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中长波Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe激光晶体生长及元件制备
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作者 黄昌保 胡倩倩 +5 位作者 朱志成 李亚 毛长宇 徐俊杰 吴海信 倪友保 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期551-553,共3页
本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm... 本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm波段存在明显的吸收,同时,Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体在7~15μm波段透过率均接近CdSe晶体透过极限(~70%),换算吸收系数约为0.005 cm^(-1)。采用钼坩埚密封布里奇曼法制备的Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe晶体具有过渡金属离子掺杂浓度可控、掺杂均匀、晶体品质高等优点,可同时作为中波红外激光晶体和长波红外非线性光学晶体材料。 展开更多
关键词 中远红外激光 非线性光学晶体 激光晶体 过渡金属掺杂 cdse晶体 晶体生长 布里奇曼法
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非层状二维CdSe的制备及厚度对带隙的影响
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作者 李婷 张文婷 +3 位作者 王红艳 李秀梅 雷子煊 夏晓凤 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第5期153-158,共6页
二维半导体材料的天然带隙有望弥补石墨烯的零带隙缺陷,打破后者在场效应晶体管、开关器件、逻辑电路等领域的应用瓶颈. 相较于层状半导体材料,非层状半导体材料多以较强的离子键/共价键结合,且各向同性,因此要获取其二维结构存在一定挑... 二维半导体材料的天然带隙有望弥补石墨烯的零带隙缺陷,打破后者在场效应晶体管、开关器件、逻辑电路等领域的应用瓶颈. 相较于层状半导体材料,非层状半导体材料多以较强的离子键/共价键结合,且各向同性,因此要获取其二维结构存在一定挑战. 本论文通过化学气相沉积法实现了非层状CdSe在云母衬底上的二维各向异性生长. 详细表征了二维CdSe的微观形貌、晶体结构和光学特性等. 结果表明,样品具有显著的光致发光 (PL )效应,说明厚度减薄至纳米级时不会破坏CdSe的直接带隙属性. 此外,随着厚度减小,样品的PL峰逐渐蓝移. 为了进一步解释该现象,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了不同厚度的CdSe的能带结构,结果显示均为直接带隙,且随厚度减小,带隙值增大,与实验现象吻合. 由此可知,通过生长参数调控二维CdSe的厚度,即可实现对其带隙的有效调控,这对相关光电器件的性能提升具有指导意义. 展开更多
关键词 非层状半导体材料 二维cdse 化学气相沉积 带隙 第一性原理
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CdSe薄膜理论设计与分析
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作者 孙康迅 张弛 +13 位作者 周金辉 邱美叶 郑照轩 孔惠颖 施钧策 李轩 张林玉 罗薇 徐东昕 沈惟含 曲轶 乔忠良 李林 李再金 《材料化学前沿》 CAS 2024年第2期87-94,共8页
CdSe薄膜在许多应用领域都有广泛应用。在光催化领域,CdSe薄膜可以吸收光能并产生电子空穴对,从而促进光催化反应的进行。在生物医学领域,CdSe薄膜可以用于制备生物标记物和荧光探针,用于细胞成像、分子探测和生物传感等的应用中。在光... CdSe薄膜在许多应用领域都有广泛应用。在光催化领域,CdSe薄膜可以吸收光能并产生电子空穴对,从而促进光催化反应的进行。在生物医学领域,CdSe薄膜可以用于制备生物标记物和荧光探针,用于细胞成像、分子探测和生物传感等的应用中。在光电子学领域,CdSe薄膜因其优异的光电特性应用于太阳能电池的光吸收层,光传感器、光检测器和光放大器等光电子学器件中。本文通过CdSe薄膜制备理论分析其光学特性,制备CdSe太阳能吸收薄膜。针对其作为太阳能电池吸收薄膜的性能要求,采用G|2HL|A双层减反射膜系作为母膜系,以CdSe作为高折射率材料,SiO2、MgF2、HfO2分别作为低折射率材料进行膜系设计,并通过数据对比发现HfO2效果最好,通过设计降低反射率提高透射率和吸收率指标,选择可变度量法进行优化后,使其透过率和吸收率获得明显提升。设计结果表明:在380~780 nm波段,透过率高于30%,吸收率高于60%;在780~1000 nm波段,透过率高于65%,吸收率高于25%。设计要求值为保证镀制容差进行了透过指标溢出设计,数据表明设计的膜系能很好地满足薄膜性能需求,促进CdSe薄膜在光电子学领域更广泛的应用。 展开更多
