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Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体 被引量:3
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作者 李国强 谷智 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期95-97,99,共4页
 采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为φ30mm×130mm的Cd0.9Zn0.1Te晶锭。测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率。结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体...  采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为φ30mm×130mm的Cd0.9Zn0.1Te晶锭。测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率。结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高。这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法。 展开更多
关键词 cd补偿垂直布里奇曼法 cd0.9zn0.1te晶体 EPD 红外透过率 电阻率 晶体生长
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Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Al掺杂研究 被引量:2
2
作者 刘伟华 介万奇 +2 位作者 王涛 徐凌燕 徐亚东 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期529-531,534,共4页
采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)分别生长了Al掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体,并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响。在相同的工艺条件下,Al掺杂晶体获得了6×10^9~2×10^10Ω·cm的高电阻率,呈弱P或弱n型导电;I... 采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)分别生长了Al掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体,并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响。在相同的工艺条件下,Al掺杂晶体获得了6×10^9~2×10^10Ω·cm的高电阻率,呈弱P或弱n型导电;In掺杂晶体电阻率在10^5Ω·cm数量级,呈扎型导电;Al掺杂晶体在波数4000-500cm^-1范围内红外透过率平直且较高,而In掺杂晶体红外透过率随波数下降而降低,在波数1250cm^-1处降至零。采用Al掺杂晶片制备的探测器对^241Am59.54keV射线的能量分辨率为14%,表明所生长Al掺杂晶体基本满足了探测器材料使用要求。 展开更多
关键词 cd0.2zn0.1te AL掺杂 霍尔测试 红外透过率
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Cd0.9Zn0.1Te晶体中的In掺杂研究
3
作者 王涛 徐亚东 +3 位作者 刘伟华 曾冬梅 杨戈 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期230-232,共3页
采用电感耦合等离子质谱仪(ICP-MS)和光致发光的手段研究了In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的分布及存在状态,浓度测试结果表明,In的分凝特性受生长条件影响很大,沿晶体轴向有效分凝因数在0.19到0.5之间变化。对高电阻和低电阻In掺杂Cd0.9... 采用电感耦合等离子质谱仪(ICP-MS)和光致发光的手段研究了In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的分布及存在状态,浓度测试结果表明,In的分凝特性受生长条件影响很大,沿晶体轴向有效分凝因数在0.19到0.5之间变化。对高电阻和低电阻In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶体光致发光强度与温度依赖关系的研究表明,高电阻晶体D^0X峰存在两个热激活能2.8meV和21meV,低电阻晶体A^0X热激活能为3.4meV。分析认为In掺杂导致的自补偿效应是导致掺杂效率低下的原因。 展开更多
关键词 cd0.9zn0.1te晶体 In掺杂 自补偿 ICP-MS PL谱
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Cd在Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能
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作者 刘洪涛 桑文斌 +4 位作者 李万万 张斌 闵嘉华 詹峰 曹泽淳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1577-1580,共4页
为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073K,973K和873K... 为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073K,973K和873K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s。将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(–2.38eV/kT)(873K^1073K),其中扩散激活能QCd为2.38eV。 展开更多
关键词 cd0.9zn0.1te(CZT) 有效扩散系数Dcd 扩散激活能Qcd 数值拟合
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In气氛退火对Cd(0.9)Zn(0.1)Te材料电阻率的影响研究 被引量:2
5
作者 隋淞印 何凯 +1 位作者 盛锋锋 华桦 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期846-849,共4页
在不同温度条件下对Cd0.9Zn0.1Te晶片进行In气氛退火热处理,显著提高了Cd0.9Zn0.1Te材料的电阻率。通过实验测量和理论建模计算,得到了1 073、1 023和973K条件下In原子在Cd0.9Zn0.1Te晶片中的扩散系数分别为4.25×10-9 cm2·s-1... 在不同温度条件下对Cd0.9Zn0.1Te晶片进行In气氛退火热处理,显著提高了Cd0.9Zn0.1Te材料的电阻率。通过实验测量和理论建模计算,得到了1 073、1 023和973K条件下In原子在Cd0.9Zn0.1Te晶片中的扩散系数分别为4.25×10-9 cm2·s-1、9.02×10-10 cm2·s-1和2.17×10-10 cm2·s-1,并且拟合出了1 073~973K范围内扩散系数和温度之间的函数关系表达式D(T)=2.15×exp(-1.9/k0T)及频率因子D0等数据。最后,对实验结果进行了简要的对比和分析解释。 展开更多
关键词 碲锌镉 电阻率 铟扩散 退火 扩散系数
