薄膜退火前后的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化。结果表明掺Cu 10%的薄膜在退火后导电类型由P型转变为N型、电阻率增大了几个数量级;掺铜20%的样品退火后导电类型和电阻率未发生明显改变,退火后薄膜表面较为均匀完整;掺铜30%的薄膜透过率显著下降到10%以下,退火前后均为P型薄膜。

Cu_2(Cd,Zn)SnS_4薄膜的sol-gel法制备

文章采用溶胶-凝胶法(sol-gel法)制备Cu_2(Cd,Zn)SnS_4(CCZTS)薄膜,研究不同Cd/Zn成分比对CCZTS薄膜性能的影响。研究结果表明,Cd的掺入导致CZTS中出现杂相。随着Cd掺杂量的增大,薄膜结晶性逐渐提高,带隙先减小后增大。

Pr掺杂CdS薄膜的制备及其光电性能研究

结合化学水浴法和真空电子束热蒸发法在玻璃衬底上制备了含有不同厚度Pr掺杂层的CdS多晶薄膜,并对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行了研究。结果表明,未掺杂的CdS薄膜为沿[111]晶向择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为N型。Pr掺杂并未改变CdS薄膜的物相结构和择优取向,但衍射峰强度增加;掺Pr后CdS薄膜的晶粒尺寸增大,致密性提高,并且薄膜在可见光范围内的透过率增加,光学带隙变大。同时还发现CdS中掺Pr后影响了薄膜的电学性能,掺杂浓度较低时CdS薄膜电阻率增大,掺杂浓度较高时薄膜的电阻率降低并且导电类型由N型转变为P型。

近距离升华沉积CdTe掺Cd薄膜的微结构和电学、光学特性

采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的CdTe多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性.结果显示,适量的掺杂Cd元素可改善CdTe薄膜晶形,显著提高薄膜的电导特性,由弱的p型电导转变为导电性能良好的n型电导,但对光能隙影响不大.

电子束蒸发沉积CdS掺Cl^-薄膜及其性能研究

以CdS、CdCl2混合物为薄膜材料运用电子束蒸发法,制备了不同比例的CdS掺Cl-薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、四探针测试仪和紫外可见光光谱仪,对所制备薄膜的结构、光学及光电导性能进行了测试。结果表明:采用此方法制备的CdS薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于基底c轴的(002)晶面优势取向。Cl-掺杂摩尔分数为0.1%时可提高薄膜的结晶性且掺杂浓度变化对光能隙的影响很小,仅变化0.07eV;其中亮方块电阻最小值为100Ω/□,光敏性达到了2.9×105。说明经过Cl-的掺杂处理可以明显改善CdS薄膜结晶质量和光学及光电导性能。