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室温辐射探测器用CdTe基化合物半导体晶体生长研究进展
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作者 高攀登 俞鹏飞 +2 位作者 刘文斐 赵世伟 韩召 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期692-704,共13页
CdTe基化合物半导体材料由于具有较宽的带隙、良好的光电性质和电子传输性能,在室温辐射探测领域具有广阔的应用前景。其中CdTe、CdZnTe、CdMnTe和CdMgTe单晶具有优异的载流子传输特性被用作室温X射线和γ射线探测器。本文探讨了CdTe基... CdTe基化合物半导体材料由于具有较宽的带隙、良好的光电性质和电子传输性能,在室温辐射探测领域具有广阔的应用前景。其中CdTe、CdZnTe、CdMnTe和CdMgTe单晶具有优异的载流子传输特性被用作室温X射线和γ射线探测器。本文探讨了CdTe基晶体生长的离子性强,热导率差等难点。介绍了CdTe基晶体的生长方法,并综述了CdTe基晶体在室温辐射探测领域的研究进展。展望了CdTe基晶体的发展方向,为CdTe基化合物半导体晶体材料的应用提供了更丰富的想象空间。 展开更多
关键词 cdte基半导体晶体 物理性质 生长难点 晶体生长方法
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CdTe/Si复合衬底Ex-situ退火研究 被引量:8
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作者 刘铭 周立庆 +3 位作者 巩锋 常米 王经纬 王丛 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期917-920,共4页
复合衬底CdTe/ZnTe/Si的晶体质量是导致随后外延的HgCdTe外延膜高位错密度的主要原因之一,因此如何提高复合衬底CdTe/Si晶体质量是确保硅基碲镉汞走上工程化的关键所在。降低复合衬底CdTe/Si位错密度方法一般有:生长超晶格缓冲层、衬底... 复合衬底CdTe/ZnTe/Si的晶体质量是导致随后外延的HgCdTe外延膜高位错密度的主要原因之一,因此如何提高复合衬底CdTe/Si晶体质量是确保硅基碲镉汞走上工程化的关键所在。降低复合衬底CdTe/Si位错密度方法一般有:生长超晶格缓冲层、衬底偏向、In-situ退火和Ex-situ退火等,本文主要研究Ex-situ退火对复合衬底CdTe/Si晶体质量的影响。研究表明复合衬底经过Ex-situ退火后位错密度最好值达4.2×105cm-2,双晶半峰宽最好值达60arcsec。 展开更多
关键词 cdte/Si MBE 晶体质量 Ex-situ退火
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激光偏振编码制导中CdTe晶体编码技术研究 被引量:1
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作者 周木春 陈延如 +1 位作者 赵琦 袁兴起 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z1期515-518,共4页
针对激光驾束制导系统光束能量调制方式的原理缺陷,讨论了用电光晶体的电光效应实现生间偏振编码的原理。对适于10.6μm激光的 CdTe 晶体的电光效应进行了理论分析,在此基础上设计了基于普科尔效应的空间偏振编码调制器.确定了 X,Y,Z ... 针对激光驾束制导系统光束能量调制方式的原理缺陷,讨论了用电光晶体的电光效应实现生间偏振编码的原理。对适于10.6μm激光的 CdTe 晶体的电光效应进行了理论分析,在此基础上设计了基于普科尔效应的空间偏振编码调制器.确定了 X,Y,Z 轴方向加电场具有相同的效应,采用横向运用方式,使得经过编码器后的线偏振光形成最上方近似右旋圆偏振光到中间的线偏振光再到最下方的左旋圆偏振光的偏振态梯度分布,从而实现对弹的偏振制导. 展开更多
关键词 物理光学 编码器 偏振编码 激光制导 cdte晶体
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CdTe单晶薄膜的热壁外延 被引量:1
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作者 杨玉琨 孟庆巨 +3 位作者 杨慧 吴连民 赵永生 郑大方 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1991年第1期51-54,共4页
CdTe不仅是制作核辐射探测器的重要材料,而且还可用来制作太阳能电池,是外延Hg1-zCdzTe的理想衬底。由于很难获得大块完美的单晶,为此,人们对CdTe单晶外延层的生长进行了广泛的研究。 热壁外延(Hot Wall Epitaxy,缩写为HWE)是一种真... CdTe不仅是制作核辐射探测器的重要材料,而且还可用来制作太阳能电池,是外延Hg1-zCdzTe的理想衬底。由于很难获得大块完美的单晶,为此,人们对CdTe单晶外延层的生长进行了广泛的研究。 热壁外延(Hot Wall Epitaxy,缩写为HWE)是一种真空沉积薄膜的方法。其主要特点是在蒸发源和衬底之间加了一个套筒,并加热,成为热壁。目的在于能生长出完美的单晶外延层,形成一个很接近热力学平衡的沉积系统,迫使从蒸发源出来的原子或分子指向衬底。 展开更多
