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一维Mn^(2+)掺杂CdS纳米晶体的水热合成及其发光性能 被引量:5
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作者 袁求理 赵金涛 聂秋林 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1058-1061,共4页
用水热方法合成了一维Mn2+掺杂CdS纳米晶体。产品分别用SEM,EDS,XRD,TEM,HRTEM和PL等技术进行了表征。结果表明,掺杂Mn2+完全替代了CdS晶格中Cd2+的位置,产品具有较好的结晶性。荧光光谱中,CdS纳米晶体表面缺陷态的发射峰被完全抑制,只... 用水热方法合成了一维Mn2+掺杂CdS纳米晶体。产品分别用SEM,EDS,XRD,TEM,HRTEM和PL等技术进行了表征。结果表明,掺杂Mn2+完全替代了CdS晶格中Cd2+的位置,产品具有较好的结晶性。荧光光谱中,CdS纳米晶体表面缺陷态的发射峰被完全抑制,只能观察到单一的Mn2+的发射峰。 展开更多
关键词 MN^2+ cds 掺杂 一维纳米晶体 发光
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物理热蒸发法制备CdS/SiO_2纳米线阵列和CdS纳米带 被引量:2
2
作者 于灵敏 祁立军 +1 位作者 范新会 严文 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期75-78,83,共5页
利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末,Si衬底表面发生了选择性刻蚀,并由此制备出CdS/SiO2纳米线阵列和CdS纳米带.研究了CdS/SiO2纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程,结果表明:CdS枝晶的生长对CdS/SiO2纳米线阵列的形成起到... 利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末,Si衬底表面发生了选择性刻蚀,并由此制备出CdS/SiO2纳米线阵列和CdS纳米带.研究了CdS/SiO2纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程,结果表明:CdS枝晶的生长对CdS/SiO2纳米线阵列的形成起到了非常重要的作用;CdS/SiO2纳米线阵列的形成符合“纳米电化学自组织机制”;CdS纳米带的生长过程为气-固过程. 展开更多
关键词 cds/sio2纳米线阵列 cds纳米带 纳米电化学自组织机制
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介观结构SiO_2/CdO纳米复合物为前驱体原位水热合成半导体CdSe和CdS纳米晶 被引量:2
3
作者 杨海峰 闫妍 +3 位作者 张福强 陈颖 屠波 赵东元 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第21期2177-2181,共5页
以高度有序的介观结构SiO2/CdO纳米复合物为前驱体,在硒源或硫源存在的还原性条件下,利用原位水热反应,合成了介观结构SiO2/CdSe及SiO2/CdS纳米复合物,除去SiO2后,得到半导体CdSe及CdS纳米晶.通过X射线衍射(XRD),高分辨率透射电镜(HRTEM... 以高度有序的介观结构SiO2/CdO纳米复合物为前驱体,在硒源或硫源存在的还原性条件下,利用原位水热反应,合成了介观结构SiO2/CdSe及SiO2/CdS纳米复合物,除去SiO2后,得到半导体CdSe及CdS纳米晶.通过X射线衍射(XRD),高分辨率透射电镜(HRTEM),X射线能散射谱(EDX)及选区电子衍射(SAED)等手段对产物进行了组成和结构表征.结果表明,介观结构SiO2主体材料在合成过程中起到了一定的形貌和尺寸限制作用,得到的CdSe和CdS均为直径在8nm左右的类球形六方相纳米晶. 展开更多
关键词 半导体 合成 介观结构 纳米晶 水热反应 sio2/cdO纳米复合物 二氧化硅 氧化镉 cdsE cds 硒化镉 硫化镉
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(TiO2-CdS)/SiO2复合粉体的溶胶一凝胶法合成及晶相转变 被引量:2
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作者 周秀文 朱祖良 +1 位作者 罗明仁 赵君科 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第F04期83-85,共3页
