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CdS和Bi_2Se_3量子点共敏化TiO_2光电极用于光解水制氢研究 被引量:1
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作者 王壮坤 杨志广 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期190-192,共3页
采用化学气相沉积法将CdS、Bi2Se3量子点沉积在TiO2纳米棒阵列上,组装成光电极,采用XRD对CdS/TiO2、Bi2Se3/TiO2电极进行结构测试,并用SEM、TEM对3个电极进行形貌测试。Na2S/Na2SO3溶液中,测试几个光电极的光解水制氢能力,结果表明:Bi2S... 采用化学气相沉积法将CdS、Bi2Se3量子点沉积在TiO2纳米棒阵列上,组装成光电极,采用XRD对CdS/TiO2、Bi2Se3/TiO2电极进行结构测试,并用SEM、TEM对3个电极进行形貌测试。Na2S/Na2SO3溶液中,测试几个光电极的光解水制氢能力,结果表明:Bi2Se3/CdS/TiO2电极产生的氢气量最大。进一步分析光电极的光电化学性能,得出Bi2Se3/CdS/TiO2电极的光电流是TiO2电极的20倍,是CdS/TiO2、Bi2Se3/TiO2电极的2倍,说明CdS量子点、Bi2Se3量子点共敏化TiO2电极表现出优良的制氢能力。 展开更多
关键词 TiO2纳米棒阵列 cds、bi2se3 quantum-dots共敏化 化学气相沉积法 光解水
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Photoreduction of CO_2 to methanol over Bi_2S_3/CdS photocatalyst under visible light irradiation 被引量:12
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作者 Xin Li Juntao Chen +4 位作者 Huiling Li Jingtian Li Yitao Xu Yingju Liu Jiarong Zhou 《Journal of Natural Gas Chemistry》 EI CAS CSCD 2011年第4期413-417,共5页
The Bi2S3,CdS and Bi2S3/CdS photocatalysts were prepared by direct reactions between their corresponding salt and thiourea in a hy- drothermal autoclave.The photocatalytic activities of these photocatalysts for reduci... The Bi2S3,CdS and Bi2S3/CdS photocatalysts were prepared by direct reactions between their corresponding salt and thiourea in a hy- drothermal autoclave.The photocatalytic activities of these photocatalysts for reducing CO2 to CH3OH under visible light irradiation have been investigated.The results show that the photocatalytic activity and visible light response of Bi2S3 are higher than those of CdS.The Bi2S3 modification can enhance the photocatalytic activity and visible light response of CdS.The photocatalytic activity of Bi2S3/CdS hetero-junction photocatalyst was the highest and the highest yields of methanol was 613μmol/g when the weight proportion of Bi2S3 to CdS was 15%,which was about three times as large as that of CdS or two times of that of Bi2S3. 展开更多
关键词 photocatalytic reduction carbon dioxide heterogeneous catalysts cds bi2S3 CO2 reduction
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Biomolecule-Assisted Synthesis of Nanocrystalline CdS and Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>for Photocatalytic Hydrogen Evolution 被引量:1
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作者 Caolong Li Wei Chen +2 位作者 Jian Yuan Mingxia Chen Wenfeng Shangguan 《World Journal of Nano Science and Engineering》 2011年第3期79-83,共5页
Novel CdS and Bi2S3 hollow nanospheres were prepared by simple “one-pot” biomolecule-assisted hydrothermal method using glutathione (GSH) as sulfur source and structure-directing reagents. The single-phase CdS and B... Novel CdS and Bi2S3 hollow nanospheres were prepared by simple “one-pot” biomolecule-assisted hydrothermal method using glutathione (GSH) as sulfur source and structure-directing reagents. The single-phase CdS and Bi2S3 photocatalysts were capable of evolving H2 from aqueous solutions containing a sacrificial electron donor, under visible light irradiation (λ ≥ 420 nm) with Pt co-catalyst. A possible formation mechanism of complexation, S-C bond rupture, and spherical aggregate followed isotropic Ostwal ripening or anisotropic Ostwal ripening was proposed in this study. 展开更多