关键词 单晶 薄膜 热壁外延 cdte 真空沉积
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不同衬底上纳米晶CdTe薄膜的低温制备及光性能研究 被引量:1
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作者 郭福强 简基康 +3 位作者 郑毓峰 孙言飞 徐金宝 马灵灵 《新疆大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第2期182-186,共5页
在液氮温度下采用射频(R.F)磁控溅射在普通玻璃(glass)、单晶硅(Si)和陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜的晶体结构与外貌形态进行了表征.XRD测试表明在glass和Si衬底上的CdTe... 在液氮温度下采用射频(R.F)磁控溅射在普通玻璃(glass)、单晶硅(Si)和陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜的晶体结构与外貌形态进行了表征.XRD测试表明在glass和Si衬底上的CdTe薄膜比在Al2O3衬底有较好的结晶性,且在(111)晶面有较高的择优取向.在glass和Si衬底上的CdTe薄膜晶粒尺度约为25nm,而在Al2O3衬底上得到的薄膜晶粒尺度约为15nm左右.FESEM测试显示薄膜在glass和Si衬底上的结晶形态比Al2O3衬底较平整,致密.同时对玻璃衬底上不同沉积时间得到的纳米薄膜进行了光学性能研究. 展开更多
关键词 cdte 薄膜 R.F磁控溅射 晶体结构
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Te自助熔剂定向凝固法生长CdTe晶体 被引量:1
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作者 金敏 胡皓阳 +3 位作者 刘柱 徐静涛 江浩川 蒋俊 《应用技术学报》 2020年第3期205-210,共6页
碲化镉(CdTe)晶体是一种制造室温X射线和γ射线探测器最为理想的半导体材料,在医学、食品、安检、核废料监测等应用领域前景广阔。采用一种Te自助溶剂定向凝固技术生长CdTe晶体,在区熔温场及坩埚旋转系统的综合作用下,获得了平坦状的理... 碲化镉(CdTe)晶体是一种制造室温X射线和γ射线探测器最为理想的半导体材料,在医学、食品、安检、核废料监测等应用领域前景广阔。采用一种Te自助溶剂定向凝固技术生长CdTe晶体,在区熔温场及坩埚旋转系统的综合作用下,获得了平坦状的理想固液界面形貌。生长25 mm的CdTe晶体横截面单晶区域面积可达70%,从56 mm的CdTe晶体中可截取尺寸达15 mm×15 mm×3 mm的单晶,电学测试表明CdTe晶体在未掺杂改性条件下电阻率达108Ω·cm。红外透射显示,CdTe晶体中包含尺寸范围为1~20μm的Te夹杂,这是CdTe单晶生长过程中出现的主要微观缺陷。该工作取得的相关成果对未来CdTe晶体生长技术发展具有一定参考价值和借鉴意义。 展开更多
关键词 cdte晶体 Te自助溶剂 定向凝固法 固液界面
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基于CdTe量子点荧光猝灭法测定水体中结晶紫 被引量:1
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作者 毛永强 李娜 毛晶 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期302-306,共5页
以巯基乙酸为稳定剂,用水热法合成CdTe量子点(QDs),基于结晶紫对CdTe QDs的荧光猝灭作用,建立一种新的测定结晶紫含量的新方法。在优化实验条件下,结晶紫浓度在1.0~10.0μmol·L^-1范围内与CdTe QDs的荧光猝灭程度呈良好的线性关... 以巯基乙酸为稳定剂,用水热法合成CdTe量子点(QDs),基于结晶紫对CdTe QDs的荧光猝灭作用,建立一种新的测定结晶紫含量的新方法。在优化实验条件下,结晶紫浓度在1.0~10.0μmol·L^-1范围内与CdTe QDs的荧光猝灭程度呈良好的线性关系,相关系数r=0.9986,检出限为0.026μmol·L^-1。该方法用于水样中结晶紫含量的测定,加标回收率为96.2%~103.1%。同时,对结晶紫和CdTe QDs之间的反应机理进行探讨,发现CdTe QDs的发射光谱与结晶紫的吸收光谱能够有效重叠,且二者通过静电作用结合,可建立以CdTe QDs为供体,结晶紫为受体的荧光共振能量转移体系。 展开更多
关键词 cdte量子点 荧光猝灭 结晶紫 共振能量转移
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CdTe单晶生长过程的分凝特性及其生长条件的选择 被引量:1
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作者 介万奇 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1996年第3期259-263,共5页
在Cd—Te相图的基础上引出CdTe-Cd相图并定义其主要参数,讨论了富Cd的CdTe液体在结晶过程中的分凝特性及其生长条件对晶体中Te固溶量的影响,进而确定维持平面生长界面所需的最小温度梯度.
