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气敏半导体材料Cd_2Sb_2O_(6.8)的制备及其性能研究 被引量:1
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作者 刘杏芹 刘亚飞 沈瑜生 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期837-842,共6页
采用化学共沉淀法,在较低温度(750℃)下制备了具有缺陷烧绿石结构的复合氧化物Cd2Sb2O6.8的纯相超微粉;研究了制备条件对物相、结构和气敏性能的影响,并对其反应过程机理进行了探讨.气敏性能测试结果表明,纯相Cd... 采用化学共沉淀法,在较低温度(750℃)下制备了具有缺陷烧绿石结构的复合氧化物Cd2Sb2O6.8的纯相超微粉;研究了制备条件对物相、结构和气敏性能的影响,并对其反应过程机理进行了探讨.气敏性能测试结果表明,纯相Cd2Sb2O6.8气敏元件对乙炔气体有较高的灵敏度和较好的选择性. 展开更多
关键词 缺陷烧绿石结构 气敏半导体 cd2sb2o6 乙炔
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