CdMoO_4:W^(6+)晶体电子结构的模拟计算研究

采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO_4:W^(6+)晶体的电子结构。计算结果显示,在CdMoO_4:W^(6+)晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO_4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25e V)的发射带与晶体中的钨类施主离子有关,合理地解释了CdMoO_4晶体在500~600 nm区间的发射带的起源。

钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算

本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能。结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(V2+O和V2-Cd)存在。晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型。Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关。