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掺锑CdSnO_3体系的固溶与导电机制研究
被引量:
2
1
作者
尚文
刘杏芹
+1 位作者
汤笑婷
沈瑜生
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期60-63,共4页
按CdSbxSn1-xO3进行化学量配比,以化学共沉淀法制得系列掺锑CdSnO3固溶体粉料.XRD分析结果表明,掺锑固溶的x值范围为0<x<0.3.研究固溶体组成与电导的关系发现:随着锑离子的溶入,材料的电阻先是较大...
按CdSbxSn1-xO3进行化学量配比,以化学共沉淀法制得系列掺锑CdSnO3固溶体粉料.XRD分析结果表明,掺锑固溶的x值范围为0<x<0.3.研究固溶体组成与电导的关系发现:随着锑离子的溶入,材料的电阻先是较大程度地降低,然后再缓慢升高,并在掺锑固溶量的x值为0.02和0.25时,分别出现了两个电阻最低点.探讨了体系的固溶性与导电机制.
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关键词
固溶体
导电机制
气敏材料
偏锡酸镉
气敏半导体
下载PDF
职称材料
题名
掺锑CdSnO_3体系的固溶与导电机制研究
被引量:
2
1
作者
尚文
刘杏芹
汤笑婷
沈瑜生
机构
中国科学技术大学材料科学与工程系
出处
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期60-63,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
按CdSbxSn1-xO3进行化学量配比,以化学共沉淀法制得系列掺锑CdSnO3固溶体粉料.XRD分析结果表明,掺锑固溶的x值范围为0<x<0.3.研究固溶体组成与电导的关系发现:随着锑离子的溶入,材料的电阻先是较大程度地降低,然后再缓慢升高,并在掺锑固溶量的x值为0.02和0.25时,分别出现了两个电阻最低点.探讨了体系的固溶性与导电机制.
关键词
固溶体
导电机制
气敏材料
偏锡酸镉
气敏半导体
Keywords
cdsno3
,
solid solution
,
conductive mechanism
,
gas sensing material
分类号
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺锑CdSnO_3体系的固溶与导电机制研究
尚文
刘杏芹
汤笑婷
沈瑜生
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
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职称材料
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