关键词 cds bi2S3 Photocatalyst Hydrogen Evolution Ostwal RIPENING
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拓扑绝缘体Bi_2Se_3单晶体的研究进展 被引量:8
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作者 吕莉 张敏 +2 位作者 杨立芹 羊新胜 赵勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期7-12,共6页
拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化... 拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化学掺杂方法对Bi2Se3费米能级的影响,同时展望了今后Bi2Se3的研究发展方向。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 晶体生长 bi2se3
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Fluorescence spectra of colloidal self-assembled CdSe nano-wire on substrate of porous Al2O3/Au nanoparticles
5
作者 Xin Zhang Li-Ping Shao +3 位作者 Man Peng Zhong-Chen Bai Zheng-Ping Zhang Shui-Jie Qin 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第6期429-432,共4页
We present a self-assembly method to prepare array nano-wires of colloidal CdSe quantum dots on a substrate of porous Al2 O3 film modified by gold nanoparticles. The photoluminescence(PL) spectra of nanowires are in s... We present a self-assembly method to prepare array nano-wires of colloidal CdSe quantum dots on a substrate of porous Al2 O3 film modified by gold nanoparticles. The photoluminescence(PL) spectra of nanowires are in situ measured by using a scanning near-field optical microscopy(SNOM) probe tip with 100-nm aperture on the scanning near-field optical microscope. The results show that the binding sites from the edge of porous Al2 O3 nanopores are combined with the carboxyl of CdSe quantum dots’ surface to form an array of CdSe nanowires in the process of losing background solvent because of the gold nanoparticles filling the nano-holes of porous Al2 O3 film. Compared with the area of nonself-assembled nano-wire, the fluorescence on the Al2 O3/Au/CdSe interface is significantly enhanced in the self-assembly nano-wire regions due to the electron transfer conductor effect of the gold nanoparticles’ surface. In addition, its full width at half maximum(FWHM) is also obviously widened. The method of enhancing fluorescence and energy transfer can widely be applied to photodetector, photocatalysis, optical display, optical sensing, and biomedical imaging, and so on. 展开更多
关键词 enhanced PHOTOLUMINESCENCE cd se NANO-WIRE COLLOIDAL seLF-ASseMBLED method porous Al2O3 film
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Bi_2Se_3纳米片的制备及表征 被引量:1
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作者 刘丽君 向卫东 +3 位作者 钟家松 杨昕宇 梁晓娟 刘海涛 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期524-529,共6页
