Cd_2Ge_7O_(16)中Tb的长余辉发光特性

本文研究了Cd2Ge7O16∶Tb3+材料的发光及其长余辉性质。指出Tb3+的发光是该离子的5D3鄄7FJ、5D4鄄7FJ两种跃迁产生的;随着掺杂浓度的增加5D4鄄7FJ跃迁增强,发光颜色由蓝变绿。并把该材料的长余辉性质归结为基质结构中有电子陷阱和空穴陷阱。提出余辉机理模型。

Ge_(10)O_(28)单元构建的两个三维锗酸盐结构:(H_3O)_4Ge_7O_(16)·3H_2O和K_4Ge_9O_(20)

在半水溶剂热条件下 ,采用不同的合成条件合成了两个锗酸盐微孔分子筛 :(H3O) 4Ge7O16 ·3H2 O和K4 Ge9O2 0 .X射线单晶结构解析表明 ,两个晶体结构具有相同的“火箭状”二级结构单元 (SBU) ,SBU的不同的连接方式导致了完全不同的空间结构 .H4 Ge7O16 ·7H2 O的结晶学数据为Mr=894 2 7,P 43m ,a =0 7730 9( 18)nm ,V =0 462 0 5 ( 19)nm3,Z =1,MoKα ,λ =0 0 710 73nm ,R(F) =3 48% ,wR(F2 ) =8 39% .K4 Ge9O2 0 的结晶学数据为 :Mr=112 9 71,I4( 1) /a ,a =1 5 0 0 2 ( 3)nm ,c =0 7383( 2 )nm ,V =1 6618( 7)nm3,Z =4,MoKα ,R(F) =3 92 % ,wR(F2 ) =11 97% .

Pb在锗酸镉基质中的长余辉发光特性

通过高温固相反应在空气中制得单相 Cd2 Ge7O1 6 ∶ Pb2 +长余辉发光材料 .分析了 Cd2 Ge7O1 6 和Cd2 Ge7O1 6 ∶ Pb2 +的激发光谱和发射光谱 ,指出 Pb2 +的发光是该离子的 3P1 -1 S0 跃迁产生的 ;分析了Cd2 Ge7O1 6 ∶ Pb2 +的发光存在基质对 Pb2 +的能量传递 ;并把长余辉性质归结为基质中 Cd离子的挥发产生的空穴陷阱 .

锗酸镉中镨的长余辉发光特性

通过高温固相法在空气条件下制得Cd2Ge7O16∶Pr3+长余辉发光材料。测其结构为一单相。分析了Cd2Ge7O16,Cd2Ge7O16∶Pr3+的激发光谱和发射光谱,指出Cd2Ge7O16∶Pr3+的发光是Cd2Ge7O16本身和Pr3+离子发射产生,基质的发光是Cd2Ge7O16中有陷阱能级,电子从导带跃迁到陷阱能级而产生,Pr3+的发光是该离子的4f-4f跃迁产生的;并把该材料的长余辉性质归结为基质结构中有电子陷阱和空穴陷阱,电子陷阱和空穴陷阱分别能储存电子和空穴,从而产生余辉。并提出余辉机理模型。