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玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质 被引量:8
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作者 江德生 李国华 +4 位作者 韩和相 贾锐 孙宝权 王若桢 孙萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期996-1001,共6页
用两步退火法在掺 Cd Se S的玻璃中制备了高密度的量子点 ,均匀性较好 .量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大 ,但组份基本不变 .研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系 ,证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关 .量子点... 用两步退火法在掺 Cd Se S的玻璃中制备了高密度的量子点 ,均匀性较好 .量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大 ,但组份基本不变 .研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系 ,证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关 .量子点尺寸越小 ,比表面积越大 。 展开更多
关键词 cdses 量子点 光学性质 玻璃
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玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱 被引量:4
2
作者 王引书 郑东 +4 位作者 孙萍 王一红 刘惠民 桑丽华 王若桢 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期139-143,共5页
对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300~800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃... 对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300~800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600~650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。 展开更多
关键词 纳米晶体 PL光谱 精细结构 cdses 玻璃 室温 光致发光谱 镉硒硫三元化合物
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玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究 被引量:2
3
作者 刘炳灿 吴正龙 田强 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期636-639,共4页
用光致发光激发光 (PLE)谱与光吸收谱和光致发光 (PL)谱相结合 ,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析 .PLE谱表明带边激子发光的主要来源是 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫 ,而缺陷态发光... 用光致发光激发光 (PLE)谱与光吸收谱和光致发光 (PL)谱相结合 ,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析 .PLE谱表明带边激子发光的主要来源是 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫 ,而缺陷态发光的来源除了 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫外 。 展开更多
关键词 玻璃 cdses PLE谱 半导体量子点 光致发光激发光谱 光致发光谱 光吸收谱 纳米材料
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CdSeS合金量子点的非线性组分效应研究 被引量:1
4
作者 万真 付红红 +1 位作者 袁斌霞 栾伟玲 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期50-54,共5页
利用毛细管微反应装置实现了三元合金CdSeS量子点的高效、可控合成,并考查了合成温度、前驱体浓度等对CdSeS量子点性能的影响。通过对前驱体浓度的调控,实现了荧光发射波长在520~629 nm范围连续可调的CdSeS量子点的合成,并验证了合金... 利用毛细管微反应装置实现了三元合金CdSeS量子点的高效、可控合成,并考查了合成温度、前驱体浓度等对CdSeS量子点性能的影响。通过对前驱体浓度的调控,实现了荧光发射波长在520~629 nm范围连续可调的CdSeS量子点的合成,并验证了合金量子点的非线性组分效应;利用高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、电子能谱(EDS)对合成的CdSeS量子点进行了结构和形貌表征。通过ZnS壳层包裹CdSeS,制备了核壳结构量子点,提高了荧光量子产率。 展开更多