以钛酸丁脂为原料,CdS纳米晶为掺杂相,通过正硅酸乙脂水解,用溶胶-凝胶法制备(TiO2-CdS)/SiO2复合粉体。用DTA-TG、XRD和TEM对复合粉体进行表征。发现复合粉体中TiO2从无定型向锐钛矿型的相变温度大约为810℃,从锐钛矿型向金红石... 以钛酸丁脂为原料,CdS纳米晶为掺杂相,通过正硅酸乙脂水解,用溶胶-凝胶法制备(TiO2-CdS)/SiO2复合粉体。用DTA-TG、XRD和TEM对复合粉体进行表征。发现复合粉体中TiO2从无定型向锐钛矿型的相变温度大约为810℃,从锐钛矿型向金红石型的相变温度为900℃;添加少量的二氧化硅明显地抑制二氧化钛晶粒粒径的增大和相变。 展开更多
关键词 复合粉体 sio2 溶胶一凝胶法 晶相转变 合成 cds纳米晶 溶胶-凝胶法 DTA-TG 相变温度 锐钛矿型 正硅酸乙脂 钛酸丁脂 TIO2 金红石型 二氧化钛 二氧化硅 TEM XRD 无定型 900
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CdS:Mn/SiO_2复合纳米颗粒的反常的磁学特性(英文) 被引量:1
5
作者 赵普琴 薛洪涛 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期848-852,共5页
采用反胶束法,合成了硅土包裹的Mn^(2+)掺杂的CdS纳米颗粒.利用高分辨透射电镜(HRTEM)和电子自旋共振谱(EPR)对这些纳米颗粒的结构进行了表征.利用超导量子干涉磁力计(SQUID)测量了这些纳米颗粒在低温下的磁学特性.研究结果表明:扩散在... 采用反胶束法,合成了硅土包裹的Mn^(2+)掺杂的CdS纳米颗粒.利用高分辨透射电镜(HRTEM)和电子自旋共振谱(EPR)对这些纳米颗粒的结构进行了表征.利用超导量子干涉磁力计(SQUID)测量了这些纳米颗粒在低温下的磁学特性.研究结果表明:扩散在硅土基质中的CdS:Mn纳米颗粒的磁滞回线相对于磁场轴有明显的偏移,而有致密包裹层SiO_2的CdS:Mn纳米颗粒却使磁滞回线的偏移消失,对于磁性纳米颗粒在磁化过程中出现的这一奇特的现象进行了合理的解释. 展开更多
关键词 纳米晶 cds:Mn^2+/sio2 磁学特性 磁滞回线
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处理温度及CdS量子点对Eu^(3+)掺杂SiO_2干凝胶光致发光性质的影响
6
作者 徐磊华 强颖怀 +1 位作者 江利 顾永琴 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期784-788,共5页
以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法制备了Eu3+掺杂的SiO2凝胶和Eu3+/CdS量子点共掺杂的SiO2干凝胶。考察了不同温度下处理2 h对Eu3+掺杂SiO2凝胶发光性质的影响。在40℃干燥的样品荧光光谱中,没有出现614 nm发射峰,455 nm处的峰也很弱... 以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法制备了Eu3+掺杂的SiO2凝胶和Eu3+/CdS量子点共掺杂的SiO2干凝胶。考察了不同温度下处理2 h对Eu3+掺杂SiO2凝胶发光性质的影响。在40℃干燥的样品荧光光谱中,没有出现614 nm发射峰,455 nm处的峰也很弱;随着干燥处理温度的升高,455 nm和614 nm处的发射逐渐增强;当温度高于400℃后,强度又都随之下降。同时,还考察了200℃条件下处理2 h的Eu3+/CdS量子点共掺杂的SiO2干凝胶的发光性质及CdS量子点对Eu3+荧光的影响。 展开更多
关键词 光致发光 cds量子点 Eu3+ 共掺杂 sio2干凝胶
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CdS/SiO_2半导体玻璃复合材料的低频Raman散射光谱研究
7
作者 王凯旋 隗罡 +5 位作者 黄建滨 戴庆红 赵壁英 桂琳琳 谢有畅 唐有祺 《光散射学报》 1995年第2期92-93,95,共3页
CdS/SiO_2半导体玻璃复合材料的低频Raman散射光谱研究王凯旋,隗罡,黄建滨,戴庆红,赵壁英,桂琳琳,谢有畅,唐有祺(北京大学物理化学研究所北京100871)AStudyofCdSSemieonductori... CdS/SiO_2半导体玻璃复合材料的低频Raman散射光谱研究王凯旋,隗罡,黄建滨,戴庆红,赵壁英,桂琳琳,谢有畅,唐有祺(北京大学物理化学研究所北京100871)AStudyofCdSSemieonductorinSilicaGlassesbyL... 展开更多
关键词 cds/sio2半导体玻璃复合材料 低频Raman散射光谱 拉曼散射光谱分析 二氧化硅 硫化镉
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不同掺杂浓度的CdS:Mn/SiO_2核壳纳米结构的光致发光
8
作者 薛洪涛 《南京邮电大学学报(自然科学版)》 2009年第6期64-67,74,共5页
