水热法制备CdSe和PbSe共负载TiO_2纳米带复合材料

采用两步水热合成过程制得了CdSe或/和PbSe负载的TiO2纳米带复合材料。用XRD、SEM、TEM、UV-Vis吸收和FTIR等测试技术对产物进行了一系列表征。结果表明,六方相CdSe粒子或/和立方相PbSe粒子直接负载在四方相锐钛矿型TiO2纳米带表面,其中呈近球形CdSe粒子的粒径主要在100~400 nm,而呈近立方体形PbSe粒子的边长主要在300~1 000 nm。CdSe和PbSe共负载TiO2纳米带复合材料在可见光区域有强的光吸收。由FTIR谱图推断,在复合材料载体TiO2纳米带结构中掺杂有少量Cd2＋或/和Pb2＋离子。

立方结构PbSe薄膜在六角硒化镉单晶(0001)表面的外延生长研究

采用分子束外延技术在六角铅锌矿结构CdSe单晶基片(0001)表面生长了立方结构PbSe薄膜,通过对所生长PbSe薄膜的X射线衍射(XRD)及透射电镜(TEM)分析,阐明了所生长立方PbSe薄膜与六角纤锌矿结构CdSe(0001)的外延关系,高分辨率TEM分析结果显示:CdSe基片与PbSe薄膜之间界面清晰,PbSe薄膜的晶体结构完整,其电子衍射谱的各级衍射斑点无明显畸变;XRD分析结果显示:所生长立方PbSe薄膜为(100)取向,PbSe薄膜与CdSe单晶的面内外延关系为PbSe[110]//CdSe[100],并呈现出三种不同面内取向晶粒镶嵌排列的微观结构,这表明:虽然六角铅锌矿结构CdSe(0001)面与立方PbSe(100)面具有不同的对称性,但仍能生长出高质量的PbSe薄膜,并为PbSe薄膜的应用奠定了可能。

半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用

以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料。近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注。利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔。着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用。