关键词 cdses量子点 微反应 非线性效应
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液体石蜡体系中CdSeS三元量子点的制备及性能 被引量:3
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作者 张德龙 李万万 +1 位作者 王解兵 孙康 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期1383-1388,共6页
采用液体石蜡为反应溶剂,油酸为Cd源的溶剂和配体,在无磷条件下通过用高温热解法合成了高质量的CdSeS三元合金量子点.用透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射仪(XRD)和能量色散X射线分析仪(EDX)等对产物的性能进行了表征.结果表明,反应... 采用液体石蜡为反应溶剂,油酸为Cd源的溶剂和配体,在无磷条件下通过用高温热解法合成了高质量的CdSeS三元合金量子点.用透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射仪(XRD)和能量色散X射线分析仪(EDX)等对产物的性能进行了表征.结果表明,反应温度、反应时间和Se与S的比例等因素均对量子点的生长过程及光学性能产生影响.采用该方法制得的CdSeS三元合金量子点均为立方闪锌矿结构,且形成了一种内富S外富Se的成分梯度结构,其最大发射波长可在370~595 nm(近紫外~橙红色)范围内连续可调,量子效率最高可达65%.该体系下制备的CdSeS三元量子点具有良好的热稳定性和光稳定性. 展开更多
关键词 三元量子点 cdses 液体石蜡 热稳定性 光稳定性
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两种荧光波长CdSeS/ZnS-COOH合金量子点微核组学效应特征的比较研究 被引量:1
6
作者 吕路路 刘甜甜 +2 位作者 沈春琳 王磊 张天宝 《癌变.畸变.突变》 CAS CSCD 2015年第3期187-190,196,共5页
目的:比较两种荧光波长Cd SeS/ZnS-COOH合金量子点对细胞微核组效应遗传毒作用的特征。方法:采用L5178Y细胞胞质分裂阻滞微核细胞组学试验,490和540 nm两种荧光波长的合金量子点CdSeS/ZnS-COOH受试浓度均为0.062 5、0.125、0.25、0.5和0... 目的:比较两种荧光波长Cd SeS/ZnS-COOH合金量子点对细胞微核组效应遗传毒作用的特征。方法:采用L5178Y细胞胞质分裂阻滞微核细胞组学试验,490和540 nm两种荧光波长的合金量子点CdSeS/ZnS-COOH受试浓度均为0.062 5、0.125、0.25、0.5和0.1 mg/m L,观察其微核组效应、剂量-效应和时间-效应关系。结果:与阴性对照组相比,两种波长的CdSeS/ZnS-COOH合金量子点在0.062 5 mg/m L剂量时均可诱导微核率增加(P<0.05);两者都能诱导Ⅰ型微核、Ⅱ型微核和核芽效应,但490 nm合金量子点不能诱导核质桥效应,而540 nm合金量子点能诱导核质桥效应。490 nm合金量子点在0.0625 mg/m L可诱导产生总微核、Ⅰ型微核和核芽,而540 nm合金量子点在此浓度仅可诱导产生Ⅰ型微核;两者均随着剂量进一步增加诱导产生其他效应;各种微核组效应有明显的剂量-效应关系(P<0.05)。490 nm量子点在9 h首先出现核质桥,540 nm量子点在9 h首先出现总微核和Ⅱ型微核数增加;随时间延长进一步出现其他效应,27 h各效应值达到峰值,此后下降。结论:两种荧光波长CdSeS/ZnS-COOH合金量子点均可诱导微核组学效应,但在相同剂量的效应谱、剂量-效应和时间-效应方面均有差异,表明两者的遗传毒作用特点有差异。 展开更多
关键词 合金量子点 遗传毒性 微核组学效应 cdses/ZnS-COOH
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CdSeS量子点玻璃介电弛豫现象的实验研究 被引量:1
7
作者 陈桥育 何雪保 田强 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期484-486,共3页
实验研究CdSeS量子点玻璃在一定电压下电流随时间的变化,分析量子点玻璃的介电弛豫现象.得到CdSeS量子点玻璃的电流弛豫时间随着所加偏压的增大而单调增大;CdSeS量子点玻璃的电流弛豫过程与样品中量子点半径有关,当量子点半径较小或较大... 实验研究CdSeS量子点玻璃在一定电压下电流随时间的变化,分析量子点玻璃的介电弛豫现象.得到CdSeS量子点玻璃的电流弛豫时间随着所加偏压的增大而单调增大;CdSeS量子点玻璃的电流弛豫过程与样品中量子点半径有关,当量子点半径较小或较大时,弛豫时间都较小,当量子点半径居中时,弛豫时间比较大. 展开更多
关键词 半导体量子点 cdses 介电弛豫
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CdSeS量子点玻璃电学非线性系数的实验研究
8
