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稀磁半导体Cd_(1-x)Fe_xTe的巨法拉第效应
被引量:
4
1
作者
王学忠
王荣明
+1 位作者
陈辰嘉
马可军
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第11期835-841,共7页
在70-300K温度范围内测量研究了组分x为0.01,0.003和0.06的稀磁半导体Cd1-xFexTe的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系.首次用多振子模型拟合实验结果,获得了布里渊区Γ点的激子能量Eθ和...
在70-300K温度范围内测量研究了组分x为0.01,0.003和0.06的稀磁半导体Cd1-xFexTe的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系.首次用多振子模型拟合实验结果,获得了布里渊区Γ点的激子能量Eθ和L点的能隙E1随组分x的变化规律和E0的温度关系.讨论了Fe++离子内部能级间跃迁对实验结果的影响.
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关键词
稀磁半导体
巨法拉第效应
cdfete
半导体材料
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职称材料
题名
稀磁半导体Cd_(1-x)Fe_xTe的巨法拉第效应
被引量:
4
1
作者
王学忠
王荣明
陈辰嘉
马可军
机构
北京大学物理系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第11期835-841,共7页
文摘
在70-300K温度范围内测量研究了组分x为0.01,0.003和0.06的稀磁半导体Cd1-xFexTe的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系.首次用多振子模型拟合实验结果,获得了布里渊区Γ点的激子能量Eθ和L点的能隙E1随组分x的变化规律和E0的温度关系.讨论了Fe++离子内部能级间跃迁对实验结果的影响.
关键词
稀磁半导体
巨法拉第效应
cdfete
半导体材料
Keywords
Cadmium alloys
Faraday effect
Tellurium compounds
分类号
TN304.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
稀磁半导体Cd_(1-x)Fe_xTe的巨法拉第效应
王学忠
王荣明
陈辰嘉
马可军
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
4
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