以BiCl3和Se粉为铋源和硒源,Na2SO3为还原剂,在碱性条件下,采用简单的溶剂热法首次在不同溶剂中均合成了Bi2Se3纳米片。探究了不同反应时间片状纳米晶的定向生长特性。通过X射线粉末衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱仪(EDS),... 以BiCl3和Se粉为铋源和硒源,Na2SO3为还原剂,在碱性条件下,采用简单的溶剂热法首次在不同溶剂中均合成了Bi2Se3纳米片。探究了不同反应时间片状纳米晶的定向生长特性。通过X射线粉末衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱仪(EDS),透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等方法对所得产物的物相结构及形貌进行了表征。结果表明在不同溶剂中所得产物均为纯六方相Bi2Se3纳米片,产物的尺寸及形貌随溶剂变化虽有所不同,但总体为片状形貌,并阐明了片状形貌Bi2Se3的形成与其内部特殊的层状结构密切相关。 展开更多
关键词 bi2se3 纳米片 溶剂热 合成 表征
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(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)熔炼冷压烧结材料的制备及其热电性能的研究 被引量:1
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作者 王月媛 胡建民 +2 位作者 信江波 吕强 荣剑英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期655-659,共5页
本文采用熔炼冷压烧结法制备了n型赝三元(B i2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05熔炼冷压烧结热电材料,分析了材料的微观结构并测试了材料的热电性能。研究表明:烧结有利于提高材料的热电性能;n型赝三元熔炼冷压烧结热电材料的热电性能... 本文采用熔炼冷压烧结法制备了n型赝三元(B i2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05熔炼冷压烧结热电材料,分析了材料的微观结构并测试了材料的热电性能。研究表明:烧结有利于提高材料的热电性能;n型赝三元熔炼冷压烧结热电材料的热电性能沿垂直于冷压压力方向存在优化取向。 展开更多
关键词 (bi2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2se3)0.05 热电材料 冷压烧结
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以CdSe—Bi3Se3着色玻璃的光学性质
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作者 刘智恩 程继健 《特种玻璃》 1990年第1期9-12,共4页
关键词 cdsE bi2se3 着色玻璃 滤光玻璃
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Effect of substrate temperature and oxygen plasma treatment on the properties of magnetron-sputtered CdS for solar cell applications
9
作者 Runxuan Zang Haolin Wang +9 位作者 Xiaoqi Peng Ke Li Yuehao Gu Yizhe Dong Zhihao Yan Zhiyuan Cai Huihui Gao Shuwei Sheng Rongfeng Tang Tao Chen 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期22-33,I0010,共13页
Cadmium sulfide(CdS)is an n-type semiconductor with excellent electrical conductivity that is widely used as an electron transport material(ETM)in solar cells.At present,numerous methods for preparing CdS thin films h... Cadmium sulfide(CdS)is an n-type semiconductor with excellent electrical conductivity that is widely used as an electron transport material(ETM)in solar cells.At present,numerous methods for preparing CdS thin films have emerged,among which magnetron sputtering(MS)is one of the most commonly used vacuum techniques.For this type of technique,the substrate temperature is one of the key deposition parameters that affects the interfacial properties between the target film and substrate,determining the specific growth habits of the films.Herein,the effect of substrate temperature on the microstructure and electrical properties of magnetron-sputtered CdS(MS-CdS)films was studied and applied for the first time in hydrothermally deposited antimony selenosulfide(Sb_(2)(S,Se)_(3))solar cells.Adjusting the substrate temperature not only results in the design of the flat and dense film with enhanced crystallinity but also leads to the formation of an energy level arrangement with a Sb_(2)(S,Se)_(3)layer that is more favorable for electron transfer.In addition,we developed an oxygen plasma treatment for CdS,reducing the parasitic absorption of the device and resulting in an increase in the short-circuit current density of the solar cell.This study demonstrates the feasibility of MS-CdS in the fabrication of hydrothermal Sb_(2)(S,Se)_(3)solar cells and provides interface optimization strategies to improve device performance. 展开更多
