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In掺杂对Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te巨法拉第效应的影响
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作者 栾丽君 介万奇 张继军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2139-2142,共4页
常温下测量了Cd0.8Mn0.2Te晶片和多个掺In浓度不同的Cd0.8Mn0.2Te(以下简称Cd0.8Mn0.2Te:In)晶片的法拉第旋转谱和吸收边附近的透射光谱。结果表明,随着入射光子能量的增大,Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.8Mn0.2Te:In的Verdet常数随之增大。... 常温下测量了Cd0.8Mn0.2Te晶片和多个掺In浓度不同的Cd0.8Mn0.2Te(以下简称Cd0.8Mn0.2Te:In)晶片的法拉第旋转谱和吸收边附近的透射光谱。结果表明,随着入射光子能量的增大,Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.8Mn0.2Te:In的Verdet常数随之增大。掺In晶片的Verdet常数的变化与掺杂浓度有关:当光子能量在1.63~1.72eV范围内逐渐增加时,未掺In的测量值的变化范围是710~1820(°)/cm·T;当In浓度为8.96×10^16 atoms/cm^3时,Verdet常数增大到720-1960(°)/cm·T:当In浓度n分别为2.39×10^17,4.48×10^18 atoms/cm^3时,Verdet常数分别减小到660~1630,490-1090(°)/cm·T;当In浓度达到2.99×10^19 atoms/cm^3时,在1.63~1.70eV的光子能量范围内,Verdet常数减小到460~740(°)/cm·T。低掺In条件下,Verdet常数的增大是由于价带电子数增多,价带类P电子与Mn^2+离子3d电子交换相互作用增强引起的;在高掺In量下,由于导带类s电子与Mn^2+离子3d电子交换相互作用增强,导带能级分裂进一步减小,导致Cd0.8Mn0.2Te:In的Verdet常数减小。 展开更多
关键词 cd0.8mn0.2te:in 法拉第旋转谱 Verdet常数 交换相互作用
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Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体的磁化强度和法拉第效应研究 被引量:5
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作者 张继军 王林军 施凌云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期831-833,837,共4页
采用垂直Bridgman法制备出了x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体(Cd0.8Mn0.2Te)。利用MPMS-7(magnetic property measurement system)型超导量子磁强计测量了Cd0.8Mn0.2Te晶体的磁化强度(M)与磁场强度(H)和温度(T)的关系,磁场强度范围为-1592~1592k... 采用垂直Bridgman法制备出了x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体(Cd0.8Mn0.2Te)。利用MPMS-7(magnetic property measurement system)型超导量子磁强计测量了Cd0.8Mn0.2Te晶体的磁化强度(M)与磁场强度(H)和温度(T)的关系,磁场强度范围为-1592~1592kA/m,温度范围为2~200K。Cd0.8Mn0.2Te晶体的法拉第效应测试在300K温度下进行,磁场强度<0.2T。2K温度下的M-H曲线表明,晶体的Mn2+离子之间存在反铁磁相互作用。796A/m恒磁场下的磁化率χ与温度T的关系研究表明,晶体在2~200K之间是顺磁态,当T>40K时,χ与T满足居里-外斯定律;T<40K,χ与T的关系偏离居里-外斯定律,表现出顺磁增强现象。法拉第效应研究表明,晶体的Verdet常数的绝对值达到2×103deg/cm.T,采用单振子模型能够很好地拟合实验数据,得出晶体的激子能量E0=1.831eV,说明sp-d交换相互作用引起的激子跃迁对晶体的巨法拉第效应起到主要作用。 展开更多
关键词 cd0.8mn0.2te 磁化强度 顺磁态 法拉第效应
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垂直布里奇曼法生长的Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te单晶体中Te沉淀相分析 被引量:1
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作者 栾丽君 介万奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期57-61,共5页
Cd1-xMnxTe(CdMnTe,CMT)是制备光学隔离器、太阳能电池、x射线和γ射线探测器的优选材料。本实验采用垂直布里奇曼(VB)法成功地生长出Cd0.8Mn0.2Te单晶体。用JEM-3010型高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了CMT晶体中的纳米级Te沉淀。选... Cd1-xMnxTe(CdMnTe,CMT)是制备光学隔离器、太阳能电池、x射线和γ射线探测器的优选材料。本实验采用垂直布里奇曼(VB)法成功地生长出Cd0.8Mn0.2Te单晶体。用JEM-3010型高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了CMT晶体中的纳米级Te沉淀。选区电子衍射得到了Te沉淀与CMT基体两相的合成电子衍射图。计算出单斜Te沉淀的晶胞参数为:a=0.31nm,b=0.79nm,c=0.47nm,β=92.71°。确定了Te沉淀和CMT基体的取向关系为(0■1)Te//(■02)CMT,[100]Te//[111]CMT。最后,对Te沉淀(缺陷)的形成原因进行了分析。 展开更多
关键词 垂直布里奇曼(VB)法 稀释磁性半导体 cd0.8mn0.2te Te沉淀
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脉冲激光烧蚀Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体过程的分析 被引量:1
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作者 郭娟 满宝元 《山东师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第2期42-43,共2页
文中测量了Hg0.8Cd0.2Te靶在波长为1064nm、脉宽10ns的脉冲激光辐照下的蒸发损伤阈值,理论计算值与实验结果符合得很好.进而根据能量守恒定律数值计算了Hg0.8Cd0.2Te的蒸发温度.