作者 何雪保 陈桥育 田强 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期144-147,共4页
实验研究CdSeS量子点玻璃在一定电压下电流随时间的变化,分析量子点玻璃的电学非线性现象.得到CdSeS量子点玻璃的电学非线性系数与样品中量子点半径有关,当量子点半径较小或较大时,电学非线性系数都较大,当量子点半径居中时,电学非线性... 实验研究CdSeS量子点玻璃在一定电压下电流随时间的变化,分析量子点玻璃的电学非线性现象.得到CdSeS量子点玻璃的电学非线性系数与样品中量子点半径有关,当量子点半径较小或较大时,电学非线性系数都较大,当量子点半径居中时,电学非线性系数较小;另外,同一电压下CdSeS量子点玻璃的稳定电流与样品中量子点半径有关,当量子点半径较小或较大时,稳定电流较大,当量子点半径居中时,稳定电流较小. 展开更多
关键词 半导体量子点 cdses 电学非线性系数
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PLE spectra analysis of the sub-structure in the absorption spectra of CdSeS quantum dots 被引量:2
9
作者 刘炳灿 潘学琴 +1 位作者 田强 吴正龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第5期1067-1070,共4页
The semiconductor CdSeS quantum dots (QDs) embedded in glass are analysed by means of absorption spectra, photoluminescence (PL) spectra and photoluminescence excitation (PLE) spectra. The peaks of absorption sp... The semiconductor CdSeS quantum dots (QDs) embedded in glass are analysed by means of absorption spectra, photoluminescence (PL) spectra and photoluminescence excitation (PLE) spectra. The peaks of absorption spectra shift to lower energies with the size of QD increasing, which obviously shows a quantum-size effect. Using the PLE spectra, the physical origin of the lowest absorption peak is analysed. In PLE spectra, the lowest absorption peak can be deconvoluted into two peaks that stem from the transitions of 1S3/2-1Se and 2S3/2-1Se respectively. The measured energy difference between the two peaks is found to decrease with the size of QD increasing, which agrees well with the theoretical calculation for the two transitions. The luminescence peak of defect states is also analysed by PLE spectra. Two transitions are present in the PLE, which indicates that the transitions of 1S3/2 1Se and 2S3/2 1Se are responsible for the defect states luminescence. 展开更多
关键词 cdses PL spectra PLE spectra defect state
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CdSeS量子点的光学非线性特性 被引量:5
10
作者 赵立龙 吴峰 +1 位作者 田玮 李传起 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1332-1335,共4页
以脉冲宽度为35 ps,基频为1064 nm的Nd:YAG锁模激光器二倍频532 nm的激光作激发,利用Z-扫描技术研究了CdSeS量子点的光学非线性特性。实验结果表明CdSeS量子点在532 nm光激发下具有很大的非线性吸收效应,该吸收效应来自于光学三阶效应... 以脉冲宽度为35 ps,基频为1064 nm的Nd:YAG锁模激光器二倍频532 nm的激光作激发,利用Z-扫描技术研究了CdSeS量子点的光学非线性特性。实验结果表明CdSeS量子点在532 nm光激发下具有很大的非线性吸收效应,该吸收效应来自于光学三阶效应引起的双光子吸收。在不同的入射光强下观测了CdSeS量子点的Z-扫捕曲线,实验表明,CdSeS具有大的非线性折射率1.9×10^(-8)esu和大的双光子吸收截面25283 GM,比现在使用的ZnS量子点高出近2个数量级。 展开更多