关键词 magnetron sputtering cds substrate heating plasma treatment Sb_(2)(S se)_(3) thin film solar cell
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少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜电子结构和光学性质理论研究
10
作者 李中军 王安健 +4 位作者 赵伟 王健越 陈实 李国祥 仇怀利 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第9期1280-1283,共4页
文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到1QL时,其费米能级附近的电子态仍然保持线性色散关系;特别是... 文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到1QL时,其费米能级附近的电子态仍然保持线性色散关系;特别是当薄膜厚度减小到2QL和1QL时,由于量子限域效应,体电子态和表面电子态的能隙都明显增大,导致体电子态和表面电子态发生分离,这种分离有利于制备基于1QL和2QL的Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的自旋电子器件。光吸收系数的计算发现,厚度为5QL、4QL、3QL的薄膜在红外区有1个吸收主峰,吸收边远超出了红外区;当厚度减小到2QL和1QL时,吸收边发生明显蓝移,红外区的吸收峰蓝移且强度明显减小,这表明3QL以上的Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜更适合制备红外光探测器件。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 少层bi 2se 3薄膜 拓扑表面态 量子限域效应 光吸收谱
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A2Se3(A=Bi,Sb)纳米结构及其热电性质研究
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作者 宋春燕 张建军 +2 位作者 周龙 杨宁选 王雪燕 《纳米科技》 2014年第4期74-77,共4页
在固态制冷和发电机设备应用领域中,A2Se3(A=Bi,Sb)基化合物是非常有前景的热电材料。文章在回顾近年在温和环境下合成A2Se3(A=Bi,Sb)基低维纳米晶的基础上,简要阐述了热电材料国内外研究现状,指出获得Bi2Se/Sb2Se。复合纳米... 在固态制冷和发电机设备应用领域中,A2Se3(A=Bi,Sb)基化合物是非常有前景的热电材料。文章在回顾近年在温和环境下合成A2Se3(A=Bi,Sb)基低维纳米晶的基础上,简要阐述了热电材料国内外研究现状,指出获得Bi2Se/Sb2Se。复合纳米材料和稀土元素及三价离子掺杂A2Se3(A=Bi,Sb)纳米晶体是未来热电材料发展的主要方向。 展开更多
关键词 A2se3(A=bi Sb) 纳米结构 热电性质 复合和掺杂
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纳米晶Bi_2Se_3-Sb_2Se_3薄膜的SILAR法制备及表征 被引量:2
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作者 陈多金 雷天民 卢刚 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A02期343-346,共4页
采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,分别用含有Se2-,Bi3+和Sb3+的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液,以载玻片为衬底,在室温下沉积出致密且具有镜面金属光泽的Bi2Se3-Sb2Se3薄膜材料。为了改善薄膜样品的结晶状态,对其进行了退火处... 采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,分别用含有Se2-,Bi3+和Sb3+的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液,以载玻片为衬底,在室温下沉积出致密且具有镜面金属光泽的Bi2Se3-Sb2Se3薄膜材料。为了改善薄膜样品的结晶状态,对其进行了退火处理。用AFM观察了薄膜样品的表面形貌,用XRD分析了退火前后薄膜样品的结晶状态。结果表明:薄膜样品经200℃较低温度下退火处理4 h以后,薄膜的结晶状态由无定形态转化为多晶态,其平均晶粒尺寸为30 nm~40 nm。 展开更多
关键词 SILAR法 bi2se3-Sb2se3 薄膜 表征
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掺Mn拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜的制备及其电磁特性研究 被引量:1
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作者 杜洪洋 徐伟 +3 位作者 宋玲玲 仇怀利 李中军 黄荣俊 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第1期60-63,共4页