关键词 cdse薄膜 太阳能电池吸收薄膜 双层减反射膜
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磁控溅射CdSe薄膜的光学和电学性质 被引量:1
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作者 崔熙林 金健 顾广瑞 《延边大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第3期212-217,共6页
利用射频磁控溅射方法在玻璃和Si(111)衬底上沉积了CdSe薄膜,并研究了不同溅射压强对薄膜的结构、光学和电学性能的影响.X射线衍射分析表明,所有样品均沿(111)面择优生长,晶粒尺寸随溅射压强的增大而减小.透射光谱分析表明,CdSe薄膜在... 利用射频磁控溅射方法在玻璃和Si(111)衬底上沉积了CdSe薄膜,并研究了不同溅射压强对薄膜的结构、光学和电学性能的影响.X射线衍射分析表明,所有样品均沿(111)面择优生长,晶粒尺寸随溅射压强的增大而减小.透射光谱分析表明,CdSe薄膜在红外光区域具有较大的透射率,薄膜的带隙随溅射压强的增大表现出先增大后减小的趋势.霍尔效应测试表明,随着溅射压强的增加,电阻率出现先增大后减小的趋势,载流子浓度则出现先减小后增大的趋势.该研究结果可为CdSe薄膜在光电器件方面的应用提供参考. 展开更多
关键词 cdse薄膜 磁控溅射 溅射压强 光学性质 电学性质
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CdSe晶体光参量振荡器的热透镜效应仿真研究
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作者 沈成贵 孙辉 +3 位作者 唐川 高秀英 周世斌 曾体贤 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第3期421-427,共7页
在CdSe晶体光参量振荡器(OPO)中,泵浦激光经过晶体后产生大量废热,使CdSe晶体出现明显热透镜效应,从而导致泵浦激光的光斑半径在晶体内部不断变小,最终降低了晶体的损伤阈值和OPO的输出功率。本文利用COMSOL软件对高重频脉冲激光泵浦CdS... 在CdSe晶体光参量振荡器(OPO)中,泵浦激光经过晶体后产生大量废热,使CdSe晶体出现明显热透镜效应,从而导致泵浦激光的光斑半径在晶体内部不断变小,最终降低了晶体的损伤阈值和OPO的输出功率。本文利用COMSOL软件对高重频脉冲激光泵浦CdSe晶体进行多物理场建模,完成了CdSe晶体热透镜效应仿真,通过参数优化,发现对流系数与晶体最大温度成反比,与晶体后端面和焦点的光斑半径成正比,聚焦位置随对流系数增加趋于稳定。单脉冲能量和重复频率与晶体最大温度和焦点的光斑半径成正比,与晶体后端面光斑半径和聚焦位置成反比。准直激光光斑半径与晶体最大温度成反比,与晶体后端面光斑半径、聚焦位置和焦点光斑半径成正比。该研究解决了CdSe OPO中晶体后端面光斑半径难以直接测量的问题,为优化CdSe晶体热透镜效应提供了理论依据。 展开更多
关键词 cdse晶体 热透镜效应 高重频脉冲激光 射线追迹 光参量振荡器
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CdSe QDs/TiO_(2)复合催化剂对氨氮废水的光降解性能研究 被引量:1
6
作者 郭天宇 张杨 +2 位作者 包颖 干苗苗 闫德峰 《环境科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期135-143,共9页
针对氨氮废水的有效处理,文章以水相合成法制备CdSe量子点溶液,通过巯基丙酸将CdSe量子点负载在P25载体上,制备了CdSe QDs/TiO_(2)复合光催化剂。通过TEM、XRD、XPS和EIS等表征测试结果,分析证实了复合催化剂的结构和可见光吸收能力。... 针对氨氮废水的有效处理,文章以水相合成法制备CdSe量子点溶液,通过巯基丙酸将CdSe量子点负载在P25载体上,制备了CdSe QDs/TiO_(2)复合光催化剂。通过TEM、XRD、XPS和EIS等表征测试结果,分析证实了复合催化剂的结构和可见光吸收能力。在弱碱条件下,通过考察助催化剂、CdSe QDs负载量、催化剂投加量和氨氮初始浓度等因素,评价了该体系在多因素影响下的光催化降解效率。结果表明,氨氮初始浓度为50 mg/L,pH=9,CdSe QDs负载量为1%,催化剂添加量为0.05 g,K_(2)S_(2)O_(8)添加量为0.054 g(2 mmol/L)时,光催化降解效果最佳,氨氮降解率达到81.79%。通过活性物质捕获实验研究了CdSe QDs/TiO_(2)光催化降解氨氮废水的机理,证实了体系中主要氧化活性物质为·O_(2)^(-)。 展开更多