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溶剂熔区移动法制备Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体及性能研究 被引量:2
6
作者 时彬彬 闵嘉华 +6 位作者 梁小燕 张继军 王林军 邢晓兵 段磊 孟华 杨升 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期857-862,共6页
用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h。测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、I^V特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照... 用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h。测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、I^V特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能。结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体。 展开更多
关键词 溶剂熔区移动法 cd0.9zn0.1te 红外透过率 PICTS
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溶剂熔区移动法生长In∶Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的性能研究
7
作者 段磊 闵嘉华 +5 位作者 梁小燕 张继军 凌云鹏 杨柳青 邢晓兵 王林军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1163-1167,共5页
采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体。测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过率、I-V特性曲线和PL谱图的对比测试。结果表明:头部晶体的Zn含量、红外透过率和电阻率均大于中部;而... 采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体。测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过率、I-V特性曲线和PL谱图的对比测试。结果表明:头部晶体的Zn含量、红外透过率和电阻率均大于中部;而头部晶体的Te夹杂尺寸、杂质和缺陷含量均小于中部。 展开更多
关键词 溶剂熔区移动法 cd0.9zn0.1te 红外透过率 光致发光
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溶剂熔区移动法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的工艺优化研究
8
作者 凌云鹏 闵嘉华 +8 位作者 梁小燕 张继军 杨柳青 温旭亮 张滢 李明 刘兆鑫 王林军 沈悦 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期980-984,共5页
为了解决Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te(CZT)晶体生长温度高、单晶率低、成分不均匀等问题,采用溶剂熔区移动法(THM)在优化工艺参数下生长了掺In的CZT晶体,在优化晶体的生长温度、固液界面处的温度梯度、原位退火过程等生长条件后,生长出直径为45... 为了解决Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te(CZT)晶体生长温度高、单晶率低、成分不均匀等问题,采用溶剂熔区移动法(THM)在优化工艺参数下生长了掺In的CZT晶体,在优化晶体的生长温度、固液界面处的温度梯度、原位退火过程等生长条件后,生长出直径为45 mm的低Te夹杂浓度、高电阻率、高透过率、均匀的高质量CZT晶体。X射线衍射结果显示,晶体的结晶性较好、Zn成分轴向偏析小。红外透过光谱测试结果显示,晶体内部的杂质、缺陷水平相对较少,晶体整体的红外透过率在60%左右。紫外-可见光吸收光谱测试结果也进一步表明,晶体的均匀性良好。采用红外显微镜对晶体内部的Te夹杂形貌及其尺寸进行观察,结果表明Te夹杂的尺寸主要分布在0~10μm之间。采用直流稳态光电导技术测得电子的迁移率寿命积约为8×10^(-4) cm^2/V。 展开更多
关键词 溶剂熔区移动法 Ca0.9zn0.1te 红外透过率 直流稳态光电导
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Biomolecule-assisted, cost-effective synthesis of a Zn_(0.9)Cd_(0.1)S solid solution for efficient photocatalytic hydrogen production under visible light 被引量:3
9
作者 Hongmei Zhao Yunfei He +3 位作者 Meiying Liu Ran Wang Yunhe Li Wansheng You 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期495-501,共7页
A series of alloyed Zn‐Cd‐S solid solutions with a cubic zinc blende structure were fabricated hydrothermally with the assistance of L‐cystine under mild conditions.The products were characterized by XRD,TEM,HRTEM,... A series of alloyed Zn‐Cd‐S solid solutions with a cubic zinc blende structure were fabricated hydrothermally with the assistance of L‐cystine under mild conditions.The products were characterized by XRD,TEM,HRTEM,XPS,UV‐vis,and BET techniques,and the photocatalytic performance for the reduction of water to H2on the solid solutions was evaluated in the presence of S2?/SO32?as hole scavengers under visible light illumination.Among all the samples,the highest photocatalytic activity was achieved over Zn0.9Cd0.1S with a rate of4.4mmol h?1g?1,even without a co‐catalyst,which far exceeded that of CdS.Moreover,Zn0.9Cd0.1S displayed excellent anti‐photocorrosion properties during the photoreduction of water into H2.The enhancement in the photocatalytic performance was mainly attributed to the efficient charge transfer in the Zn0.9Cd0.1alloyed structure and the high surface area.This work provides a simple,cost‐effective and green technique,which can be generalized as a rational preparation route for the large‐scale fabrication of metal sulfide photocatalysts. 展开更多