关键词 碲化镉 布里奇曼法 单晶生长
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基于CdTe量子点荧光增强测定结晶紫 被引量:1
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作者 李云 衷明华 《韩山师范学院学报》 2015年第6期40-43,共4页
以巯基乙酸为稳定剂,用水热法合成CdTe量子点(QDs),基于结晶紫对CdTe QDs的荧光增强作用,建立测定结晶紫含量的新方法.在优化实验条件下,结晶紫浓度在2.5~12.5 ng/m L范围内与CdTe QDs的荧光增强程度呈良好的线性关系,相关系数r=0.99... 以巯基乙酸为稳定剂,用水热法合成CdTe量子点(QDs),基于结晶紫对CdTe QDs的荧光增强作用,建立测定结晶紫含量的新方法.在优化实验条件下,结晶紫浓度在2.5~12.5 ng/m L范围内与CdTe QDs的荧光增强程度呈良好的线性关系,相关系数r=0.9954,检出限为0.35 ng/mL.该方法用于水样中结晶紫含量的测定,加标回收率为95.0%-102.3%. 展开更多
关键词 cdte量子点 结晶紫 荧光增强
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在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变
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作者 王元樟 陈路 +4 位作者 巫艳 吴俊 于梅芳 方维政 何力 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期729-733,共5页
本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析。研究显示,对于一... 本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析。研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位。对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力。该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义。 展开更多
关键词 cdte/GaAs cdte/Si 热应变 高分辨率多重晶多重反射X射线衍射 分子束外延
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分子束外延CdTe(211)B/GaAs(211)B的特性研究 被引量:2
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作者 陈世达 林立 何先忠 《红外与激光技术》 CSCD 1995年第6期1-5,共5页
CdTe/GaAs是HgCdTe分子束外延的重要替代衬底材料。用X双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的CdTe(211)B/GaAs(211)B的晶体结构质量,表明外延膜晶体结构完整,具有很高的质量。用高分辨... CdTe/GaAs是HgCdTe分子束外延的重要替代衬底材料。用X双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的CdTe(211)B/GaAs(211)B的晶体结构质量,表明外延膜晶体结构完整,具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性,观察到CdTe(211)B相对于GaAs(211)B向着[111]方向倾斜一个小角度(约3°),界面的四面体键网发生扭曲,由于晶格失配,在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了GaAs衬底中的Ga和As向CdTe外扩散的情况。结果表明:如果要在GaAs衬底上生长HgCdTe外延膜,必须先生长一层具有一定厚度的CdTe来阻止Ga和As向HgCdTe的外扩散和失配位错的延伸。 展开更多
关键词 碲化镉 砷化镓 双晶衍射 光致发光 透射电镜
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掺杂CdTe量子点的凝胶光子晶体制备 被引量:1
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作者 马娜娜 余莉萍 《化学工业与工程》 CAS CSCD 2018年第1期51-55,74,共6页
先将单分散的聚苯乙烯微球通过垂直沉积法自组装得到聚苯乙烯光子晶体模板,再将水相合成法制备的巯基丙酸改性CdTe量子点与丙烯酸、丙烯酰胺、过硫酸铵、N,N’-亚甲基双丙烯酰胺等水凝胶前驱液混合填入聚苯乙烯光子晶体模板中,引发交联... 先将单分散的聚苯乙烯微球通过垂直沉积法自组装得到聚苯乙烯光子晶体模板,再将水相合成法制备的巯基丙酸改性CdTe量子点与丙烯酸、丙烯酰胺、过硫酸铵、N,N’-亚甲基双丙烯酰胺等水凝胶前驱液混合填入聚苯乙烯光子晶体模板中,引发交联聚合,得到掺杂CdTe量子点的凝胶光子晶体。分别采用扫描电镜(SEM)、光纤光谱仪、固体荧光分光光度计对材料进行了表征,结果表明该材料既具有光子晶体的三维面心立方结构和光子带隙特征,又具有CdTe量子点荧光性能。 展开更多