关键词 氨氮污染物 cdse QDs/TiO_(2)光催化剂 可见光催化 降解机理
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微量热法研究CdSe/ZnS(QDs)/TiO_(2)复合物对金黄色葡萄球菌的抑制行为
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作者 付娌丽 王智俊 +3 位作者 刘东亮 饶璐 陈黄琴 李月生 《绵阳师范学院学报》 2023年第5期53-60,共8页
采用水热法和溶胶-凝胶法成功制备CdSe/ZnS(QDs)/TiO_(2)复合物,并通过紫外吸收光谱、荧光光谱和哈达玛荧光变换成像等手段进一步证明其组分和结构.运用微量热法研究了CdSe/ZnS(QDs)/TiO_(2)复合物对金黄色葡萄球菌(Staphylococcus aure... 采用水热法和溶胶-凝胶法成功制备CdSe/ZnS(QDs)/TiO_(2)复合物,并通过紫外吸收光谱、荧光光谱和哈达玛荧光变换成像等手段进一步证明其组分和结构.运用微量热法研究了CdSe/ZnS(QDs)/TiO_(2)复合物对金黄色葡萄球菌(Staphylococcus aureus,S.aureus)的抑制行为,揭示其抑菌的作用机制及其相关热力学规律.检测了S.aureus代谢生长热谱图,根据热动力学函数得到S.aureus生长速率常数(k)、传代时间(t G)、最大产热功率(Pm)、抑制率(I)等热动力学参数.研究表明CdSe/ZnS(QDs)/TiO_(2)复合物对S.aureus抑制作用强于TiO_(2),且随着浓度的增加,抑制效果更加显著,说明CdSe/ZnS(QDs)/TiO_(2)复合物对S.aureus有良好的抑制行为. 展开更多
关键词 微量热法 金黄色葡萄球菌 cdse/ZnS(QDs)/TiO_(2) 生长代谢热谱图 生长速率常数
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Exciton radiative lifetime in CdSe quantum dots
8
作者 Zhimin Ji Zhigang Song 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2023年第3期104-113,共10页
Colloidal CdSe quantum dots(QDs)are promising materials for solar cells because of their simple preparation pro-cess and compatibility with flexible substrates.The QD radiative recombination lifetime has attracted eno... Colloidal CdSe quantum dots(QDs)are promising materials for solar cells because of their simple preparation pro-cess and compatibility with flexible substrates.The QD radiative recombination lifetime has attracted enormous attention as it affects the probability of photogenerated charges leaving the QDs and being collected at the battery electrodes.However,the scaling law for the exciton radiative lifetime in CdSe QDs is still a puzzle.This article presents a novel explanation that recon-ciles this controversy.Our calculations agree with the experimental measurements of all three divergent trends in a broadened energy window.Further,we proved that the exciton radiative lifetime is a consequence of the thermal average of decays for all thermally accessible exciton states.Each of the contradictory size-dependent patterns reflects this trend