TiO_2/CdSe纳晶复合薄膜电极的制备及表征

研究了CdSe敏化TiO2纳晶多孔薄膜电极的制备及其表征,采用化学沉积法在TiO2纳晶薄膜电极表面制备了窄带隙纳米微粒CdSe,对丝网印刷制备的TiO2纳晶薄膜电极进行敏化处理,制备了TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极;同时利用XRD、SEM、TEM、XPS对TiO2/CdSe复合薄膜电极的晶型、粒径、元素组成和表面结合态进行了表征分析。

强度调制光电流谱研究纳晶薄膜电极过程

用强度调制光电流谱研究半导体纳晶薄膜电极光生电荷的界面转移和输运动力学过程．从测量不同外加电压和不同硫化钠溶液浓度下ＣｄＳｅ纳晶薄膜电极的光电流响应得到了参数：归一化稳态光电流和表面态寿命，分析界面空穴的直接转移和通过表面态的间接转移过程．通过测量不同背景光强下ＴｉＯ２纳晶薄膜电极的电子扩散系数研究电子输运过程．应用ＨＣｌ化学处理方法明显增大了电子扩散系数，改善了电子在ＴｉＯ２纳晶薄膜电极中的输运性能．

TiO_2/CdSe纳晶复合薄膜电极的光电性能研究

研究了TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极的瞬态光电流、光电流作用谱、光吸收特性,结果表明TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极阻止了CdSe上光生电子和空穴的复合,从而提高了阳极光电流的响应,获得了较高增幅的稳态光电流。

强度调制光电流谱研究纳晶CdSe薄膜电极的界面电荷转移过程

用强度调制光电流谱（ＩＭＰＳ）研究纳晶ＣｄＳｅ薄膜电极在多硫化钠溶液中的界 面电荷转移性能．从不同外加电压和不同溶液浓度下的光电流谱响应所得到的参数归 一化稳态光电流和表面态寿命，分析了界面电荷的直接转移和间接转移过程以及电荷 复合过程，并与多晶ＣｄＳｅ薄膜电极的结果进行了比较．