通过反胶束法合成了分散性较好的Mn2+掺杂的CdS/SiO2核壳纳米结构,在合成过程中,没有添加任何偶联剂。利用高分辨透射电镜和电子衍射仪器对合成的纳米颗粒的结构进行了表征。进一步研究了这些纳米颗粒的光致发光谱、光致发光激发谱和电... 通过反胶束法合成了分散性较好的Mn2+掺杂的CdS/SiO2核壳纳米结构,在合成过程中,没有添加任何偶联剂。利用高分辨透射电镜和电子衍射仪器对合成的纳米颗粒的结构进行了表征。进一步研究了这些纳米颗粒的光致发光谱、光致发光激发谱和电子自旋共振谱,对于不同的Mn2+掺杂的CdS/SiO2核壳纳米结构的发光特性和机制进行了详细的分析。这些稳定的荧光纳米颗粒可望在生物、医学等方面以及与材料相关的领域内有广泛的应用。 展开更多
关键词 cds:Mn2+/sio2 反胶束法 核壳纳米结构 光致发光
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在SiO_2分子筛内CdS纳米晶的内延生长及特性研究 被引量:6
9
作者 于广友 范希武 +3 位作者 申德振 张吉英 杨宝均 蔡强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期182-184,共3页
在SiO2分子筛内CdS纳米晶的内延生长及特性研究于广友范希武申德振张吉英杨宝均(中国科学院长春物理研究所,长春130021)(中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春130021)蔡强(吉林大学化学系,长春1300... 在SiO2分子筛内CdS纳米晶的内延生长及特性研究于广友范希武申德振张吉英杨宝均(中国科学院长春物理研究所,长春130021)(中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春130021)蔡强(吉林大学化学系,长春130023)关键词SiO2分子筛,CdS... 展开更多
关键词 分子筛 纳米晶 内延生长 硫化镉 纳米材料
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Mn^2+掺杂CdS纳米带的制备及其发光特性
10
作者 陈海燕 《集成电路应用》 2020年第7期25-27,共3页
分析表明,采用热蒸发法成功制备CdS:Mn^2+纳米带。利用扫描电子显微镜(SEM)对纳米带的形貌进行表征;利用荧光光谱仪(PL)分析纳米带的光致发光特性。结果表明,所制备的纳米带形貌比较规则,表面光滑、平整,纳米带的两端表面上没有圆球结... 分析表明,采用热蒸发法成功制备CdS:Mn^2+纳米带。利用扫描电子显微镜(SEM)对纳米带的形貌进行表征;利用荧光光谱仪(PL)分析纳米带的光致发光特性。结果表明,所制备的纳米带形貌比较规则,表面光滑、平整,纳米带的两端表面上没有圆球结晶形成;纳米带的厚度有几十个纳米,宽度在1~5μm之间,长度从几十微米到上百微米,CdS:Mn^2+纳米带的发光谱中出现多个发光峰,分别位于468 nm、480 nm、492 nm、523 nm、530 nm、555 nm处。 展开更多
关键词 集成电路材料 热蒸发法 Mn^2+掺杂 cds纳米带 光致发光
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CdS/SiO2复合粒子的制备及稳定Pickering乳液的性能研究 被引量:1
11
作者 高健强 贺拥军 芦建华 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期170-175,共6页
采用Stober法制备了形貌规整的SiO2,利用均匀沉淀法将CdS离散复合在SiO2表面,合成不同疏水性的CdS/SiO2复合粒子,以CdS/SiO2复合粒子为乳化剂制备Pickering乳液。通过SEM、EDS分析CdS/SiO2复合粒子,数码生物显微镜观察Pickering乳液液... 采用Stober法制备了形貌规整的SiO2,利用均匀沉淀法将CdS离散复合在SiO2表面,合成不同疏水性的CdS/SiO2复合粒子,以CdS/SiO2复合粒子为乳化剂制备Pickering乳液。通过SEM、EDS分析CdS/SiO2复合粒子,数码生物显微镜观察Pickering乳液液滴。结果表明,在CdSO4和硫代乙酰胺(TAA)质量摩尔浓度分别为0.01、0.01 mol/L时制备的CdS/SiO2复合粒子的疏水性随着CdS复合次数的增多而增大;在CdSO4和TAA浓度分别为0.0001、0.001 mol/L时制备的CdS/SiO2复合粒子疏水性无变化。SEM分析结果表明,CdS的尺寸随着复合次数的增加而变大。用不同复合次数的CdS/SiO2复合粒子所制备的Pickering乳液均为O/W型,随着复合次数的增加,乳液液滴的数量和半径均增大,稳定时间也逐渐增大。 展开更多
关键词 cds/sio2复合粒子 Pickering乳液 复合 沉降
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反相微乳法制备纳米CdS/SiO_2复合颗粒和空心SiO_2球
