CdGeAs_2单晶体的腐蚀研究

报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为:H2O2(30%)∶NH4OH(含NH325%-28%)∶NH4Cl(5mol/L)∶H2O=1 mL∶1.5 mL∶1.5 mL∶2 mL。将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40℃下超声振荡腐蚀数分钟,采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察。结果表明,新型腐蚀剂对CdGeAs2晶体(204)和(112)晶面择优腐蚀效果显著,蚀坑取向一致,具有很强的立体感;(204)晶面蚀坑呈三角锥形,(112)晶面蚀坑呈五边形,从晶体结构上对蚀坑形成机理进行了分析讨论。

CdGeAs_2晶体退火与红外光学均匀性分析

采用AIM-8800红外显微镜观察了CdGeAs2晶体的面扫描红外透过图像,分别在2.3～4μm、4～8μm和8～18μm三个波段对退火前后的CdGeAs2晶片红外透过率和面扫描红外透过图像进行了对比分析,研究了晶体的红外均匀性。结果表明,CdGeAs2晶体在多晶粉末包裹下经450℃退火150 h后,其红外透过率和红外透过均匀性都得到较大程度的改善,其中在2.3～4μm和4～8μm波段的改善效果尤为显著;分析了影响晶体红外透过率和均匀性的主要因素,探讨了改善晶体均匀性的可能途径。研究结果对于快速评判CdGeAs2晶片质量具有重要的实用价值。

非线性光学晶体CdGeAs_2点缺陷的研究

CdGeAs2晶体是在红外频率转换应用中前景很广泛的非线性光学材料。点缺陷的存在引起了CdGeAs2晶体在5.5μm处的吸收,从而阻碍了其应用发展。本文综述了CdGeAs2晶体点缺陷的研究进展。利用光学吸收、光致发光、霍尔效应和电子顺磁共振等技术研究了CdGeAs2晶体的点缺陷;并利用原子模拟技术和密度泛函理论方法计算了CdGeAs2晶体的点缺陷;最后,展望了CdGeAs2晶体点缺陷今后应重点开展的研究方向。

CdGeAs_2晶体红外双折射率和吸收系数的第一原理计算

基于第一原理赝势平面波方法,采用密度泛函理论的局域密度近似(LDA)方法计算了CdGeAs_2晶体的介电函数,并由此得到红外波段的折射率n_e、n_o,双折射率△n和静态介电常数ε(0),将计算值同实验值作比较,结果一致.还计算了CdGeAs_2晶体的红外吸收系数,与实验测得的红外透过率谱进行了比较,计算值与实验值吻合较好.结果对CdGeAs_2晶体质量的改进和应用具有实用价值.

砷锗镉晶体的定向加工

介绍了一种砷锗镉(CGA)晶体定向加工的新方法,即根据CGA晶体自身解理面,结合晶体标准极图和X射线衍射图谱,确定出晶体的c轴方向;并以c轴为基准快速寻找CGA晶体通光面且进行回摆精修的器件加工新方法。运用该方法,针对改进的垂直Bridgman法自发成核生长的CGA晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出CGA晶体SHG倍频器件粗坯,其相位匹配角θm=33.58°、方位角φ=0°,尺寸达5 mm×5 mm×8mm。