关键词 cdses量子点 双光子吸收 非线性折射率 Z-扫描
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玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能 被引量:2
11
作者 王引书 孙萍 +3 位作者 丁硕 罗旭辉 李娜 王若桢 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期2892-2895,共4页
对掺有镉、硒、硫的玻璃在 5 0 0— 80 0℃退火 2— 2 4h ,生长了不同尺寸的CdSxSe1 x纳米晶体 .用分光光度计和光致发光光谱 (PL)分析了纳米晶体的性能 .退火温度低于 5 5 0℃ ,纳米晶体处于成核阶段 ,6 0 0— 6 2 5℃处于正常扩散生... 对掺有镉、硒、硫的玻璃在 5 0 0— 80 0℃退火 2— 2 4h ,生长了不同尺寸的CdSxSe1 x纳米晶体 .用分光光度计和光致发光光谱 (PL)分析了纳米晶体的性能 .退火温度低于 5 5 0℃ ,纳米晶体处于成核阶段 ,6 0 0— 6 2 5℃处于正常扩散生长阶段 ,70 0— 80 0℃处于竞争生长阶段 ;而 6 5 0℃处于两种生长阶段之间 .虽然 6 5 0℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄 ,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变 ,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸 .在所有样品中出现了深能级缺陷 ,在 6 5 0℃退火时间小于 4h或大于 16h有利于减少深能级缺陷的密度 . 展开更多
关键词 玻璃 cdses 性能 纳米晶体 生长机理 深能级缺陷
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CdSeS量子点/聚苯乙烯薄膜的三阶非线性光学特性 被引量:7
12
作者 何志聪 李芳 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期175-179,共5页
以脉宽为50fs、波长为800nm、重复频率为1kHz的飞秒激光作为激发光源,利用Z扫描技术研究了CdSeS量子点(QDs)/聚苯乙烯(PS)复合薄膜在非共振区的三阶非线性光学特性。实验结果表明,CdSeS QDs/PS复合薄膜在800nm光的激发下具有较大的非线... 以脉宽为50fs、波长为800nm、重复频率为1kHz的飞秒激光作为激发光源,利用Z扫描技术研究了CdSeS量子点(QDs)/聚苯乙烯(PS)复合薄膜在非共振区的三阶非线性光学特性。实验结果表明,CdSeS QDs/PS复合薄膜在800nm光的激发下具有较大的非线性吸收效应;观察到随着激光强度的增加,复合薄膜从饱和吸收(SA)向反饱和吸收(RSA)转变。该反饱和吸收效应主要源于CdSeS量子点的双光子吸收(TPA)。并且,双光子吸收系数β随着激光强度的增加而增加。当激光强度为4.2GW/cm2和16.8GW/cm2时,β分别为1.6×10-8 cm/W和2.8×10-8 cm/W,与已报道的量子点相比较高出1个数量级;非线性折射率n2分别为-6.2×10-11 cm2/W和2.7×10-12 cm2/W,与已报道的量子点相比较高出2个数量级。结果表明,CdSeS QDs/PS复合薄膜在光开关和光限幅等方面具有较大的潜在应用价值。 展开更多
关键词 非线性光学 cdses量子点 Z扫描 双光子吸收
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用非本征吸收区的透射系数研究CdSeS量子点玻璃的非线性系数 被引量:5
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作者 李永升 田强 《光学技术》 EI CAS CSCD 2004年第1期30-32,共3页
通过CdSeS量子点玻璃在非本征吸收区的透射系数,研究CdSeS量子点玻璃的非线性光学系数与量子点半径的关系。实验测量了嵌有不同尺寸CdSeS量子点玻璃的吸收光谱,在非本征吸收区量子点玻璃的透射系数随量子点半径的增大,先增大后减小;理... 通过CdSeS量子点玻璃在非本征吸收区的透射系数,研究CdSeS量子点玻璃的非线性光学系数与量子点半径的关系。实验测量了嵌有不同尺寸CdSeS量子点玻璃的吸收光谱,在非本征吸收区量子点玻璃的透射系数随量子点半径的增大,先增大后减小;理论分析了半导体量子点玻璃非本征吸收区透射系数与非线性光学系数之间的关系;实验与理论相结合,建立了非本征吸收区透射系数与非线性光学系数之间的联系。研究分析了CdSeS量子点玻璃的非线性光学系数随量子点半径的变化,得到CdSeS量子点玻璃在非本征吸收区的非线性光学系数随量子点半径的增大,先减小后增大的结果。 展开更多
关键词 半导体量子点玻璃 非线性光学系数 透射系数 非本征吸收区 cdses
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中长波Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe激光晶体生长及元件制备
