Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Cd气氛扩散热处理研究

将生长得到的Cd0.9Zn0.1Te晶体在Cd气氛下及不同的温度条件下进行了退火处理.借助已建立的退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体材料电阻率及导电类型变化和扩散杂质的扩散系数之间关系的模型,结合实验数据,获得了1073K,973K和873K下Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的扩散系数,并估算了其激活能.通过使用获得的扩散系数,研究了在不同温度及饱和Cd气氛下,退火时间对Cd0.9Zn0.1Te晶体电阻率分布及导电类型等的变化的影响.

碲锌镉晶体的In、Cd双源气氛退火研究

采用改进的垂直Bridgman法生长出尺寸为Φ20 mm×40 mm、外观完整无裂纹的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te(CZT)单晶体.沿晶体解理面切割晶片,在In、Cd气氛下进行退火热处理,经973K退火140 h后,采用能量色散谱仪(EDS)、ZC36型高阻仪和傅里叶红外分光光度计等研究了退火对晶片的成分、电学、光学性能的影响.实验结果表明:在In、Cd双源气氛下退火后:晶体的晶格完整性得到改善,电阻率提高了2～3个数量级,红外透过率显著提高.