文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)法在蓝宝石衬底上制备拓扑绝缘体Bi_2Se_3和掺杂Mn的拓扑绝缘体Bi_2Se_3的异质结薄膜。利用反射高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffraction,RHEED)和X射线衍射仪(X-ra... 文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)法在蓝宝石衬底上制备拓扑绝缘体Bi_2Se_3和掺杂Mn的拓扑绝缘体Bi_2Se_3的异质结薄膜。利用反射高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffraction,RHEED)和X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)对不同条件制备的样品晶相进行分析,获得最优的制备参数,主要包括衬底温度为390℃、Bi和Se的流量比为1∶10以及Mn流量对应的温度为590℃;利用综合物性测量系统(physical property measurement system,PPMS)测量了样品的温度电阻、磁电阻和霍尔电阻。测量结果表明,与纯Bi_2Se_3薄膜相比,Bi_2Se_3和掺杂Mn的Bi_2Se_3构成的异质结薄膜的电阻随温度的升高表现出金属性-绝缘性的转变和更强的磁阻特性,而且由于异质层间的近邻效应导致异质薄膜表现出p型导电特性。 展开更多
关键词 分子束外延(MBE) bi 2se 3异质薄膜 霍尔电阻 磁电阻
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衬底温度对Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜生长影响的研究 被引量:1
14
作者 王军 王安健 +4 位作者 杜洪洋 徐伟 宋玲玲 仇怀利 李中军 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2017年第11期1581-1584,共4页
文章利用分子束外延方法在蓝宝石衬底上制备Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜,研究衬底温度对薄膜生长质量的影响。首先对370、380、390、400℃衬底温度下生长的Bi_2Se_3薄膜样品,利用反射高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffra... 文章利用分子束外延方法在蓝宝石衬底上制备Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜,研究衬底温度对薄膜生长质量的影响。首先对370、380、390、400℃衬底温度下生长的Bi_2Se_3薄膜样品,利用反射高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffraction,RHEED)、原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)进行表面形貌的表征;利用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)和X射线能谱仪(energy dispersive X-ray spectroscopy,EDS)对样品的晶相和化学组分进行分析筛样。结果表明,衬底温度为390℃时制备的Bi_2Se_3薄膜表面平整、成分接近理想配比、结晶质量较好。最后利用综合物性测量系统测量了最佳衬底温度制备的样品的电学性质,表明样品为n型拓扑绝缘体薄膜。 展开更多
关键词 bi2se3 拓扑绝缘体 分子束外延 X射线衍射仪(XRD) 反局域化效应
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TiO2/Bi2Se3复合材料的制备及光电化学性能 被引量:1
15
作者 王超帅 仇怀利 +3 位作者 李思寒 张栋 沈周阳 李中军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期52-57,共6页
以二氧化钛(TiO2)为衬底,利用分子束外延(MBE)法制备了高质量的拓扑绝缘体硒化铋(Bi2Se3)薄膜。实验中,Bi与Se的流量比控制在1∶10左右,制得的薄膜厚度约为50 nm。利用反射高能电子衍射仪,对在TiO2(001)衬底上生长的Bi2Se3薄膜样品表面... 以二氧化钛(TiO2)为衬底,利用分子束外延(MBE)法制备了高质量的拓扑绝缘体硒化铋(Bi2Se3)薄膜。实验中,Bi与Se的流量比控制在1∶10左右,制得的薄膜厚度约为50 nm。利用反射高能电子衍射仪,对在TiO2(001)衬底上生长的Bi2Se3薄膜样品表面进行原位表征,可以看到清晰明亮的衍射条纹。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计和电化学工作站等测试手段对TiO2/Bi2Se3的晶体结构、表面形貌、光学和光电化学性质进行表征。结果表明,经Bi2Se3改性后的TiO2薄膜,在可见-红外区仍有较强的吸收峰,与纯TiO2薄膜相比,大大提高了其对太阳光的吸收利用率。在Bi2Se3和TiO2上分别蒸镀铟电极和金电极,将其制成光伏型光电探测器,并测试了样品在不同波长激光下的光响应特性及高频响应速度。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 硒化铋(bi2se3) 二氧化钛(TiO2) 分子束外延(MBE) 光响应
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Bi_2Se_3-Sb_2Se_3纳米复合材料的水热制备与表征 被引量:1
16
作者 汪琼 李秋旭 席珍强 《浙江理工大学学报(自然科学版)》 2014年第6期666-671,共6页
采用水热法制备Bi2Se3-Sb2Se3纳米复合材料。以X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(FESEM),电子分析天平为表征手段,分别研究有机溶剂、pH值、水热时间对Bi2Se3-Sb2Se3纳米粉体结构、形貌、成分的影响。结果表明:水热24h,以丙三醇为有机溶... 采用水热法制备Bi2Se3-Sb2Se3纳米复合材料。以X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(FESEM),电子分析天平为表征手段,分别研究有机溶剂、pH值、水热时间对Bi2Se3-Sb2Se3纳米粉体结构、形貌、成分的影响。结果表明:水热24h,以丙三醇为有机溶剂,在pH=9时制备的Bi2Se3-Sb2Se3纳米复合材料结晶性好、大小均匀、分散性好。 展开更多
关键词 bi2se3-Sb2se3 纳米材料 水热法
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气相传输法制备大尺寸单晶Bi_2Se_3纳米片、纳米带
17
作者 李小帅 王增梅 +5 位作者 朱鸣芳 王善朋 陶绪堂 陆骏 陈兴涛 徐佳乐 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1199-1203,共5页