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作者 黄昌保 胡倩倩 +5 位作者 朱志成 李亚 毛长宇 徐俊杰 吴海信 倪友保 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期551-553,共3页
本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm... 本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm波段存在明显的吸收,同时,Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体在7~15μm波段透过率均接近CdSe晶体透过极限(~70%),换算吸收系数约为0.005 cm^(-1)。采用钼坩埚密封布里奇曼法制备的Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe晶体具有过渡金属离子掺杂浓度可控、掺杂均匀、晶体品质高等优点,可同时作为中波红外激光晶体和长波红外非线性光学晶体材料。 展开更多
关键词 中远红外激光 非线性光学晶体 激光晶体 过渡金属掺杂 CdSe晶体 晶体生长 布里奇曼法
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CdSeS量子点的超快光物理特性研究 被引量:1
15
作者 安美英 张郑兵 +2 位作者 金钻明 林贤 马国宏 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期307-311,共5页
利用飞秒抽运-探测透射技术,研究了室温下CdSeS半导体量子点激发态载流子的弛豫过程与抽运光能量密度和光子能量的关系。实验结果表明,CdSeS量子点激发态载流子的弛豫有3个过程:1)约为10ps的一个快速弛豫过程,此过程随着抽运光能量密度... 利用飞秒抽运-探测透射技术,研究了室温下CdSeS半导体量子点激发态载流子的弛豫过程与抽运光能量密度和光子能量的关系。实验结果表明,CdSeS量子点激发态载流子的弛豫有3个过程:1)约为10ps的一个快速弛豫过程,此过程随着抽运光能量密度的不断增加而逐渐变慢,与光子能量没有明显的依赖关系,认为此过程是由载流子和光学声子的散射引起的;2)约为100ps的一个弛豫过程,此过程与抽运光能量密度及光子能量都没有明显的依赖关系,认为此过程是光激发载流子被缺陷态捕获而形成的限域载流子的弛豫过程;3)一个纳秒量级的带-带跃迁的弛豫过程。零延迟时间下的透射变化量随着抽运光能量密度的增大而增大,当抽运光能量密度增大到一定程度时,零延迟下的透射变化量逐渐趋于饱和。 展开更多
关键词 超快光学 载流子动力学 飞秒抽运-探测技术 cdses量子点
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非层状二维CdSe的制备及厚度对带隙的影响
16
作者 李婷 张文婷 +3 位作者 王红艳 李秀梅 雷子煊 夏晓凤 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第5期153-158,共6页
二维半导体材料的天然带隙有望弥补石墨烯的零带隙缺陷,打破后者在场效应晶体管、开关器件、逻辑电路等领域的应用瓶颈. 相较于层状半导体材料,非层状半导体材料多以较强的离子键/共价键结合,且各向同性,因此要获取其二维结构存在一定挑... 二维半导体材料的天然带隙有望弥补石墨烯的零带隙缺陷,打破后者在场效应晶体管、开关器件、逻辑电路等领域的应用瓶颈. 相较于层状半导体材料,非层状半导体材料多以较强的离子键/共价键结合,且各向同性,因此要获取其二维结构存在一定挑战. 本论文通过化学气相沉积法实现了非层状CdSe在云母衬底上的二维各向异性生长. 详细表征了二维CdSe的微观形貌、晶体结构和光学特性等. 结果表明,样品具有显著的光致发光 (PL )效应,说明厚度减薄至纳米级时不会破坏CdSe的直接带隙属性. 此外,随着厚度减小,样品的PL峰逐渐蓝移. 为了进一步解释该现象,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了不同厚度的CdSe的能带结构,结果显示均为直接带隙,且随厚度减小,带隙值增大,与实验现象吻合. 由此可知,通过生长参数调控二维CdSe的厚度,即可实现对其带隙的有效调控,这对相关光电器件的性能提升具有指导意义. 展开更多
关键词 非层状半导体材料 二维CdSe 化学气相沉积 带隙 第一性原理
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Alq_3和CdSeS量子点掺杂体系的载流子输运性质的研究
17
作者 张淑平 杨泽超 +3 位作者 彭亚晶 王英慧 刘玉强 杨延强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期518-522,共5页
利用飞行时间法(time-of-flight)测定了有机小分子发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)与CdSeS量子点掺杂体系的载流子迁移率.研究了Alq3和CdSeS混合薄膜的载流子迁移率与外加电场强度和量子点浓度的变化关系.研究结果表明,CdSeS量子点的掺杂浓... 利用飞行时间法(time-of-flight)测定了有机小分子发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)与CdSeS量子点掺杂体系的载流子迁移率.研究了Alq3和CdSeS混合薄膜的载流子迁移率与外加电场强度和量子点浓度的变化关系.研究结果表明,CdSeS量子点的掺杂浓度的增加会引起薄膜样品位置无序的增加.除此之外,Alq3和CdSeS量子点界面之间的电荷转移作用,以及在量子点之间进行跳跃传输的电子数量都会改变样品的载流子迁移率. 展开更多
