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三价镧系离子掺杂的Cd_3Al_2Ge_3O_(12)的长余辉发光
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作者 刘正伟 刘应亮 +3 位作者 黄浪欢 袁定胜 张静娴 容建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期211-214,共4页
系统地研究了三价镧系离子在Cd3Al2Ge3O12基质中的长余辉发光。总结了余辉性能与激活离子电负性的关系。研究发现该体系中易失电子的激活离子产生的余辉效果较好。在254nm紫外光激发下,基质和所有镧系离子(Pm除外)掺杂的样品都有发光和... 系统地研究了三价镧系离子在Cd3Al2Ge3O12基质中的长余辉发光。总结了余辉性能与激活离子电负性的关系。研究发现该体系中易失电子的激活离子产生的余辉效果较好。在254nm紫外光激发下,基质和所有镧系离子(Pm除外)掺杂的样品都有发光和余辉。按照发光和余辉性质的不同可以将激活离子分为三类:Pr3+、Tb3+和Dy3+等是有特征余辉发光的离子;Eu3+和Sm3+等是有特征发射,但没有特征余辉发光的离子;Ce4+、La3+、Nd3+以及其他是没有特征发光的镧系离子。长余辉的产生是由缺陷引起的。由于Cd2+离子在高温下容易挥发,基质中存在大量的Cd2+离子空位,这种空位可以作为俘获电子的陷阱。同时为了补偿Cd2+所产生的正电荷,在Cd2+离子空位周围会有相应的负离子空位产生,比如氧离子空位。这种补偿作用的存在使得基质本身的缺陷种类和数量十分丰富,使得该体系的余辉性能比较优越。 展开更多
关键词 长余辉 cd3al2ge3o12 热释光
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Cr^(3+)掺杂的Cd_3Al_2Ge_3O_(12)光谱特性及晶场参数计算 被引量:1
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作者 袁剑辉 杨昌虎 +1 位作者 张振华 袁晓博 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期5272-5276,共5页
采用高温固相法合成了Cd3Al2Ge3O12:Cr3+多晶材料,利用X射线衍射对其结构进行了分析,通过Cr3+的室温吸收光谱、室温和77 K发射光谱分别对其光谱特性和晶场参数进行了分析和计算.结果表明:在450 nm的蓝光激发下,Cd3Al2Ge3O12:Cr3+室温发... 采用高温固相法合成了Cd3Al2Ge3O12:Cr3+多晶材料,利用X射线衍射对其结构进行了分析,通过Cr3+的室温吸收光谱、室温和77 K发射光谱分别对其光谱特性和晶场参数进行了分析和计算.结果表明:在450 nm的蓝光激发下,Cd3Al2Ge3O12:Cr3+室温发射光谱主要由三个宽带及附加其上的弱R线构成,分别对应于Cr3+的4T1,2T2,4T2到4A2能级跃迁.低温时宽带发射变弱,而R线变得强而锐.Cr3+在Cd3Al2Ge3O12中晶场强度Dq/B为2.32,Stokes位移ΔES为1919cm-1,黄昆-里斯因子S为5.58.表明在Cd3Al2Ge3O12中Cr3+处于弱的中等晶场强度,电子-声子耦合较强.4T2零声子能级与2E能级的间距ΔE仅为325.5cm-1,对Cr3+可调谐激光的输出非常有利. 展开更多
关键词 cd3al2ge3o12:Cr3+ 荧光光谱 晶场参数 可调谐激光
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