低维Bi2Se3纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料,在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi2Se3... 低维Bi2Se3纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料,在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi2Se3纳米片、纳米带的物相结构、组成、表面形貌等进行表征。测试结果表明:气相传输法合成的单晶Bi2Se3纳米片、纳米带相纯度高,结晶性能好,均是{001}取向;Bi2Se3纳米片水平尺寸大,约为15--180μm;Bi2Se3纳米带长度达860μm,宽度约5μm。根据不同温度下制备的Bi2Se3纳米片、纳米带SEM照片及其不同方向结合能的差异,分析了其可能的生长机制:在较高温度下沿〈001〉和〈1010〉方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米片;在较低温度下,沿〈1120〉方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米带。这些研究结果完善了大尺寸Bi2Se3纳米材料的制备工艺,有望在微电子器件领域得到商业化应用。 展开更多
关键词 气相传输法 bi2se3纳米片 bi2se3纳米带
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单层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜电子结构与光学性质的理论研究
18
作者 陈实 李国祥 +2 位作者 宋玲玲 仇怀利 李中军 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第12期1647-1651,共5页
文章利用第一性原理计算研究了厚度为1QL(quintuple layer)的Bi_2Se_3单层薄膜的成键特点、电子结构和光学性质。电荷密度差分分析表明,1QL薄膜内Bi与Se原子层间除表现为强度不同的共价键成分外,还有电荷转移引起的弱的离子键成分。光... 文章利用第一性原理计算研究了厚度为1QL(quintuple layer)的Bi_2Se_3单层薄膜的成键特点、电子结构和光学性质。电荷密度差分分析表明,1QL薄膜内Bi与Se原子层间除表现为强度不同的共价键成分外,还有电荷转移引起的弱的离子键成分。光学性质计算表明,薄膜的光学性质表现出不同于体相的特征。介电函数虚部在低能区和高能区分别出现2个多峰结构,而且相对于体相,2个多峰结构分别发生明显的蓝移和红移现象。低能区的蓝移与近期的实验结果是一致的,而高能区的红移是首次预测的。结合电子结构计算,把蓝移和红移归因于表面电子态之间以及表面与体电子态之间耦合作用所致。此外,相对于体相,在介电函数实部和电子能量损失谱中也观察到峰位移动,而且反射系数的多峰结构的能量分布范围比较广,表明薄膜具有较低的光学透明度。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 bi2se3薄膜 电子结构 光学性质 蓝移
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Te元素掺杂Bi_2Se_3拓扑绝缘体纳米线的反弱局域效应(英文)
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作者 田锋 周远明 +7 位作者 张小强 魏来明 梅菲 徐进霞 蒋妍 吴麟章 康亭亭 俞国林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期270-275,共6页
采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi_2Se_3和Bi_2(Te_xSe_(1-x))_3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi_2(Te_xSe_(1-x))3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦... 采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi_2Se_3和Bi_2(Te_xSe_(1-x))_3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi_2(Te_xSe_(1-x))3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明,Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合,得到了电子的退相干长度l_φ,l_φ从1.5 K时的389 nm减小至20 K时的39 nm,遵循l_φ∝T^(-0.96)指数变化规律.分析表明,在Te掺杂样品的输运过程中,电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用. 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 bi2se3纳米线 反弱局域 退相干长度
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无还原剂一步湿化学反应法合成Bi_2Se_3超薄六边形纳米片
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作者 王娟 张文浩 +1 位作者 郭全胜 唐新峰 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期283-286,270,共5页
以五水合硝酸铋和合成的硒代硫酸钠为原料,乙二胺四乙酸二钠(EDTA)为络合剂,在pH=10的氨水-氯化铵缓冲溶液中,45~95℃冷凝回流反应2~8h,合成了均匀完整的单相Bi2Se3超薄纳米片,片的厚度大约为20nm,边长为200nm。系统研究了合成温度与... 以五水合硝酸铋和合成的硒代硫酸钠为原料,乙二胺四乙酸二钠(EDTA)为络合剂,在pH=10的氨水-氯化铵缓冲溶液中,45~95℃冷凝回流反应2~8h,合成了均匀完整的单相Bi2Se3超薄纳米片,片的厚度大约为20nm,边长为200nm。系统研究了合成温度与反应时间对产物相组成及其微观形貌的影响,并探讨了合成Bi2Se3的反应机制。 展开更多
关键词 bi2se3 一步湿化学法 纳米片 反应机制
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