关键词 zn0.9cd0.1S L‐cystine Green synthesis Photocatalytic hydrogen production
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Te溶剂-Bridgman法Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长习性研究 被引量:3
10
作者 郑昕 杜园园 +3 位作者 王涛 介万奇 齐阳 栾丽君 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期306-311,共6页
采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为Ф30 mm×60 mm的Cd0.9Mn0.1Te∶In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌。测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻;采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界;采用光学显微镜和红外成像显... 采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为Ф30 mm×60 mm的Cd0.9Mn0.1Te∶In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌。测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻;采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界;采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌。测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60%,电阻率达到2.828×1011Ω.cm。位错密度在106cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭。生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面。但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则界面,并在界面附近形成富Te相的包裹。 展开更多
关键词 cd0.9Mn0.1te晶体 te溶剂-Bridgman法 红外透过率 电阻率 位错
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稀释磁性半导体Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体的退火改性 被引量:3
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作者 郝云霄 孙晓燕 +1 位作者 张继军 介万奇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期570-575,共6页
运用缺陷化学原理近似计算了Cd0.9Mn0.1Te晶体的点缺陷浓度,得到了晶体成分与理想化学计量比偏离最小时的退火条件。利用该退火条件,指导了Cd0.9Mn0.1Te晶体的两温区退火实验,并分析了退火对晶片性能的影响。结果表明:在973 K,Cd气氛下... 运用缺陷化学原理近似计算了Cd0.9Mn0.1Te晶体的点缺陷浓度,得到了晶体成分与理想化学计量比偏离最小时的退火条件。利用该退火条件,指导了Cd0.9Mn0.1Te晶体的两温区退火实验,并分析了退火对晶片性能的影响。结果表明:在973 K,Cd气氛下对Cd0.9Mn0.1Te晶片退火140 h后,晶片(111)面的X射线回摆曲线的FWHM值由退火前的168.8''降至108'',红外透过率由退火前48%提升到64%,接近晶体的理论透过率,电阻率也由退火前的2.643×105Ω.cm提高到4.49×106Ω.cm。由此可见,对生长态的Cd0.9Mn0.1Te晶体进行退火实验能提高晶体的结晶质量,补偿晶体的Cd空位点缺陷,使晶体成分接近理想的化学计量比。 展开更多
关键词 cd0.9Mn0.1te晶体 点缺陷 退火 te沉淀相 结晶质量
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Cu/Ag导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究 被引量:1
12
作者 孙金池 刘正堂 +2 位作者 张兴刚 崔虎 李阳平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1189-1191,1195,共4页
采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能。讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的... 采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能。讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降。通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流。对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃。利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响。 展开更多
关键词 Cu/Ag导电薄膜 cd0.9zn0.1te晶体 接触 磁控溅射
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Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Cd气氛扩散热处理研究 被引量:2
13
作者 李万万 孙康 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期6514-6520,共7页
将生长得到的Cd0.9Zn0.1Te晶体在Cd气氛下及不同的温度条件下进行了退火处理.借助已建立的退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体材料电阻率及导电类型变化和扩散杂质的扩散系数之间关系的模型,结合实验数据,获得了1073K,973K和873K下Cd在Cd0.9Z... 将生长得到的Cd0.9Zn0.1Te晶体在Cd气氛下及不同的温度条件下进行了退火处理.借助已建立的退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体材料电阻率及导电类型变化和扩散杂质的扩散系数之间关系的模型,结合实验数据,获得了1073K,973K和873K下Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的扩散系数,并估算了其激活能.通过使用获得的扩散系数,研究了在不同温度及饱和Cd气氛下,退火时间对Cd0.9Zn0.1Te晶体电阻率分布及导电类型等的变化的影响. 展开更多
关键词 cd0.9zn0.1te 热处理 cd气氛 扩散系数
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