关键词 cdte量子点 聚苯乙烯 光子晶体
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基于2-羟丙基-β-环糊精修饰的CdTe荧光探针定量分析结晶紫及机理探讨
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作者 严梅敏 李丽娜 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期252-257,共6页
在稳定剂巯基乙酸(TGA)和修饰剂2-羟丙基-β-环糊精(2-Hp-β-CD)存在下,获得的2-Hp-β-CDCdTe量子点具有高的荧光强度、水溶性和光稳定性,以及对结晶紫(CV)的良好包含能力。利用紫外-可见吸收光谱、荧光光谱及TEM图谱,研究了2-Hp-β-CDC... 在稳定剂巯基乙酸(TGA)和修饰剂2-羟丙基-β-环糊精(2-Hp-β-CD)存在下,获得的2-Hp-β-CDCdTe量子点具有高的荧光强度、水溶性和光稳定性,以及对结晶紫(CV)的良好包含能力。利用紫外-可见吸收光谱、荧光光谱及TEM图谱,研究了2-Hp-β-CDCdTe量子点与CV的相互作用情况。通过十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作用,显著降低了供体与受体之间的距离,促使量子点与结晶紫发生能量转移,且量子点的荧光光谱与CV的吸收光谱有效重叠,据此建立了量子点与CV的荧光共振能量转移(FRET)体系,并用于CV含量的测定。结果表明,在pH 8.0的Tris-HCl缓冲液中,当存在CTAB时,CV能对2-Hp-β-CDCdTe量子点的荧光峰发生猝灭,且CV浓度在1.0×10^-7~1.0×10^-5 mol/L范围内与量子点的荧光强度变化(ΔF)呈良好线性关系(r^2=0.9952),检出限为1.74×10^-8 mol/L,平均回收率为99.0%~106%。 展开更多
关键词 2-羟丙基-β-环糊精(2-Hp-β-CD) cdte量子点 结晶紫 荧光分析 荧光共振能量转移
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波导CO_2激光器电光腔倒空特性研究 被引量:3
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作者 杨泽后 周鼎富 +3 位作者 陈建国 江东 霍义华 孙鹏 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期485-487,553,共4页
对影响射频波导激光器电光腔倒空的激光输出脉冲特性的几个主要参数进行了研究。通过改变加在CdTe电光晶体上高压脉冲的不同上升沿时间 ,以及在不同布氏窗输出反射率等情况下 ,对腔倒空的脉冲宽度及脉冲峰值功率的变化特性进行了理论分... 对影响射频波导激光器电光腔倒空的激光输出脉冲特性的几个主要参数进行了研究。通过改变加在CdTe电光晶体上高压脉冲的不同上升沿时间 ,以及在不同布氏窗输出反射率等情况下 ,对腔倒空的脉冲宽度及脉冲峰值功率的变化特性进行了理论分析。在一台用于主动激光成像雷达光源的准折叠高重频腔倒空射频波导CO2 激光器上 ,通过改变CdTe电光晶体的工作参数 ,获得了 2 0ns到 30ns(FWHM)可调输出脉宽。 展开更多
关键词 腔倒空 射频波导 碲化镉晶体 脉宽
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用涂碳石英管生长碲化物晶体的工艺分析 被引量:1
15
作者 张素英 刘普霖 沈杰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期261-265,共5页
用经内壁涂碳膜的石英坩埚生长PbTe,CdTe和HgCdTe等的Ⅱ~Ⅳ族和Ⅳ~Ⅵ族化合物晶体,由X射线光电子能谱仪(XPS),原子吸收光谱和高频红外碳硫分析技术分析了多组涂碳和未涂碳、用和未用长晶的石英管内壁及相应的... 用经内壁涂碳膜的石英坩埚生长PbTe,CdTe和HgCdTe等的Ⅱ~Ⅳ族和Ⅳ~Ⅵ族化合物晶体,由X射线光电子能谱仪(XPS),原子吸收光谱和高频红外碳硫分析技术分析了多组涂碳和未涂碳、用和未用长晶的石英管内壁及相应的晶体表面,结果表明牢固的碳膜不会对生长晶体引进明显的碳沾污,可以避免石英同生长晶体的粘连. 展开更多
关键词 碲化物 晶体生长 杂质沾污 XPS 石英管 半导体
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An optical and structural investigation into CdTe nanocrystals embedded into the tellurium lithium borophosphate glass matrix 被引量:2
16
作者 WAGEH S 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2010年第5期818-822,共5页
