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CdMoO_4:W^(6+)晶体电子结构的模拟计算研究
1
作者
严非男
王希恩
陈俊
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期3079-3082,共4页
采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO_4:W^(6+)晶体的电子结构。计算结果显示,在CdMoO_4:W^(6+)晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO_4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25e V)的发射带与晶体中的钨类施...
采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO_4:W^(6+)晶体的电子结构。计算结果显示,在CdMoO_4:W^(6+)晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO_4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25e V)的发射带与晶体中的钨类施主离子有关,合理地解释了CdMoO_4晶体在500~600 nm区间的发射带的起源。
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关键词
cdmoo
4
:W6+
晶体
DV-Xα
发射带
下载PDF
职称材料
钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算
被引量:
3
2
作者
陈俊
王希恩
+2 位作者
严非男
梁丽萍
耿滔
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期188-192,共5页
本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能。结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(V2+O和V2-Cd)存在。晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低...
本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能。结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(V2+O和V2-Cd)存在。晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型。Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关。
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关键词
模拟计算
cdmoo4晶体
GULP
本征点缺陷
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职称材料
题名
CdMoO_4:W^(6+)晶体电子结构的模拟计算研究
1
作者
严非男
王希恩
陈俊
机构
上海理工大学理学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期3079-3082,共4页
基金
沪江基金研究基地专项资助(B14004)
文摘
采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO_4:W^(6+)晶体的电子结构。计算结果显示,在CdMoO_4:W^(6+)晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO_4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25e V)的发射带与晶体中的钨类施主离子有关,合理地解释了CdMoO_4晶体在500~600 nm区间的发射带的起源。
关键词
cdmoo
4
:W6+
晶体
DV-Xα
发射带
Keywords
Cd
cdmoo
_
4
:W^(6+)crystal
DV-Xα
emission band
分类号
O76 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算
被引量:
3
2
作者
陈俊
王希恩
严非男
梁丽萍
耿滔
机构
上海理工大学理学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期188-192,共5页
基金
国家自然科学基金(61008044)
文摘
本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能。结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(V2+O和V2-Cd)存在。晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型。Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关。
关键词
模拟计算
cdmoo4晶体
GULP
本征点缺陷
Keywords
simulating calculation
cdmoo
4
crystal
GULP
intrinsic defect
分类号
O483 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CdMoO_4:W^(6+)晶体电子结构的模拟计算研究
严非男
王希恩
陈俊
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
下载PDF
职称材料
2
钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算
陈俊
王希恩
严非男
梁丽萍
耿滔
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
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职称材料
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