in a specific size range.As the optical band gap increases,the radiative lifetime decreases in larger QDs,increases in smaller QDs,and is weakly depend-ent on size in the intermediate energy region.This study addresses the inconsistencies in the scaling law of the exciton life-time and gives a unified interpretation over a widened framework.Moreover,it provides valuable guidance for carrier separa-tion in the thin film solar cell of CdSe QDs. 展开更多
关键词 solar cells cdse quantum dot radiative lifetime scaling law optical band gap exciton fine structure room temperat-ure
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水溶性的CdSe/CdS/ZnS量子点的合成及表征 被引量:15
9
作者 杨芳芳 于俊生 谢颖 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1142-1147,共6页
用L-半胱氨酸盐(Cys)作为稳定剂,合成了水溶性的双壳结构的CdSe/CdS/ZnS半导体量子点。吸收光谱和荧光光谱结果表明,双壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米微粒比单一的CdSe核纳米粒子和单核壳结构的CdSe/CdS纳米粒子具有更优异的发光特性。用透... 用L-半胱氨酸盐(Cys)作为稳定剂,合成了水溶性的双壳结构的CdSe/CdS/ZnS半导体量子点。吸收光谱和荧光光谱结果表明,双壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米微粒比单一的CdSe核纳米粒子和单核壳结构的CdSe/CdS纳米粒子具有更优异的发光特性。用透射电子显微镜(TEM)、ED、XRD、XPS和FTIR等方法对CdSe核和双壳层的CdSe/CdS/ZnS纳米微粒的结构、分散性及形貌分别进行了表征。 展开更多
关键词 L-半胱氨酸 cdse cdse/CdS/ZnS 量子点
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碳量子点-CdSe@ZnS纳米晶双荧光二氧化硅纳米粒子的制备
10
作者 沈倩 高文建 《化学世界》 CAS 2023年第4期224-228,共5页
采用N-(β-氨乙基-γ-氨丙基)甲基二甲氧基硅烷修饰的碳量子点与正硅酸四乙酯共水解的方式制备了碳量子点-CdSe@ZnS纳米晶双荧光二氧化硅纳米粒子(CdSe@ZnS//CDs-mSiO_(2))。通过考察CdSe@ZnS//CDs-mSiO_(2)的微观形貌及荧光特征,证明... 采用N-(β-氨乙基-γ-氨丙基)甲基二甲氧基硅烷修饰的碳量子点与正硅酸四乙酯共水解的方式制备了碳量子点-CdSe@ZnS纳米晶双荧光二氧化硅纳米粒子(CdSe@ZnS//CDs-mSiO_(2))。通过考察CdSe@ZnS//CDs-mSiO_(2)的微观形貌及荧光特征,证明了碳量子点和CdSe@ZnS纳米晶被成功地包覆在了多孔SiO_(2)纳米粒子的内部,并且具有明显的双荧光特性。通过调整碳量子点和CdSe@ZnS纳米晶的比例以及CdSe@ZnS纳米晶的发射波长可获得丰富的荧光变化,显示出其在荧光编码和防伪以及生物标记领域的应用潜力。 展开更多
关键词 碳量子点 cdse@ZnS纳米晶 双荧光 二氧化硅纳米粒子
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柠檬酸稳定的水溶性CdSe和CdSe/CdS量子点的荧光特性 被引量:12
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作者 邓大伟 于俊生 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第5期701-707,共7页
