CdS纳米半导体薄膜的制备和表征及光电性能

以不同摩尔比的氯化镉与硫代乙酰胺混合溶液为电解液,应用电沉积技术,在表面活性剂与电解液的液/液界面之间制备CdS纳米薄膜。采用SEM、XRD及XPS等方法对纳米膜的表面形貌及物相、组成进行了表征。紫外-可见吸收光谱分析表明:CdS纳米膜在可见光范围内有良好的透过率,适合做太阳光谱的响应器件。荧光光谱测试表明:当用320nm的光激发时,在373nm和536nm出现两个发射峰。在光照条件下,此纳米膜电极能够产生阳极光电流,说明光生电流主要靠空穴导电。

磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究（英文）

采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3 V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。

电沉积硫化镉纳米膜的形态结构

采用电沉积法在表面活性剂和电解液的液-液界面制备CdS纳米薄膜，硫化镉纳米膜是由50—60nm的球形颗粒构成。透射电镜、X射线光电子能谱、X射线衍射对纳米膜进行分析表明，制备的硫化镉纳米膜是由六方和立方混合相的CdS和六方相金属Cd组成，Cd与CdS的摩尔比近似1：3。由于表面效应导致纳米晶粒的晶格常数增大，晶格发生膨胀。