12
作者 陈兴田 陈劲春 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期97-98,102,共3页
采用Triton X-100/环己烷/正辛醇/水W/O型微乳体系,制备了粒径分布均匀、尺寸在30-50nm范围内的CdS/SiO2复合球,并通过酸处理,得到了相应的空心SiO2球。用TEM、XRD、FTIR、BET等手段对产品进行了表征。研究表明,改变反应物的加入量和反... 采用Triton X-100/环己烷/正辛醇/水W/O型微乳体系,制备了粒径分布均匀、尺寸在30-50nm范围内的CdS/SiO2复合球,并通过酸处理,得到了相应的空心SiO2球。用TEM、XRD、FTIR、BET等手段对产品进行了表征。研究表明,改变反应物的加入量和反应物的浓度,影响颗粒的尺寸及其空心的大小。 展开更多
关键词 W/O型微乳液 纳米 cds/sio2复合颗粒 空心sio2
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红色长余辉材料Mg_2SiO_4∶Dy^(3+),Mn^(2+)的制备及发光特性 被引量:14
13
作者 林林 尹民 +2 位作者 施朝淑 张慰萍 徐美 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期331-336,共6页
用高温固相法制备了长余辉发光材料Mg2SiO4∶Dy3+,Mn2+,对这种材料的红色长余辉性质进行了研究。对以不同掺杂浓度单掺杂Mn2+、单掺杂Dy3+以及双掺杂Dy3+,Mn2+的Mg2SiO4体系,通过在紫外激发下的发射光谱及其激发光谱的研究,确认了在双... 用高温固相法制备了长余辉发光材料Mg2SiO4∶Dy3+,Mn2+,对这种材料的红色长余辉性质进行了研究。对以不同掺杂浓度单掺杂Mn2+、单掺杂Dy3+以及双掺杂Dy3+,Mn2+的Mg2SiO4体系,通过在紫外激发下的发射光谱及其激发光谱的研究,确认了在双掺杂体系中,峰值为660 nm的发光带对应着Mn2+的4T1(4G)→6A1(6S)跃迁,Mn2+为主要发光中心。Mn2+的660 nm发射的激发谱分布很宽,样品在近紫外和可见光区都有良好的吸收,长波边可达600 nm,是这种材料的一个显著优点。还研究了双掺杂体系中Dy3+对Mn2+的660 nm发光带的敏化作用。另外,通过对单掺杂、双掺杂体系热释光曲线的比较,揭示了双掺杂体系中Dy3+的陷阱作用。 展开更多
关键词 Mg2sio4 DY^3+ MN^2+ 长余辉荧光粉 能量传递
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CdS/SiO_2 nanowire arrays and CdS nanobelt synthesized by thermal evaporation
14
作者 YU Ling-min ZHU Chang-chun +2 位作者 FAN Xin-hui QI Li-jun YAN Wen 《Journal of Zhejiang University-Science A(Applied Physics & Engineering)》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第11期1956-1960,共5页
CdS/SiO2 nanowire arrays and CdS nanobelts were synthesized by thermal evaporation of CdS and CdO mixture powders, with highly selective etching occurring on the silicon substrate surfaces. Study of the growth mechani... CdS/SiO2 nanowire arrays and CdS nanobelts were synthesized by thermal evaporation of CdS and CdO mixture powders, with highly selective etching occurring on the silicon substrate surfaces. Study of the growth mechanism of CdS/SiO2 nanowire arrays and the growth process of CdS nanobelts showed that the growth of CdS dendrites plays an important role in the formation of CdS/SiO2 nanowire arrays, and that the mechanism of CdS/SiO2 nanowire arrays growth was in good agreement with “self-assembling nanoelectrochemistry”. In the thermal evaporation process, an interaction between Si from silicon substrate and Cd took place. 展开更多