用柠檬酸(citrate)作为稳定剂合成了尺寸分布集中、荧光性质良好的水溶性CdSe量子点。通过调节合成温度可以调控CdSe量子点的尺寸及相应的最大荧光发射波长。当温度由20℃增加到95℃时,合成的CdSe量子点的平均尺寸由2.0nm增加到3.2nm,... 用柠檬酸(citrate)作为稳定剂合成了尺寸分布集中、荧光性质良好的水溶性CdSe量子点。通过调节合成温度可以调控CdSe量子点的尺寸及相应的最大荧光发射波长。当温度由20℃增加到95℃时,合成的CdSe量子点的平均尺寸由2.0nm增加到3.2nm,相应的荧光发射峰由500nm红移到570nm,展现出明显的量子尺寸效应。进一步制备了CdSe/CdS核壳量子点,其荧光量子产率比CdSe增加了5~10倍。系统地研究了S/Se物质的量的比对CdSe/CdS量子点荧光特性的影响,通过XPS证实了CdSe/CdS量子点中CdS壳层的存在。利用红外光谱和核磁共振波谱表征了柠檬酸分子中的羧基和羟基氧原子与CdSe量子点表面的Cd离子的配位作用,进而揭示了柠檬酸分子对水溶性CdSe量子点溶液的稳定作用。 展开更多
关键词 cdse cdse/CdS 半导体量子点 柠檬酸三钠
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CdSe薄膜的制备及其光学特性的研究进展
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作者 孙康迅 邱美叶 +10 位作者 孔惠颖 郑照轩 王淼 熊佳怡 赵春杰 王婧 李再金 乔忠良 李林 徐东昕 曲轶 《材料化学前沿》 2023年第2期33-40,共8页
本文主要介绍了CdSe薄膜的制备及其光学特性的国内外研究现状及进展。作为一种II-VI族化合物半导体薄膜,CdSe一直是国内外研究发展的热点。在CdSe薄膜的制备过程中,不同的制备方法都会对其性能有较大影响,因此有必要选择合适的制备方法... 本文主要介绍了CdSe薄膜的制备及其光学特性的国内外研究现状及进展。作为一种II-VI族化合物半导体薄膜,CdSe一直是国内外研究发展的热点。在CdSe薄膜的制备过程中,不同的制备方法都会对其性能有较大影响,因此有必要选择合适的制备方法来进行性能的优化和取舍选择。近年来,人们发展了各种技术制备CdSe薄膜,但现有的研究主要集中在使用电化学方法制备CdSe薄膜以及在使用电化学方法时如何避免生成不稳定的立方相,即闪锌矿,直接生成稳定的六边形相,即纤锌矿,而关于物理方法尤其是真空热蒸发技术的CdSe镀膜技术及该制备方法下其成膜效果和光学特性等方面的报道较少。随着真空热蒸发技术的不断成熟,其真空度要求高的技术缺点和成本高的缺点正在不断被弥补,而其制膜纯度高、生产效率高的优点越发明显。同时研究发现在真空热蒸发技术下制备的CdSe膜具有更优良的光学特性,这将为CdSe薄膜将来的广泛制备和推广使用创造显著的有利条件。 展开更多
关键词 cdse薄膜 真空热蒸发 电化学方法 半导体薄膜 镀膜技术 光学特性 物理方法 真空度
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氨基化CdSe/ZnS量子点对克百威的高灵敏荧光测定
13
作者 崔婧 耿春辉 《广州化工》 CAS 2023年第12期115-118,共4页
制备了一种氨基化CdSe/ZnS量子点并用透射电镜进行了表征,其在543 nm处有最大荧光发射信号,碱性缓冲溶液作为溶剂时其荧光信号较强。将该量子点用于克百威的测定,结果显示克百威对其荧光信号有猝灭作用。在最佳条件下(0.1 mol/L氢氧化钠... 制备了一种氨基化CdSe/ZnS量子点并用透射电镜进行了表征,其在543 nm处有最大荧光发射信号,碱性缓冲溶液作为溶剂时其荧光信号较强。将该量子点用于克百威的测定,结果显示克百威对其荧光信号有猝灭作用。在最佳条件下(0.1 mol/L氢氧化钠和PBS溶液为溶剂,10分钟为猝灭时间),量子点的荧光强度随着克百威浓度的增大而降低,在0.1~100.0μg/L的范围内荧光强度与克百威浓度的对数呈线性关系,相关系数R2为0.99,检出限为0.06μg/L。该方法可以与常规的LC-MS方法相媲美,具有更低的检测限。 展开更多
关键词 氨基化cdsecdse/ZnS量子点 克百威 荧光 测定
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以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性 被引量:2
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作者 范希武 单崇新 +4 位作者 羊亿 张吉英 申德振 吕有明 刘益春 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期9-14,i001-i002,共8页
用低压金属有机化学气相外延(LP MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效... 用低压金属有机化学气相外延(LP MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用。依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释。用LP MOCVD技术,以Volmer Weber(V W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释。 展开更多