Cadmium telluride nanocrystals that form in the TeO2-Li2O-B2O3-P2O5 glass matrix have been synthesized and studied.They are investigated by X-ray diffraction(XRD),optical transmission and infrared spectroscopy.It has ... Cadmium telluride nanocrystals that form in the TeO2-Li2O-B2O3-P2O5 glass matrix have been synthesized and studied.They are investigated by X-ray diffraction(XRD),optical transmission and infrared spectroscopy.It has been shown that the long annealing time effect on present samples leads to the growth of CdTe nanoparticles and an increase of tellurium oxide on the surface of nanocrystallites.On the other hand,the infrared spectroscopy shows that the phosphate and borate networks of the glass matrices are modified with doping by CdTe nanoparticles. 展开更多
关键词 cdte NANOcrystalS quantum DOTS crystal structure OPTICAL properties
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Properties of CdTe nanocrystalline thin films grown on different substrates by low temperature sputtering 被引量:1
17
作者 陈惠敏 郭福强 张保花 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期18-21,共4页
CdTe nanocrystalline thin films have been prepared on glass, Si and Al2O3 substrates by radio-frequency magnetron sputtering at liquid nitrogen temperature. The crystal structure and morphology of the films were chara... CdTe nanocrystalline thin films have been prepared on glass, Si and Al2O3 substrates by radio-frequency magnetron sputtering at liquid nitrogen temperature. The crystal structure and morphology of the films were charac-terized by X-ray diffraction (XRD) and field-emission scanning electron microscopy (FESEM). The XRD examinations revealed that CdTe films on glass and Si had a better crystal quality and higher preferential orientation along the (111) plane than the Al2O3. FESEM observations revealed a continuous and dense morphology of CdTe films on glass and Si substrates. Optical properties of nanocrystalline CdTe films deposited on glass substrates for different deposited times were studied. 展开更多
关键词 cdte thin films RF magnetron sputtering crystal structure X-ray diffraction optical properties
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电光调Q射频激励波导CO_2激光器 被引量:7
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作者 王骐 田兆硕 +2 位作者 王雨三 何伟明 王春晖 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期97-100,共4页
报道了电光调Q射频波导CO2激光器,其中波导长度400mm,在插入电光调Q晶体但不加调制电压情况下,激光器的连续输出功率为3.5W。调Q脉冲重复频率1Hz~10kHz可调,在10kHz重复频率时,获得了脉冲峰值功率为200W,脉冲宽度为400ns的输出。
关键词 电光调Q 射频激励波导 二氧化碳激光器
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