关键词 cds/sio2 nanowire arrays cds nanobelts cds dendrites Self-assembling nanoelectrochemistry
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Fe_3O_4/SiO_2复合粒子的制备及对Cd^(2+)的吸附性能研究 被引量:5
15
作者 乔永生 沈腊珍 +2 位作者 李晓琛 晋春 孙占国 《中北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2015年第3期343-347,353,共6页
采用共沉淀法制备出粒径为10nm左右、具有超顺磁性的Fe3O4纳米粒子,在Fe3O4纳米粒子外包覆SiO2合成了磁性Fe3O4/SiO2复合粒子,研究了该复合粒子对水溶液中Cd2+离子的吸附性能.利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、红外光谱(FTIR... 采用共沉淀法制备出粒径为10nm左右、具有超顺磁性的Fe3O4纳米粒子,在Fe3O4纳米粒子外包覆SiO2合成了磁性Fe3O4/SiO2复合粒子,研究了该复合粒子对水溶液中Cd2+离子的吸附性能.利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、红外光谱(FTIR)、振动样品磁强计(VSM)和原子吸收分光光度计(AAS)对样品进行表征,考察了SiO2不同包覆量对吸附剂吸附性能的影响.结果表明:随着SiO2包覆量的增大,SiO2壳层厚度增大,内核中包埋的Fe3O4粒子数量增多,Fe3O4/SiO2复合粒子尺寸随着增大,由50nm左右增大到300 nm左右;Fe3O4纳米粒子表现出了良好的磁性能,比饱和磁化强度达73.6A·m2·kg-1,Fe3O4/SiO2复合粒子的比饱和磁化强度随SiO2包覆量的增大而逐渐减小;Fe3O4/SiO2复合粒子的吸附率随着SiO2包覆量的增多而逐渐增大,最大吸附率为91.0%. 展开更多
关键词 FE3O4纳米粒子 Fe3O4/sio2复合粒子 cd2+离子 吸附 磁性
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CaF2包覆Zn2SiO4:Mn^2+绿色荧光粉的发光性能研究 被引量:3
16
作者 李峰 梅桢 +4 位作者 张卫华 杨彬亚 杨溦 席增卫 王伍宝 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2013年第1期61-65,共5页
采用溶胶-凝胶法在Zn2SiO4:Mn2+荧光粉颗粒表面包覆一层CaF2薄膜,研究CaF2膜对Zn2SiO4:Mn2+荧光粉的表面形貌以及发光性能的影响。利用扫描电子显微镜、XPS光电子能谱仪、荧光光度计分析包膜荧光粉的表面形貌、成分、紫外发射特性,并在... 采用溶胶-凝胶法在Zn2SiO4:Mn2+荧光粉颗粒表面包覆一层CaF2薄膜,研究CaF2膜对Zn2SiO4:Mn2+荧光粉的表面形貌以及发光性能的影响。利用扫描电子显微镜、XPS光电子能谱仪、荧光光度计分析包膜荧光粉的表面形貌、成分、紫外发射特性,并在模拟的等离子显示器工作条件下测试材料的真空紫外特性,与未包覆的Zn2SiO4:Mn2+荧光粉的各项性能进行比较。结果表明,CaF2在Zn2SiO4:Mn2+荧光粉表面呈细小颗粒状弥散分布,包覆后的荧光粉的亮度得到了明显的提高,余辉时间没有改变,色坐标未发生较大漂移,此结论对于改善PDP的显示性能及降低其成本均具有重要意义。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 Zn2sio4 MN^2+ 包覆 氟化钙 亮度 色坐标
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中空SiO_2微球对重金属Cd(II)的吸附研究 被引量:3
17
作者 隋学叶 刘世权 +1 位作者 徐杰 程新 《济南大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第3期195-198,共4页
采用壳上具有纳米孔的中空SiO2微球从溶液中吸附重金属Cd(II)离子,研究了被吸附溶液的pH值、Cd(II)离子初始浓度、吸附时间等对吸附Cd(II)离子的影响。结果表明,壳上具有纳米孔的中空SiO2微球可用于从溶液中吸附Cd(II)离子。在pH>3... 采用壳上具有纳米孔的中空SiO2微球从溶液中吸附重金属Cd(II)离子,研究了被吸附溶液的pH值、Cd(II)离子初始浓度、吸附时间等对吸附Cd(II)离子的影响。结果表明,壳上具有纳米孔的中空SiO2微球可用于从溶液中吸附Cd(II)离子。在pH>3的弱酸性溶液中比在pH≤3的酸性条件下中空SiO2微球吸附Cd(II)离子的量要大得多。Cd(II)离子初始浓度小于0.4 mol.L-1时,Cd吸附量随Cd(II)离子初始浓度的影响较小,进一步增大Cd(II)离子初始浓度,吸附量大幅攀升。 展开更多