关键词 cdse量子点 Zncdse量子点 ZnSeS量子点 量子点的形成
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不同晶型Cdse纳米棒的制备及光电性能研究 被引量:5
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作者 郝彦忠 殷志刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期413-417,共5页
采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征.结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒.并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极... 采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征.结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒.并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IPCE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE.CdSe/PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移. 展开更多
关键词 cdse纳米棒 光电化学 cdse/PMET复合膜电极
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用泵浦-探测方法研究ZnCdSe量子阱/CdSe量子点复合结构中的激子衰减 被引量:2
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作者 张立功 申德振 +2 位作者 王海宇 王希军 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期85-89,共5页
用飞秒泵浦-探测方法测量了ZnCdse量子阱/ZnSe/CdSe量子点复合结构样品的透射特性。样品中ZnSe垒层厚度为 15nm,泵浦一探测结果得到上升沿时间为 367±60fs,下降沿时间为1.3±0.2ps... 用飞秒泵浦-探测方法测量了ZnCdse量子阱/ZnSe/CdSe量子点复合结构样品的透射特性。样品中ZnSe垒层厚度为 15nm,泵浦一探测结果得到上升沿时间为 367±60fs,下降沿时间为1.3±0.2ps。获得ZnCdSe量子阱中激子寿命约为1ps。 展开更多
关键词 Zncdse量子阱 cdse量子点 激子 泵浦-探测
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CdSe:Nd纳米晶及CdSe:Nd@SiO_2核壳结构的合成及发光性能 被引量:2
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作者 杨峻宏 张高峰 +3 位作者 高俊芳 雍胜利 马学林 段军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1260-1267,共8页
利用有机相法合成Nd^(3+)掺杂CdSe纳米晶(CdSe:Nd),通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、紫外吸收光光谱及荧光光谱表征,证明Nd^(3+)已经成功掺入到CdSe的晶格中。与纯CdSe纳米晶相比,CdSe:Nd纳米晶的结构仍为立方晶型,且形貌近似球... 利用有机相法合成Nd^(3+)掺杂CdSe纳米晶(CdSe:Nd),通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、紫外吸收光光谱及荧光光谱表征,证明Nd^(3+)已经成功掺入到CdSe的晶格中。与纯CdSe纳米晶相比,CdSe:Nd纳米晶的结构仍为立方晶型,且形貌近似球形,均匀分散,粒径约为2~4 nm。紫外吸收峰和荧光发射峰都发生红移,而且掺杂后的CdSe:Nd纳米晶量子产率也提高,这可能是由于掺杂Nd^(3+)引入了新的杂质能级,带隙减小。为了实现CdSe:Nd纳米晶的可加工性和功能性,通过微乳法合成SiO_2壳包覆的CdSe:Nd纳米球(CdSe:Nd@SiO_2纳米球),CdSe:Nd@SiO_2纳米球呈均匀球形,直径约为100~115 nm,并且包壳后的CdSe:Nd@SiO_2纳米球发射峰(581 nm)与CdSe:Nd纳米晶(598 nm)相比,发光强度提高且发射峰蓝移,蓝移约为17 nm,可能是因为SiO_2壳可以减少纳米晶表面的非辐射跃迁以及改善表面缺陷导致的。 展开更多