关键词 ALQ3 cdses量子点 飞行时间法
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同位靶磁控溅射法制备Al掺杂CdSe薄膜
18
作者 何惠江 宣乐 +2 位作者 毛高翔 刘辉 王春海 《热加工工艺》 北大核心 2024年第16期159-162,共4页
为增加掺杂薄膜的元素均匀性,基于磁控溅射技术,设计了靶材同位共溅射制备掺杂薄膜的方法,并用于制备Al掺杂CdSe薄膜,获得了Al均匀掺杂的CdSe薄膜。结果表明:制备的薄膜为富Se状态,呈现明显的(111)择优取向。Al掺杂后的CdSe薄膜方块电阻... 为增加掺杂薄膜的元素均匀性,基于磁控溅射技术,设计了靶材同位共溅射制备掺杂薄膜的方法,并用于制备Al掺杂CdSe薄膜,获得了Al均匀掺杂的CdSe薄膜。结果表明:制备的薄膜为富Se状态,呈现明显的(111)择优取向。Al掺杂后的CdSe薄膜方块电阻由5.2 kΩ/□升高至544.5 kΩ/□。随着Al掺杂量的增加,薄膜的方块电阻下降。当共溅射Al片为6片时,薄膜方块电阻为7.7 kΩ/□,薄膜半导体类型由p型转变为n型。掺杂薄膜体电导率分别为192.4(未掺杂)、2.01×10^(4)(Al片数1)、506.9(Al片数2)、384.8(Al片数4)、284.9 mΩ·cm(Al片数6)。掺杂薄膜样品的禁带宽度Eg分别为1.82(未掺杂)、1.97(Al片数1)、1.75(Al片数2)、1.78(Al片数4)、1.82 eV(Al片数6)。 展开更多
关键词 同位靶磁控溅射 Al掺杂CdSe薄膜 电学行为
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CdSe薄膜理论设计与分析
19
作者 孙康迅 张弛 +13 位作者 周金辉 邱美叶 郑照轩 孔惠颖 施钧策 李轩 张林玉 罗薇 徐东昕 沈惟含 曲轶 乔忠良 李林 李再金 《材料化学前沿》 CAS 2024年第2期87-94,共8页
CdSe薄膜在许多应用领域都有广泛应用。在光催化领域,CdSe薄膜可以吸收光能并产生电子空穴对,从而促进光催化反应的进行。在生物医学领域,CdSe薄膜可以用于制备生物标记物和荧光探针,用于细胞成像、分子探测和生物传感等的应用中。在光... CdSe薄膜在许多应用领域都有广泛应用。在光催化领域,CdSe薄膜可以吸收光能并产生电子空穴对,从而促进光催化反应的进行。在生物医学领域,CdSe薄膜可以用于制备生物标记物和荧光探针,用于细胞成像、分子探测和生物传感等的应用中。在光电子学领域,CdSe薄膜因其优异的光电特性应用于太阳能电池的光吸收层,光传感器、光检测器和光放大器等光电子学器件中。本文通过CdSe薄膜制备理论分析其光学特性,制备CdSe太阳能吸收薄膜。针对其作为太阳能电池吸收薄膜的性能要求,采用G|2HL|A双层减反射膜系作为母膜系,以CdSe作为高折射率材料,SiO2、MgF2、HfO2分别作为低折射率材料进行膜系设计,并通过数据对比发现HfO2效果最好,通过设计降低反射率提高透射率和吸收率指标,选择可变度量法进行优化后,使其透过率和吸收率获得明显提升。设计结果表明:在380~780 nm波段,透过率高于30%,吸收率高于60%;在780~1000 nm波段,透过率高于65%,吸收率高于25%。设计要求值为保证镀制容差进行了透过指标溢出设计,数据表明设计的膜系能很好地满足薄膜性能需求,促进CdSe薄膜在光电子学领域更广泛的应用。 展开更多
关键词 CDSE薄膜 太阳能电池吸收薄膜 双层减反射膜
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胶体CdSe量子点敏化TiO_(2)太阳能电池中光电转换行为研究
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作者 王德芳 于丽波 +1 位作者 赵成双 李振 《当代化工研究》 CAS 2024年第17期44-46,共3页
以NaSeH_(4)水溶液、Cd^(2+)水溶液及巯基乙酸为原料采用水热法制备了水溶性CdSe量子点(QDs),并直接敏化在TiO_(2)光阳极上用于量子点敏化太阳能电池(QDSSC)。通过NaSeH_(4)的用量实现了CdSe QDs的尺寸调节和光谱响应范围调控。光伏性... 以NaSeH_(4)水溶液、Cd^(2+)水溶液及巯基乙酸为原料采用水热法制备了水溶性CdSe量子点(QDs),并直接敏化在TiO_(2)光阳极上用于量子点敏化太阳能电池(QDSSC)。通过NaSeH_(4)的用量实现了CdSe QDs的尺寸调节和光谱响应范围调控。光伏性能分析表明尺寸约6nm的CdSe QDSSC效率达到2.26%,明显高于尺寸约4nm和10nm的CdSe QDSSC效率(分别为0.62%和1.39%)。光谱和阻抗分析表明合适的CdSe QDs尺寸能扩大光捕获效率并减少光阳极-电解液界面间的电荷复合,从而提高了光电转换效率。 展开更多
关键词 CDSE量子点 量子点敏化太阳能电池 光电转换效率
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