关键词 纳米孔 中空sio2 微球 cd(Ⅱ)离子 吸附
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溶胶-凝胶法制备Eu、Cd共掺杂SiO_2基质材料的结构和发光性质 被引量:2
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作者 王喜贵 张宇斐 潘慧娟 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2011年第3期274-277,282,共5页
采用溶胶-凝胶法制备Eu3+、Cd2+共掺杂SiO2基质材料,通过差热-热重、红外光谱和荧光光谱研究了材料的结构和发光性能.差热-热重分析表明,120℃时材料中的吸附水和有机物已基本除去,400℃时凝胶玻璃中的挥发性成分已全部除去.红外光谱测... 采用溶胶-凝胶法制备Eu3+、Cd2+共掺杂SiO2基质材料,通过差热-热重、红外光谱和荧光光谱研究了材料的结构和发光性能.差热-热重分析表明,120℃时材料中的吸附水和有机物已基本除去,400℃时凝胶玻璃中的挥发性成分已全部除去.红外光谱测试结果表明,800℃退火的样品中只存在SiO2网状结构,Cd2+的掺入没有影响基质的主体结构.用Eu3+的7F0-5L6(395 nm)激发光激发时,产生Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)特征发射峰.在对Cd2+的掺杂量与Eu3+的发光性质的研究中发现,Cd2+的掺入对Eu3+发射峰的位置基本没有影响,但明显敏化了发光强度.对不同退火温度下材料的发光性能进行对比,发现随退火温度的增加,发光强度增加. 展开更多
关键词 sio2基质材料 Eu3+ cd2+ 发光强度
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Mn^(2+)在Cd_2B_6O_(11)中光致发光的研究 被引量:1
19
作者 林沛和 韩德万 +1 位作者 李善兰 常树岚 《延边大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第2期99-101,154,共4页
用高温固相法合成了以六硼酸镉为基质 ,Mn2 +为激活剂的光致发光材料 .对样品进行的荧光光谱分析结果表明 ,此发光材料的主激发峰位于 368nm ,来自Mn2 +的6A1 - 4 E( 4 D)跃迁吸收 ,主发射峰位于 62 0nm ,来自Mn2 +的4T1 ( 4 G) - 6A1 (... 用高温固相法合成了以六硼酸镉为基质 ,Mn2 +为激活剂的光致发光材料 .对样品进行的荧光光谱分析结果表明 ,此发光材料的主激发峰位于 368nm ,来自Mn2 +的6A1 - 4 E( 4 D)跃迁吸收 ,主发射峰位于 62 0nm ,来自Mn2 +的4T1 ( 4 G) - 6A1 ( 6S)跃迁发射 .同时对样品进行了X衍射测试 ,并用扫描电镜观察了晶体外貌 . 展开更多
关键词 MN^2+ cd2B6O11 过渡金属 光致发光 硼酸镉 高温固相法 发光材料 锰离子 荧光光谱
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Cd1-xZnxS/SiO2介孔组装体系的光学性质
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作者 杨一军 刘强春 +4 位作者 刘红艳 从守民 李村成 王红艳 戴建明 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1061-1064,共4页
利用sol-gel法得到SiO2介孔固体,浸泡热分解后获得Zn不同质量分数的Cd1-xZnxS/SiO2介孔组装体.吸收光谱表明,随着x的增加,吸收边向短波方向移动,这是由于Zn离子进入CdS取代了Cd离子,使Cd1-xZnxS能隙增大所致.由于量子尺寸效应,荧光光谱... 利用sol-gel法得到SiO2介孔固体,浸泡热分解后获得Zn不同质量分数的Cd1-xZnxS/SiO2介孔组装体.吸收光谱表明,随着x的增加,吸收边向短波方向移动,这是由于Zn离子进入CdS取代了Cd离子,使Cd1-xZnxS能隙增大所致.由于量子尺寸效应,荧光光谱中发光峰的宽化现象较明显,同时发光强度随x增大而增强,这是由于Zn离子使α相比例减少而有利于发光所致. 展开更多
关键词 cd1-xZnxS/sio2 介孔组装体 吸收边 荧光
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