关键词 cdse∶Nd纳米晶 掺杂 cdse∶Nd@SiO2纳米球 荧光性质 核壳
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水溶性的CdSe/ZnS纳米微粒的合成及表征 被引量:54
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作者 谢颖 徐静娟 +1 位作者 于俊生 陈洪渊 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第6期663-667,共5页
用L鄄半胱氨酸(Cys)作为稳定剂,合成了水溶性的CdSe/ZnS核壳结构的半导体纳米微粒。吸收光谱和荧光光谱表明,CdSe/ZnS纳米微粒比单一的CdSe纳米粒子具有更优异的发光特性。透射电子显微镜(TEM)、ED和XPS表征了CdSe/ZnS纳米微粒的结构、... 用L鄄半胱氨酸(Cys)作为稳定剂,合成了水溶性的CdSe/ZnS核壳结构的半导体纳米微粒。吸收光谱和荧光光谱表明,CdSe/ZnS纳米微粒比单一的CdSe纳米粒子具有更优异的发光特性。透射电子显微镜(TEM)、ED和XPS表征了CdSe/ZnS纳米微粒的结构、分散性及形貌。红外光谱证实半胱氨酸分子中的硫原子和氧原子参加了与纳米粒子表面的金属离子的配位作用。 展开更多
关键词 cdse ZNS 纳米微粒 合成方法 表征 光催化材料 发光材料
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水相制备CdSe量子点及其ZnS核壳结构量子点 被引量:3
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作者 周蓓莹 王明辉 江莞 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第5期389-394,共6页
因具有较宽的可调控发光范围,CdSe量子点及其ZnS核壳结构量子点受到了研究者们的普遍关注。采用水相回流法合成了CdSe量子点及其ZnS核壳结构量子点,并结合透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见光吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)对... 因具有较宽的可调控发光范围,CdSe量子点及其ZnS核壳结构量子点受到了研究者们的普遍关注。采用水相回流法合成了CdSe量子点及其ZnS核壳结构量子点,并结合透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见光吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)对样品进行表征。TEM结果表明,合成的量子点粒径分布较宽且结晶度较高;从XRD分析结果可以看出,CdSe量子点为闪锌矿结构,沿着晶面向外生长ZnS壳层后,谱峰向高角度偏移;从UV-Vis和PL分析结果可以看出,CdSe量子点于500 nm处出现吸收肩峰,于644 nm处出现半高宽较宽的缺陷发光峰;随着反应时间的延长,于577 nm处出现本征发光峰。包覆了ZnS壳层后,量子点不仅发光强度明显增大,而且稳定性显著提高。该合成方法节能环保、生产效率高,具有较大的应用空间。 展开更多
关键词 cdse量子点 cdse/ZnS量子点 核壳结构 水相制备 发光性能调控
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水溶性荧光CdSe量子点的合成及其在指纹显现中的应用 被引量:21
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作者 石志霞 王元凤 +3 位作者 刘建军 杨瑞琴 左胜利 于迎春 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1186-1190,共5页
胶体半导体量子点是一类尺寸介于单个分子与体相材料之间的纳米晶,在基础研究和技术应用领域都受到人们极大的关注。其中CdSe量子点由于强的电子与空穴限域效应,使其具有粒径、形状与其光电性质间的强关联作用。这些优异的性质使其成为... 胶体半导体量子点是一类尺寸介于单个分子与体相材料之间的纳米晶,在基础研究和技术应用领域都受到人们极大的关注。其中CdSe量子点由于强的电子与空穴限域效应,使其具有粒径、形状与其光电性质间的强关联作用。这些优异的性质使其成为一种良好的可调谐光学发射体.可应用于生物标记领域。与传统的荧光探针分子相比,CdSe等IIBVIA族半导体荧光量子点具有激发光谱宽,发射光谱窄.颜色可调,即不同大小的纳米晶量子点能被单一波长的光激发而发出不同颜色的荧光.发光强度高.荧光寿命长,光稳定性好等优点, 展开更多
关键词 cdse量子点 水相合成 荧光 指纹显现
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