关键词 激光烧蚀 Hg0.8Cd0.2Te晶体 蒸发阈值
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Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体低温热处理时的热力学平衡常数 被引量:1
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作者 韩庆林 《红外技术》 CSCD 1993年第2期24-26,共3页
在研究低温热处理对HgCdTe电学性质的影响时,在只考虑Hg间隙、Hg空位影响的情况下,通过对大量的、可靠的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体低温热处理结果进行分析,确定了热力学平衡常数关系式中的常数,从而获得热力学平衡常数与温度的明确解析表... 在研究低温热处理对HgCdTe电学性质的影响时,在只考虑Hg间隙、Hg空位影响的情况下,通过对大量的、可靠的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体低温热处理结果进行分析,确定了热力学平衡常数关系式中的常数,从而获得热力学平衡常数与温度的明确解析表达式。实验结果与所得表达式的计算结果能够很好地相符。 展开更多
关键词 Hg0.8Cd0.2Te晶体 低温热处理 热力学平衡常数 碲镉汞晶体
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Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体的生长及其性能
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作者 张继军 介万奇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1026-1029,共4页
通过适当的工艺措施,采用传统布里奇曼法生长了尺寸为Φ30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶体.对晶体进行了X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线、紫外可见光光谱、红外透过率及电阻率测试.测试结果表明,晶体结构为立方型,半峰宽较低,吸收边... 通过适当的工艺措施,采用传统布里奇曼法生长了尺寸为Φ30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶体.对晶体进行了X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线、紫外可见光光谱、红外透过率及电阻率测试.测试结果表明,晶体结构为立方型,半峰宽较低,吸收边为720nm,对应禁带宽度为1.722eV,晶体的红外透过率和电阻率都较高.并讨论了晶体中的缺陷对红外透过率和电阻率的影响. 展开更多
关键词 cd0.8mn0.2te X射线衍射 红外透过率 电阻率 紫外-可见-近红外光光谱
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Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体生长及结晶质量评价 被引量:1
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作者 杨波 介万奇 +1 位作者 张继军 白旭旭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1220-1224,共5页
采用垂直布里奇曼法生长了尺寸为+30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶锭。采用X射线粉末衍射及X射线双晶摇摆曲线分析了晶体的结构与结晶质量,结果显示所生长的晶体为单一立方闪锌矿结构,半峰宽为47.2arcsec,结晶质量良好。采用化学... 采用垂直布里奇曼法生长了尺寸为+30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶锭。采用X射线粉末衍射及X射线双晶摇摆曲线分析了晶体的结构与结晶质量,结果显示所生长的晶体为单一立方闪锌矿结构,半峰宽为47.2arcsec,结晶质量良好。采用化学腐蚀方法显示了晶体中的多种缺陷,包括位错,Te夹杂和孪晶。采用光学显微镜,扫描电镜和X射线能谱仪对缺陷形态和分布进行了研究。结果表明,晶体中位错密度在10^5~10^6cm^-2之间。晶体局部存在%夹杂相,尺寸为1-5μm。晶体中孪晶主要以共格孪晶存在。并提出了缺陷形成的原因和减少缺陷的方法。 展开更多
关键词 cd0.8mn0.2te X射线粉末衍射 X射线双晶摇摆曲线 位错 Te夹杂 孪晶
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A hierarchical Bi-MOF-derived BiOBr/Mn_(0.2)Cd_(0.8)S S-scheme for visible-light-driven photocatalytic CO_(2) reduction 被引量:3
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作者 Jiahui Hua Zhongliao Wang +3 位作者 Jinfeng Zhang Kai Dai Chunfeng Shao Ke Fan 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第25期64-71,共8页
S-scheme heterojunctions have promising applications in photocatalytic CO_(2) reduction due to their unique structure and interfacial interactions,but improving their carrier separation efficiency and CO_(2) adsorptio... S-scheme heterojunctions have promising applications in photocatalytic CO_(2) reduction due to their unique structure and interfacial interactions,but improving their carrier separation efficiency and CO_(2) adsorption capacity remains a challenge.In this work,highly dispersed MOF-BiOBr/Mn_(0.2) Cd_(0.8) S(MOF-BiOBr/MCS)S-scheme heterojunctions with high photocatalytic CO_(2) reduction performance were constructed.The intimate contact between the MCS nano-spheres and the nanosheet-assembled MOF-BiOBr rods,driven by the internal electric field,accelerates the charge transfer along the S-scheme pathway.Moreover,the high specific surface area of MOFs is preserved to provide abundant active sites for reaction/adsorption.The formation of MOF-BiOBr/MCS S-scheme heterojunction is confirmed by theoretical calculations.The optimum MOF-BiOBr/MCS shows excellent activity in CO_(2) reduction,affording a high CO evolution rate of 60.59µmol h^(−1) g^(−1).The present work can inspire the exploration for the construction of effective heterostructure photocatalysts for photoreduction CO_(2). 展开更多
关键词 Mn0.2Cd0.8S Bi-MOF CO_(2)reduction S-scheme heterojunction
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