近年来二维材料因其超薄的厚度及新颖的电、光及光电特性受到了广泛关注.此外,二维材料表面无悬挂键,这使得其可以直接通过范德华力相互结合形成范德华异质结,为构建具有优异性能的新型器件提供了新的机遇.本文采用范德华集成方法将n型...近年来二维材料因其超薄的厚度及新颖的电、光及光电特性受到了广泛关注.此外,二维材料表面无悬挂键,这使得其可以直接通过范德华力相互结合形成范德华异质结,为构建具有优异性能的新型器件提供了新的机遇.本文采用范德华集成方法将n型硫化镉和p型黑磷垂直堆垛起来构筑了p-n结二极管.输运特性测试表明,该p-n结器件表现出高的整流比(8×103)和低的理想因子(1.5).同时,在光照下器件表现出超高的光响应度和比探测率,分别可达9.2×105A W-1和3.2×1013Jones,与目前所报道的二维异质结光电探测的最高水平相当.当器件工作于自驱动探测模式时,仍表现出极好的光探测性能,光响应度和响应速度分别可达0.27 A W-1和~10 ms.所制备的硫化镉/黑磷异质结器件将会在新一代纳米电子、光电子器件中扮演重要角色.展开更多
基金supported by the National Natural Science Foundation of China(U19A2090,51902098,51972105,51525202 and 61574054)Hunan Provincial Natural Science Foundation of China(2018RS3051)。
文摘近年来二维材料因其超薄的厚度及新颖的电、光及光电特性受到了广泛关注.此外,二维材料表面无悬挂键,这使得其可以直接通过范德华力相互结合形成范德华异质结,为构建具有优异性能的新型器件提供了新的机遇.本文采用范德华集成方法将n型硫化镉和p型黑磷垂直堆垛起来构筑了p-n结二极管.输运特性测试表明,该p-n结器件表现出高的整流比(8×103)和低的理想因子(1.5).同时,在光照下器件表现出超高的光响应度和比探测率,分别可达9.2×105A W-1和3.2×1013Jones,与目前所报道的二维异质结光电探测的最高水平相当.当器件工作于自驱动探测模式时,仍表现出极好的光探测性能,光响应度和响应速度分别可达0.27 A W-1和~10 ms.所制备的硫化镉/黑磷异质结器件将会在新一代纳米电子、光电子器件中扮演重要角色.
