In气氛退火对Cd(0.9)Zn(0.1)Te材料电阻率的影响研究

在不同温度条件下对Cd0.9Zn0.1Te晶片进行In气氛退火热处理,显著提高了Cd0.9Zn0.1Te材料的电阻率。通过实验测量和理论建模计算,得到了1 073、1 023和973K条件下In原子在Cd0.9Zn0.1Te晶片中的扩散系数分别为4.25×10-9 cm2·s-1、9.02×10-10 cm2·s-1和2.17×10-10 cm2·s-1,并且拟合出了1 073~973K范围内扩散系数和温度之间的函数关系表达式D（T）=2.15×exp（-1.9/k0T）及频率因子D0等数据。最后,对实验结果进行了简要的对比和分析解释。